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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Tipo de diodo | Voltaje - Reverso Máximo (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Relación de la capacidad | Condición de Relación de Capacitancia | Q @ VR, F |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 1N4916A | 42.1350 | ![]() | 7418 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N4916 | 500 MW | Do-35 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 19.2 V | 600 ohmios | ||||||||||||||||||
![]() | Jan1n5542bur-1 | 14.4600 | ![]() | 8849 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/437 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 1N5542 | 500 MW | DO-213AA | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 21.6 V | 24 V | 100 ohmios | ||||||||||||||||
Jans1n5712-1 | - | ![]() | 6344 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/444 | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | Schottky | DO-35 (DO-204AH) | - | Alcanzar sin afectado | 150-JANS1N5712-1 | EAR99 | 8541.10.0070 | 50 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 20 V | 1 V @ 35 Ma | 150 na @ 16 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 75 Ma | 2pf @ 0V, 1 MHz | ||||||||||||||||||
![]() | GC15002-150A | - | ![]() | 3759 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | Morir | Chip | - | Alcanzar sin afectado | 150-GC15002-150ATR | EAR99 | 8541.10.0040 | 1 | 0.3pf @ 20V, 1MHz | Soltero | 22 V | 8 | C0/C15 | 1300 @ 4V, 50MHz | ||||||||||||||||||
![]() | 1 PMT5939E3/TR7 | 0.7350 | ![]() | 8159 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 20% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-216AA | 1pmt5939 | 3 W | DO-216AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 29.7 V | 39 V | 45 ohmios | ||||||||||||||||
![]() | Jan1N5819-1/TR | 6.7300 | ![]() | 3203 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/586 | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | Schottky | Do-41 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-ENERO1N5819-1/TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 45 V | 490 MV @ 1 A | 50 µA @ 45 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 1A | - | ||||||||||||||||
![]() | 1 PMT5946CE3/TR7 | 0.7350 | ![]() | 9326 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-216AA | 1pmt5946 | 3 W | DO-216AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 56 V | 75 V | 140 ohmios | ||||||||||||||||
![]() | Smaj4746ce3/tr13 | 0.6450 | ![]() | 2455 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | Smaj4746 | 2 W | DO-214AC | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µA @ 13.7 V | 18 V | 20 ohmios | ||||||||||||||||
![]() | Jans1n4129cur-1 | 97.9650 | ![]() | 2831 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 500 MW | DO-213AA | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 47.1 V | 62 V | 500 ohmios | ||||||||||||||||||
![]() | S504160 | 158.8200 | ![]() | 6458 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | SR504 | Una granela | Activo | Montaje | DO-205AB, DO-9, Semento | Estándar | DO-205AB (DO-9) | - | Alcanzar sin afectado | 150-S504160 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1600 V | 1.25 V @ 1000 A | 75 µA @ 1600 V | -65 ° C ~ 200 ° C | 300A | - | |||||||||||||||||
Jans1n4620-1 | 59.3250 | ![]() | 8734 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 3.5 µA @ 1.5 V | 3.3 V | 1650 ohmios | |||||||||||||||||||
1N5620US | 8.5050 | ![]() | 5580 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | Montaje en superficie | Sq-melf, un | 1N5620 | Estándar | D-5A | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 800 V | 1.3 V @ 3 A | 2 µs | 500 na @ 800 V | -65 ° C ~ 200 ° C | 1A | - | |||||||||||||||
![]() | Jantx1n4099ur-1/tr | 9.5627 | ![]() | 4062 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantX1N4099UR-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 1 µA @ 5.17 V | 6.8 V | 200 ohmios | |||||||||||||||||
![]() | 1N2832A | 94.8900 | ![]() | 4811 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | A-204AD | 1N2832 | 50 W | TO-204AD (TO-3) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 10 A | 10 µA @ 42.6 V | 56 V | 6 ohmios | ||||||||||||||||
Jan1n746d-1 | 6.4950 | ![]() | 7741 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/127 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N746 | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 5 µA @ 1 V | 3.3 V | 17 ohmios | |||||||||||||||||
![]() | SMBJ4757A/TR13 | 0.8850 | ![]() | 8030 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | SMBJ4757 | 2 W | SMBJ (DO-214AA) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µA @ 38.8 V | 51 V | 95 ohmios | ||||||||||||||||
Jantx1n977d-1 | 10.8900 | ![]() | 7145 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/117 | Una granela | Activo | ± 1% | -55 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N977 | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 500 na @ 36 V | 47 V | 105 ohmios | |||||||||||||||||
![]() | 1N4760AP/TR12 | 1.8900 | ![]() | 6738 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N4760 | 1 W | DO-204Al (DO-41) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µA @ 51.7 V | 68 V | 150 ohmios | ||||||||||||||||
![]() | Jan1N6873UTK2/TR | 364.6950 | ![]() | 7237 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Tape & Reel (TR) | Activo | - | Alcanzar sin afectado | 150-ENERO1N6873UTK2/TR | 100 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Jantxv1n5544bur-1 | 19.3500 | ![]() | 9629 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/437 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 1N5544 | 500 MW | DO-213AA | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 25.2 V | 28 V | 100 ohmios | ||||||||||||||||
![]() | 1N5919E3/TR13 | - | ![]() | 8948 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 20% | -65 ° C ~ 150 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N5919 | 1.5 W | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µA @ 3 V | 5.6 V | 2 ohmios | ||||||||||||||||
![]() | Jans1n6677ur-1 | - | ![]() | 8142 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/610 | Una granela | Activo | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 1N6677 | Schottky | DO-213AA | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 40 V | 500 MV @ 200 Ma | 5 µA @ 40 V | -65 ° C ~ 125 ° C | 200 MMA | - | |||||||||||||||
![]() | Jan1n3044cur-1/TR | 29.0339 | ![]() | 4370 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/115 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | 1 W | DO-213AB (Melf, LL41) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-ENERO1N3044CUR-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µA @ 76 V | 100 V | 350 ohmios | |||||||||||||||||
Jans1n4623c-1 | 124.5750 | ![]() | 9332 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 2 µA @ 2 V | 4.3 V | 1600 ohmios | |||||||||||||||||||
Jantxv1n4135-1 | - | ![]() | 4375 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Una granela | Descontinuado en sic | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 76 V | 100 V | 1600 ohmios | ||||||||||||||||||
![]() | Apt2x60dq100j | 19.8200 | ![]() | 3704 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tubo | Activo | Monte del Chasis | SOT-227-4, Miniócrita | Apt2x60 | Estándar | ISOTOP® | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 2 Independientes | 1000 V | 60A | 2.8 V @ 60 A | 235 ns | 100 µA @ 1000 V | |||||||||||||||
1N5234DE3/TR | 10.1550 | ![]() | 9675 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | Alcanzar sin afectado | 150-1N5234DE3/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.5 V @ 200 Ma | 5 µA @ 4 V | 6.2 V | 7 ohmios | |||||||||||||||||||
![]() | Jankca1n4618c | - | ![]() | 7108 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Morir | 500 MW | Morir | - | Alcanzar sin afectado | 150-Jankca1n4618c | EAR99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.1 V @ 200 Ma | 1 µA @ 1 V | 2.7 V | 1500 ohmios | ||||||||||||||||||
Jantxv1n4106c-1/tr | 20.6815 | ![]() | 2042 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantXV1N4106C-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 50 na @ 9.2 V | 12 V | 200 ohmios | ||||||||||||||||||
Jantxv1n4583a-1 | 12.7950 | ![]() | 5855 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/452 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N4583 | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 6.4 V | 25 ohmios |
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