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Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Velocidad	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
CD746C	-	RFQ	2490	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Morir			500 MW	Morir	-			Alcanzar sin afectado	150-CD746C	EAR99	8541.10.0050	278			1.5 V @ 200 Ma		10 µA @ 1 V				3.3 V	28 ohmios
1N4678	3.9800	RFQ	233	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TA)	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		7.5 µA @ 1 V				1.8 V
1N967A/TR	2.0083	RFQ	2241	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AA, do-7, axial			500 MW	Do-7	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-1N967A/TR	EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		5 µA @ 13.7 V				18 V	21 ohmios
CDLL5276A/TR	3.7800	RFQ	4713	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 10%	-65 ° C ~ 200 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA				DO-213AA	-			Alcanzar sin afectado	150-CDLL5276A/TR	EAR99	8541.10.0050	250			1.1 V @ 200 Ma		100 na @ 108 V				150 V	1500 ohmios
Smaj5935be3/tr13	0.6450	RFQ	3599	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	Smaj5935		3 W	DO-214AC (SMAJ)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	7,500			1.2 v @ 200 ma		1 µA @ 20.6 V				27 V	23 ohmios
Jantxv1n4971cus/tr	41.0400	RFQ	6173	Tecnología de Microchip	MIL-PRF-19500/356	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SQ-Melf, B			5 W	E-Mada	-				150-jantxv1n4971cus/tr	EAR99	8541.10.0050	100			1.5 v @ 1 a		2 µA @ 27.4 V				36 V	11 ohmios
Jan1n6323dus/tr	38.3700	RFQ	1059	Tecnología de Microchip	MIL-PRF-19500/533	Tape & Reel (TR)	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SQ-Melf, B			500 MW	B, SQ-Melf	-				150-Enero1n6323dus/TR	EAR99	8541.10.0050	100			1.4 v @ 1 a		1 µA @ 7 V				9.1 V	6 ohmios
UFR7040	97.1250	RFQ	1938	Tecnología de Microchip	*	Una granela	Activo									-			Alcanzar sin afectado	150-UFR7040			1
CDLL6017B	2.7150	RFQ	1127	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DO-213AA			500 MW	DO-213AA	-			Alcanzar sin afectado	150-CDLL6017B	EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		100 na @ 39 V				51 V	180 ohmios
CDLL6343	14.6400	RFQ	1260	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Do-213ab, melf	CDLL6343		500 MW	DO-213AB	-	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		50 na @ 47 V				62 V	125 ohmios
CDLL4103	3.5850	RFQ	3453	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Do-213ab, melf	CDLL4103		500 MW	DO-213AB	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		500 na @ 7 V				9.1 V	200 ohmios
Jantxv1n4109d-1	28.9500	RFQ	4122	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/435	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N4109		500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		50 na @ 11.4 V				15 V	100 ohmios
1N4758AP/TR8	1.8900	RFQ	3471	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	1N4758		1 W	DO-204Al (DO-41)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1.500			1.2 v @ 200 ma		5 µA @ 42.6 V				56 V	110 ohmios
UES805	69.1950	RFQ	6725	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			Montaje	Do-203ab, do-5, semental	UES805	Estándar		Do-5	descascar	Rohs no conforme	No Aplicable	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	300 V		50 ns	70 µA @ 300 V	-55 ° C ~ 150 ° C	50A	-
CDLL5227/TR	2.7132	RFQ	7344	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 20%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Do-213ab, melf			10 MW	DO-213AB	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-CDLL5227/TR	EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		15 µA @ 1 V				3.6 V	24 ohmios
1N5260BUR-1/TR	3.0200	RFQ	9895	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DO-213AA			500 MW	DO-213AA	-					EAR99	8541.10.0050	329			1.1 V @ 200 Ma		100 na @ 33 V				43 V	93 ohmios
Jan1N972B-1/TR	1.8088	RFQ	2771	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/127	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TA)	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-Enero1n972b-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		500 na @ 21 V				27 V	49 ohmios
Jantx1n965cur-1/tr	8.6317	RFQ	3303	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/117	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-55 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-JantX1N965CUR-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		500 na @ 11 V				15 V	16 ohmios
1N5927BP/TR8	1.8900	RFQ	1536	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	1N5927		1.5 W	DO-204Al (DO-41)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1.500			1.2 v @ 200 ma		1 µA @ 9.1 V				12 V	6.5 ohmios
Jantxv1n4987dus/tr	51.2700	RFQ	5141	Tecnología de Microchip	MIL-PRF-19500/356	Tape & Reel (TR)	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SQ-Melf, B			5 W	E-Mada	-				150-jantxv1n4987dus/tr	EAR99	8541.10.0050	100			1.5 v @ 1 a		2 µA @ 121.6 V				160 V	350 ohmios
Jan1n3344rb	-	RFQ	7916	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/358	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje	Do-203ab, do-5, semental			50 W	Do-5	-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 10 A		10 µA @ 99.8 V				130 V	50 ohmios
CDLL747	2.8650	RFQ	2006	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Do-213ab, melf	CDLL747		500 MW	DO-213AB	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		3 µA @ 1 V				3.6 V	24 ohmios
CDLL6490	13.8900	RFQ	4173	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Do-213ab, melf	CDLL6490		1.5 W	DO-213AB	-	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1 V @ 200 Ma		1 µA @ 1 V				5.1 V	7 ohmios
Jans1n6490us	-	RFQ	7647	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/406	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Sq-melf, un			1.5 W	D-5A	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.5 v @ 1 a		1 µA @ 1 V				5.1 V	7 ohmios
Jantx1n4982	9.7500	RFQ	9033	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/356	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	E, axial	1N4982		5 W		descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.5 v @ 1 a		2 µA @ 76 V				100 V	110 ohmios
UFS305G/TR13	3.0150	RFQ	7444	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-215AB, Ala de Gaviota SMC	UFS305	Estándar		DO-215AB	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	50 V	950 MV @ 3 A	30 ns	10 µA @ 50 V	-55 ° C ~ 175 ° C	3A	-
1N5932BP/TR12	1.8900	RFQ	9128	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	1N5932		1.5 W	DO-204Al (DO-41)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	4.000			1.2 v @ 200 ma		1 µA @ 15.2 V				20 V	14 ohmios
Jan1n4111c-1	10.5000	RFQ	4605	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/435	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N4111			DO-35 (DO-204AH)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		50 na @ 13 V				17 V	100 ohmios
SMBG5370A/TR13	2.2200	RFQ	9520	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 10%	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-215AA, Ala de Gaviota de SMB	SMBG5370		5 W	SMBG (DO-215AA)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000			1.2 v @ 1 a		500 na @ 40.3 V				56 V	35 ohmios
1N4112ur	3.7950	RFQ	6126	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)	1N4112		500 MW	DO-213AA	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		50 na @ 13.67 V				18 V	100 ohmios

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Diodos (34409)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²