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Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Velocidad	Current - Max	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Tipo de diodo	Voltaje - Reverso Máximo (Max)	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)	Resistencia @ if, f
Jans1n825-1	125.8050	RFQ	7116	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/159	Una granela	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1						2 µA @ 3 V						6.2 V	15 ohmios
Jan1n4977/tr	5.9451	RFQ	3079	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/356	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	E, axial			5 W		-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-ENERO1N4977/TR	EAR99	8541.10.0050	1				1.5 v @ 1 a		2 µA @ 47.1 V						62 V	42 ohmios
Jantxv1n982c-1/tr	6.8628	RFQ	7488	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/117	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-JantXV1N982C-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1				1.1 V @ 200 Ma		500 na @ 56 V						75 V	270 ohmios
Jantx1n4553b	-	RFQ	7658	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/358	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje	Do-203ab, do-5, semental	1N4553		50 W	Do-5	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1				1.5 V @ 10 A		20 µA @ 1 V						5.6 V	0.12 ohmios
1N6940UTK3AS	267.2850	RFQ	5482	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			Montaje en superficie	Thinkey ™ 3		Schottky		Thinkey ™ 3	-			Alcanzar sin afectado	150-1N6940UTK3AS	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		15 V	500 MV @ 150 A		5 Ma @ 15 V	-65 ° C ~ 150 ° C	150a	10000pf @ 5V, 1 MHz
1N4679UR-1	5.0850	RFQ	4484	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)	1N4679		500 MW	DO-213AA	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1				1.5 V @ 100 Ma		5 µA @ 1 V						2 V
Jantx1n3012rb	538.8900	RFQ	6831	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/124	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje	DO-203AA, DO-4, semento			10 W	DO-213AA (DO-4)	-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1				1.5 v @ 2 a		10 µA @ 121.6 V						160 V	200 ohmios
1N4617	2.3275	RFQ	3846	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AA, do-7, axial			500 MW	DO-7 (DO-204AA)	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-1N4617	EAR99	8541.10.0050	1				1.1 V @ 200 Ma		2 µA @ 1 V						2.4 V	1400 ohmios
1N5531bur-1	6.4800	RFQ	8983	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DO-213AA	1N5531		500 MW	DO-213AA	descascar	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1				1.1 V @ 200 Ma		50 na @ 9.9 V						11 V	80 ohmios
Jantxv1n5532b-1	-	RFQ	4825	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/437	Una granela	Descontinuado en sic	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1				1.1 V @ 200 Ma		50 na @ 10.8 V						12 V	90 ohmios
1N6624US	-	RFQ	5153	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Descontinuado en sic			Montaje en superficie	Sq-melf, un		Estándar		Una masa	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		990 V	1.55 v @ 1 a	50 ns	500 na @ 990 V	-65 ° C ~ 150 ° C	1A	10pf @ 10V, 1 MHz
Jantxv1n6310	14.0700	RFQ	5876	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/533	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N6310		500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1				1.4 v @ 1 a		60 µA @ 1 V						2.7 V	30 ohmios
Jantxv1n333339rb	-	RFQ	3010	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/358	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje	Do-203ab, do-5, semental			50 W	Do-5	-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1				1.5 V @ 10 A		10 µA @ 69.2 V						91 V	15 ohmios
Jantx1n4122c-1	16.4550	RFQ	6555	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/435	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N4122		500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1				1.1 V @ 200 Ma		10 na @ 27.4 V						36 V	200 ohmios
Jan1n4957c	16.7700	RFQ	7914	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/356	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	E, axial	1N4957		5 W	E, axial	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1				1.5 v @ 1 a		25 µA @ 6.9 V						9.1 V	2 ohmios
Jantx1n989b-1/tr	-	RFQ	3421	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/117	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-JantX1N989B-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1				1.3 V @ 200 Ma		500 na @ 114 V						150 V	1.5 ohmios
UFS320G/TR13	3.9150	RFQ	9151	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-215AB, Ala de Gaviota SMC	UFS320	Estándar		DO-215AB	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		200 V	950 MV @ 3 A	30 ns	10 µA @ 200 V	-55 ° C ~ 175 ° C	3A	-
CDLL4931/TR	79.8150	RFQ	7065	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 100 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA			500 MW	DO-213AA	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-CDLL4931/TR	EAR99	8541.10.0050	1						15 µA @ 12 V						19.2 V	36 ohmios
1N3267	151.2750	RFQ	1242	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			Montaje	DO-205AB, DO-9, Semento	1N3267	Estándar		DO-205AB (DO-9)	descascar	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado	1N3267MS	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		400 V	1.3 V @ 300 A		75 µA @ 400 V	-65 ° C ~ 190 ° C	275a	-
GC4220-00	-	RFQ	1266	Tecnología de Microchip	-	Banda	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C		Morir				Chip	-			Alcanzar sin afectado	150-GC4220-00			1		10 Ma							0.06pf @ 10V, 1MHz	PIN - Single	250V			2.5ohm @ 20 mm, 1 GHz
Jans1n4986c	415.7700	RFQ	4480	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/356	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	E, axial			5 W	E, axial	-			Alcanzar sin afectado	150-jans1n4986c	EAR99	8541.10.0050	1				1.5 v @ 1 a		2 µA @ 114 V						150 V	330 ohmios
Jans1n4106dur-1	147.2700	RFQ	4604	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/435	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)			500 MW	DO-213AA	-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1				1.1 V @ 200 Ma		50 na @ 9.2 V						12 V	200 ohmios
CDLL5937B	3.9300	RFQ	5237	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Do-213ab, melf	CDLL5937		1.25 W	DO-213AB	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1				1.2 v @ 200 ma		1 µA @ 25.1 V						33 V	33 ohmios
CDLL747A/TR	2.6201	RFQ	9515	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Do-213ab, melf			500 MW	DO-213AB	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-CDLL747A/TR	EAR99	8541.10.0050	1				1.1 V @ 200 Ma		3 µA @ 1 V						3.6 V	24 ohmios
Jan1N4584A-1/TR	26.8350	RFQ	6771	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/452	Tape & Reel (TR)	Activo	± 1%	-55 ° C ~ 100 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-ENERO1N4584A-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1						2 µA @ 3 V						6.4 V	25 ohmios
MSASC75H15F/TR	-	RFQ	5512	Tecnología de Microchip	*	Tape & Reel (TR)	Activo									-			Alcanzar sin afectado	150-MSASC75H15F/TR			100
Jans1n4490dus	330.2550	RFQ	6676	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Sq-melf, un			1.5 W	D-5A	-			Alcanzar sin afectado	150-JANS1N4490DUS	EAR99	8541.10.0050	1				1.5 v @ 1 a		250 na @ 88 V						110 V	300 ohmios
Jan1n941bur-1/TR	-	RFQ	1135	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/157	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)			500 MW	DO-213AA	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-ENERO1N941BUR-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1						15 µA @ 8 V						11.7 V	30 ohmios
1N4740DGE3	8.5652	RFQ	6987	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 150 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial			1 W	Do-41	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-1N4740DGE3	EAR99	8541.10.0050	1				1.2 v @ 200 ma		10 µA @ 7.6 V						10 V	7 ohmios
Jantx1n982c-1/tr	10.2410	RFQ	2171	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/117	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-55 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N982		500 MW	DO-35 (DO-204AH)	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-JantX1N982C-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1				1.1 V @ 200 Ma		500 na @ 56 V						75 V	270 ohmios

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Diodos (34409)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²