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Diodos (34409)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Current - Max | Disipacia de Potencia (Max) | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Tipo de diodo | Voltaje - Reverso Máximo (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Resistencia @ if, f |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Mns1n5806us/tr | 8.9550 |  | 4119 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | MIL-PRF-19500/477 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | Sq-melf, un | Polaridad Inversa Estándar | A, SQ-Melf | - | Alcanzar sin afectado | 150-MNS1N5806US/TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 160 V | 875 MV @ 1 A | 25 ns | 1 µA @ 150 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 25pf @ 10V, 1 MHz | ||||||||||||||
 | Jan1n4464cus/tr | 26.9100 | | 3874 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | MIL-PRF-19500/406 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Sq-melf, un | 1.5 W | D-5A | - | 150-Enero1n4464cus/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 300 na @ 5.46 V | 9.1 V | 4 ohmios | |||||||||||||||||
 | 1N5351C/TR12 | 3.3900 | | 9407 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | A Través del Aguetero | T-18, axial | 1N5351 | 5 W | T-18 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.2 v @ 1 a | 1 µA @ 10.1 V | 14 V | 2.5 ohmios | ||||||||||||||
 | 1N4736AUR/TR | 3.2319 | | 9913 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Do-213ab, melf | 1 W | DO-213AB | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-1N4736AUR/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µA @ 4 V | 6.8 V | 3.5 ohmios | |||||||||||||||
 | Jantx1n4579a-1 | 30.1500 | | 2492 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/452 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N4579 | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 3 V | 50 ohmios | |||||||||||||||
| GC4490-00 | - | | 3172 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Banda | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C | Morir | Chip | - | Alcanzar sin afectado | 150-GC4490-00 | EAR99 | 8541.10.0040 | 1 | 50 Ma | 0.1pf @ 50V, 1MHz | PIN - Single | 750V | 1.5ohm @ 100 mA, 100MHz | ||||||||||||||||||
| UM4002SM | - | | 6230 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | Mel | - | - | Alcanzar sin afectado | 150-UM4002SMTR | EAR99 | 8541.10.0060 | 1 | 20 W | 3pf @ 100V, 1 MHz | PIN - Single | 200V | 500mohm @ 100 mA, 100MHz | ||||||||||||||||||
 | LXS201-143-5 | - | | 4591 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 125 ° C | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | LXS201 | Sot-23-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 A | 250 MW | 0.3pf @ 0V, 1MHz | - | 3V | ||||||||||||||||
| GC4210-150A/TR | - | | 2792 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Banda | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C | Morir | Chip | - | Alcanzar sin afectado | 150-GC4210-150A/TR | 1 | 10 Ma | 0.06pf @ 10V, 1MHz | PIN - Single | 100V | 1.5ohm @ 20 mm, 1 GHz | ||||||||||||||||||||
| Jans1n7050ur-1/TR | 163.0650 | | 5745 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-Jans1n7050ur-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||||||
| Jan1N5531B-1 | 5.5200 | | 4660 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/437 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N5531 | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 50 na @ 9.9 V | 11 V | 80 ohmios | ||||||||||||||
 | UPP1004E3/TR7 | 1.8450 | | 5349 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | PowerMite® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | DO-216AA | UPP1004 | DO-216 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | 2.5 W | 1.6pf @ 100V, 1 MHz | PIN - Single | 100V | 1ohm @ 10mA, 100MHz | ||||||||||||||||
| Jantxv1n6323 | 14.6700 | | 8292 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/533 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N6323 | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 v @ 1 a | 1 µA @ 7 V | 9.1 V | 6 ohmios | ||||||||||||||
| UMX5101SM | - | | 3384 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -65 ° C ~ 150 ° C | Mel | - | - | Alcanzar sin afectado | 150-UMX5101SMTR | EAR99 | 8541.10.0060 | 1 | 3PF @ 0V, 1MHz | PIN - Single | 100V | 1ohm @ 100 mm, 64MHz | |||||||||||||||||||
