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Diodos (34409)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Jantx1n984c-1/tr | 6.1579 |  | 3626 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/117 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N984 | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantX1N984C-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 500 na @ 69 V | 91 V | 400 ohmios | |||||||||
 | 1N2824RB | 96.0150 | | 1851 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | A-204AD | 1N2824 | 50 W | TO-204AD (TO-3) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 10 A | 10 µA @ 25.1 V | 33 V | 3.2 ohmios | |||||||||
| Jan1n4977us/tr | 9.3600 | | 1131 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | MIL-PRF-19500/356 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | 5 W | E-Mada | - | 150-ENERO1N4977US/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.5 v @ 1 a | 2 µA @ 47.1 V | 62 V | 42 ohmios | ||||||||||||
 | 1N4469U/TR | 10.3341 | | 8989 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/406 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Sq-melf, un | 1.5 W | A, SQ-Melf | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-1N4469U/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 50 na @ 12 V | 15 V | 9 ohmios | ||||||||||
 | Jan1N5552us | - | | 4703 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/420 | Una granela | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | SQ-Melf, E | Estándar | D-5B | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.2 v @ 9 a | 2 µs | 1 µA @ 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 3A | - | ||||||||
| R3711 | 49.0050 | | 3946 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Una granela | Activo | - | Alcanzar sin afectado | 150-R3711 | 1 | |||||||||||||||||||||||
 | 1N5920P/TR8 | 1.8600 | | 1757 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 20% | -65 ° C ~ 150 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N5920 | 1.5 W | DO-204Al (DO-41) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µA @ 4 V | 6.2 V | 2 ohmios | |||||||||
| Janhca1n5540d | - | | 2186 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/437 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | Alcanzar sin afectado | 150-JANHCA1N5540D | EAR99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 18 V | 20 V | 100 ohmios | |||||||||||
 | 1 PMT5944/TR7 | 2.2200 | | 1740 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 20% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-216AA | 1pmt5944 | 3 W | DO-216AA | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 47.1 V | 62 V | 100 ohmios | |||||||||
 | CD4454 | 1.2635 | | 9517 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | Morir | Estándar | Morir | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CD4454 | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 50 V | 1 V @ 10 Ma | 4 ns | 100 na @ 50 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 200 MMA | - | ||||||||
| Jantx1n4371c-1/tr | 10.5602 | | 7491 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/127 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantX1N4371C-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 60 µA @ 1 V | 2.7 V | 30 ohmios | ||||||||||
| Jans1n4995dus | - | | 7532 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/356 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SQ-Melf, E | 5 W | D-5B | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 2 µA @ 274 V | 360 V | 1400 ohmios | |||||||||||
 | CDLL4567A | 10.1400 | | 5683 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | - | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | CDLL4567 | 500 MW | DO-213AA | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 6.4 V | 200 ohmios | ||||||||||
| Jantx1n5615us/tr | 8.8200 | | 5685 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | Sq-melf, un | Estándar | A, SQ-Melf | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantX1N5615US/TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1.6 v @ 3 a | 150 ns | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | - | |||||||||
 | Jans1n5621/tr | 60.0600 | | 2824 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/429 | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | A, axial | Estándar | A, axial | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-jans1n5621/tr | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 800 V | 1.6 v @ 3 a | 300 ns | -65 ° C ~ 200 ° C | 1A | - | |||||||||
| Jantx1n747aur-1 | 4.7100 | | 5761 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/127 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 1N747 | 500 MW | DO-213AA | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 3 µA @ 1 V | 3.6 V | 24 ohmios | |||||||||
 | 1n6864us/tr | 161.7750 | | 4025 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/620 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | Schottky | B, SQ-Melf | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-1n6864us/tr | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 80 V | 700 MV @ 3 A | 150 µA @ 80 V | -65 ° C ~ 125 ° C | 3A | - | |||||||||
| Jantx1n7049-1 | 8.8950 | | 6734 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||
| MSASC100H60HS/TR | - | | 8819 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Tape & Reel (TR) | Activo | - | Alcanzar sin afectado | 150-MSASC100H60HS/TR | 100 | |||||||||||||||||||||||
| Jan1n6305r | - | | 3800 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | Montaje | Do-203ab, do-5, semental | Estándar | Do-5 | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 1.18 V @ 150 A | 60 ns | 25 µA @ 100 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 70a | ||||||||||
| CDLL5266C | 6.7200 | | 3468 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA | 10 MW | DO-213AA | - | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL5266C | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 100 na @ 52 V | 68 V | 230 ohmios | |||||||||||
 | Apt40dq100bg | 2.4400 | | 8117 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | To-247-2 | APT40DQ100 | Estándar | To-247 [b] | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1000 V | 3 V @ 40 A | 250 ns | 100 µA @ 1000 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 40A | - | |||||||
 | HSM390JE3/TR13 | 1.0200 | | 1435 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | HSM390 | Schottky | DO-214AB | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 90 V | 810 MV @ 3 A | 100 µA @ 90 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 3A | - | ||||||||
 | Jantx1n647-1/tr | - | | 1979 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/240 | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | Estándar | Do-35 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantX1N647-1/TR | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1 V @ 400 Ma | 50 na @ 400 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 400mA | - | |||||||||
| Jantxv1n333338rb | - | | 3648 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/358 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje | Do-203ab, do-5, semental | 50 W | Do-5 | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 10 A | 10 µA @ 62.2 V | 82 V | 11 ohmios | |||||||||||
 | Jantx1n4129-1 | - | | 3234 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Una granela | Descontinuado en sic | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | Do-35 | - | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 47.1 V | 62 V | 500 ohmios | ||||||||||
 | 1N4679/TR | 3.6841 | | 1654 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AA, do-7, axial | 500 MW | DO-7 (DO-204AA) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-1N4679/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 5 µA @ 1 V | 2 V | |||||||||||
| Jantx1n3002b | - | | 5408 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/124 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje | DO-203AA, DO-4, semento | 10 W | DO-213AA (DO-4) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 2 a | 10 µA @ 56 V | 75 V | 22 ohmios | ||||||||||
 | Jantxv1n3047cur-1/tr | - | | 3225 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | MIL-PRF-19500/115 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | 1.25 W | DO-213AB (Melf, LL41) | - | 150-JantXV1N3047CUR-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 500 na @ 98.8 V | 130 V | 700 ohmios | ||||||||||||
| Jans1n6309us/tr | 125.9508 | | 8139 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/533 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | 500 MW | B, SQ-Melf | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-jans1n6309us/tr | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 v @ 1 a | 100 µA @ 1 V | 2.4 V | 30 ohmios |
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