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Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Velocidad	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
SMBJ5369C/TR13	2.1900	RFQ	6747	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-214AA, SMB	SMBJ5369		5 W	SMBJ (DO-214AA)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000			1.2 v @ 1 a		500 na @ 36.7 V				51 V	27 ohmios
1N4991US	16.3350	RFQ	7009	Tecnología de Microchip	MIL-PRF-19500/356	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SQ-Melf, E	1N4991		5 W	D-5B	descascar	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.5 v @ 1 a		2 µA @ 182 V				240 V	650 ohmios
Jans1n4129-1	33.7800	RFQ	2203	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/435	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		10 na @ 47.1 V				62 V	500 ohmios
1N3518A	2.4900	RFQ	5408	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N3518		500 MW	Do-35	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma						1 V	7 ohmios
CDLL6002B	2.7150	RFQ	6339	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DO-213AA			500 MW	DO-213AA	-			Alcanzar sin afectado	150-CDLL6002B	EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma						12 V	22 ohmios
1 PMT4122C/TR13	1.2450	RFQ	2716	Tecnología de Microchip	PowerMite®	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-216AA	1pmt4122		1 W	DO-216	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	12,000			1.1 V @ 200 Ma		10 na @ 27.38 V				36 V	200 ohmios
Jantx1n6772	-	RFQ	6737	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			A Través del Aguetero	Un 257-3		Estándar		Un 257	-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	400 V	1.6 v @ 8 a	60 ns	10 µA @ 320 V	-	8A	200pf @ 5V, 1MHz
Jantxv1n6632us/tr	-	RFQ	8874	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/356	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SQ-Melf, E			5 W	D-5B	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-jantxv1n6632us/tr	EAR99	8541.10.0050	1			1.5 v @ 1 a		300 µA @ 1 V				3.3 V	3 ohmios
Jantxv1n6340us/tr	19.9234	RFQ	7000	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/533	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SQ-Melf, B			500 MW	B, SQ-Melf	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-jantxv1n6340us/tr	EAR99	8541.10.0050	1			1.4 v @ 1 a		50 na @ 36 V				47 V	75 ohmios
Jan1n4479	6.1500	RFQ	3138	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	1N4479		1.5 W	DO-204Al (DO-41)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.5 v @ 1 a		50 na @ 31.2 V				39 V	30 ohmios
5822SMJE3/TR13	1.5200	RFQ	6739	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214AB, SMC	5822smje	Schottky		SMCJ (DO-214AB)	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	40 V	500 MV @ 3 A		1.5 Ma @ 40 V	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	-
Jans1n4469us	-	RFQ	3923	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Descontinuado en sic	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Sq-melf, un			1.5 W	D-5A	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.5 v @ 1 a		50 na @ 12 V				15 V	600 ohmios
Jantxv1n5524dur-1/tr	58.7062	RFQ	7677	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/437	Tape & Reel (TR)	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DO-213AA			500 MW	DO-213AA	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-jantxv1n5524dur-1/tr	EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		2 µA @ 3.5 V				5.6 V	30 ohmios
MSASC150W80LX/TR	-	RFQ	6128	Tecnología de Microchip	*	Tape & Reel (TR)	Activo									-			Alcanzar sin afectado	150-MSASC150W80LX/TR			100
UES2606HR2	160.6350	RFQ	4354	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			A Través del Aguetero	TO-204AA, TO-3		Estándar		A 3	-		No Aplicable	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		1.25 V @ 15 A	50 ns		-55 ° C ~ 150 ° C	30A	-
Jantxv1n5618	7.8750	RFQ	8759	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/427	Una granela	Activo			A Través del Aguetero	A, axial	1N5618	Estándar		A, axial	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)	600 V	1.3 V @ 3 A	2 µs	500 na @ 600 V	-65 ° C ~ 200 ° C	1A	-
Jans1n4106d-1	101.3100	RFQ	9496	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/435	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		50 na @ 9.2 V				12 V	200 ohmios
UZ7808	468.9900	RFQ	5788	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje	Semental			10 W	Axial	-			Alcanzar sin afectado	150-UZ7808	EAR99	8541.10.0050	1					200 µA @ 5.9 V				8.2 V	0.8 ohmios
1N6011ur-1/TR	3.7400	RFQ	3804	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	-	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DO-213AA			500 MW	DO-213AA	-					EAR99	8541.10.0050	264			1.1 V @ 200 Ma						30 V
Jantx1n986dur-1/tr	17.3964	RFQ	6141	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/117	Tape & Reel (TR)	Activo	± 1%	-55 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N986		500 MW	DO-35 (DO-204AH)	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-Jantx1n986dur-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1			1.3 V @ 200 Ma		500 na @ 84 V				110 V	750 ohmios
MSASC150W45LS/TR	-	RFQ	6427	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	Thinkey ™ 3		Schottky, Polaridad Inversa		Thinkey ™ 3	-			Alcanzar sin afectado	150-MSASC150W45LS/TR	EAR99	8541.10.0080	100	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	45 V	760 MV @ 150 A		1 ma @ 45 V	-55 ° C ~ 150 ° C	150a	-
Jantx1n5518b-1	-	RFQ	5433	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/437	Una granela	Descontinuado en sic	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		5 µA @ 1 V				3.3 V	26 ohmios
S31110	49.0050	RFQ	6909	Tecnología de Microchip	*	Una granela	Activo									-			Alcanzar sin afectado	150-S31110			1
Jan1n4469d	19.4700	RFQ	7215	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/406	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	1N4469		1.5 W	Do-41	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1 V @ 200 Ma		500 na @ 12 V				15 V	9 ohmios
CDLL4481	11.3550	RFQ	2909	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Do-213ab, melf	CDLL4481		1.5 W	DO-213AB	-	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1 V @ 200 Ma		50 na @ 37.6 V				47 V	50 ohmios
UPS615/TR13	2.5200	RFQ	9790	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-216AA	UPS615	Schottky		Powermite	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	5,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	15 V	320 MV @ 6 A		4 Ma @ 15 V	-55 ° C ~ 125 ° C	6A	-
UES2606RHR2	160.6350	RFQ	4622	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			A Través del Aguetero	TO-204AA, TO-3		Estándar		A 3	-		No Aplicable	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		1.25 V @ 15 A	50 ns		-55 ° C ~ 150 ° C	30A	-
Jantx1n5768	-	RFQ	8855	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/474	Una granela	Activo			Montaje en superficie	10-CFLATPACK		Estándar		10-CFLATPACK	-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		1.5 V @ 500 Ma	40 ns	100 na @ 40 V	-65 ° C ~ 150 ° C	300mA	4PF @ 0V, 1MHz
1N5929Bur-1/TR	3.7772	RFQ	6036	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Do-213ab, melf			1.25 W	DO-213AB	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-1N5929Bur-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1			1.2 v @ 200 ma		1 µA @ 11.4 V				15 V	9 ohmios
Jantxv1n4486dus	56.4150	RFQ	5567	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/406	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Sq-melf, un			1.5 W	D-5A	-			Alcanzar sin afectado	150-jantxv1n4486dus	EAR99	8541.10.0050	1			1.5 v @ 1 a		250 na @ 60 V				75 V	130 ohmios

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Diodos (34409)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²