| SMBG5347C/TR13 | 2.8650 | | 2139 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-215AA, Ala de Gaviota de SMB | SMBG5347 | 5 W | SMBG (DO-215AA) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.2 v @ 1 a | 5 µA @ 7.2 V | 10 V | 2 ohmios | ||||||||||||||
 | Jantxv1n6310us | 21.4200 | | 7055 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/533 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | 500 MW | B, SQ-Melf | - | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 v @ 1 a | 60 µA @ 1 V | 2.7 V | 30 ohmios | |||||||||||||||||
| UM2106D | - | | 2220 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -65 ° C ~ 175 ° C | Semental | - | - | Alcanzar sin afectado | 150-UM2106DTR | EAR99 | 8541.10.0060 | 1 | 18.75 W | 2.5pf @ 100V, 1 MHz | PIN - Single | 600V | 2ohm @ 100 mm, 2mhz | ||||||||||||||||||
| UM7301B | - | | 7574 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | Axial | Axial | - | Alcanzar sin afectado | 150-UM7301BTR | EAR99 | 8541.10.0060 | 1 | 4 W | 0.7pf @ 100V, 1 MHz | PIN - Single | 100V | 3ohm @ 100 mm, 100MHz | ||||||||||||||||||
 | Jantx1n4117ur-1/tr | 8.5652 | | 6561 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-Jantx1n4117ur-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 19 V | 25 V | 150 ohmios | |||||||||||||||
 | Jantxv1n6642us | 9.6150 | | 4390 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/578 | Una granela | Activo | Montaje en superficie | SQ-Melf, E | 1N6642 | Estándar | D-5B | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 1.2 V @ 100 Ma | 20 ns | 500 na @ 100 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 300mA | - | ||||||||||||
 | MT-9560AT-JA-DCC-32K7680000 | - | | 5766 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Tape & Reel (TR) | Activo | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-MT-9560AT-JA-DCC-32K7680000TR | 250 | |||||||||||||||||||||||||||
 | 1N5994D | 5.2500 | | 3044 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N5994 | 500 MW | Do-35 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 2 µA @ 3 V | 5.6 V | 25 ohmios | ||||||||||||||
| UM7504E | - | | 2711 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | UM7500 | Banda | Activo | -65 ° C ~ 175 ° C | Axial | Axial | - | Alcanzar sin afectado | 150-UM7504E | EAR99 | 8541.10.0060 | 1 | 10 W | 1PF @ 100V, 1MHz | PIN - Single | 400V | 1ohm @ 50 mm, 100MHz | ||||||||||||||||||
 | Jan1n3614/tr | 4.5600 | | 7273 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/228 | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | A, axial | Estándar | A, axial | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-ENERO1N3614/TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 800 V | 1.1 v @ 1 a | 1 µA @ 800 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | - | ||||||||||||||
| UM6201B | - | | 5617 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | Axial | Axial | - | Alcanzar sin afectado | 150-UM6201BTR | EAR99 | 8541.10.0060 | 1 | 2.5 W | 1.1pf @ 100V, 1 MHz | PIN - Single | 100V | 400mohm @ 100 mm, 100MHz | ||||||||||||||||||
| UM4306SM | - | | 2612 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | Mel | - | - | Alcanzar sin afectado | 150-UM4306SMTR | EAR99 | 8541.10.0060 | 1 | 15 W | 2.2pf @ 100V, 1 MHz | PIN - Single | 600V | 1.5ohm @ 100 mA, 100MHz | ||||||||||||||||||
| UM7204D | - | | 9491 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -65 ° C ~ 175 ° C | Semental | - | - | Alcanzar sin afectado | 150-UM7204DTR | EAR99 | 8541.10.0060 | 1 | 7.5 W | 2.2pf @ 100V, 1 MHz | PIN - Single | 400V | 250MOHM @ 100MA, 100MHz | ||||||||||||||||||
| UM9441HR2/TR | - | | 7569 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Banda | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C | Axial | Axial | - | Alcanzar sin afectado | 150-UM9441HR2/TR | EAR99 | 8541.10.0060 | 1 | 10pf @ 50V, 1 MHz | PIN - Single | 100V | - | |||||||||||||||||||
| LXP1004-23-2 | 4.9000 | | 165 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 125 ° C | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | LXP1004 | Sot-23-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0060 | 1 | 10 Ma | 250 MW | 0.75pf @ 20V, 1MHz | Pin - Conexión de la Serie de 1 par | 20V | 600mohm @ 10 Ma, 100MHz | |||||||||||||||
| 1N6000C-1E3/TR | 4.0166 | | 5312 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-1N6000C-1E3/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 100 na @ 8 V | 10 V | 15 ohmios |
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