RFQ
Proseperar
Contáctenos

Tel: +86-0755-83501315

Correo electrónico:sales@sic-components.com

Iniciar sesión

Español

Diodos (34409)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Velocidad	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
CDLL4568A	14.3100	RFQ	5202	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	-	-55 ° C ~ 100 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA	CDLL4568		500 MW	DO-213AA	descascar	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1						2 µA @ 3 V			200 ohmios
Jantxv1n6490c	-	RFQ	9554	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/406	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial			1.5 W	Do-41	-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.5 v @ 1 a	1 µA @ 1 V		5.1 V	7 ohmios
SMBG5355B/TR13	2.2500	RFQ	2487	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-215AA, Ala de Gaviota de SMB	SMBG5355		5 W	SMBG (DO-215AA)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000					1.2 v @ 1 a	500 na @ 13 V		18 V	2.5 ohmios
Jans1n4133c-1	67.5450	RFQ	6754	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/435	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma	10 na @ 66.2 V		87 V	1000 ohmios
Jantx1n6353us	-	RFQ	9310	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/533	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SQ-Melf, B			500 MW	B, SQ-Melf	-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.4 v @ 1 a	50 na @ 122 V		151 V	1200 ohmios
1 PMT5937CE3/TR7	0.7350	RFQ	4855	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-216AA	1PMT5937		3 W	DO-216AA	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000					1.2 v @ 200 ma	1 µA @ 25.1 V		33 V	33 ohmios
Jantxv1n977d-1	13.2450	RFQ	3784	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/117	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N977		500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma	500 na @ 36 V		47 V	105 ohmios
Jantxv1n4099d-1	25.7550	RFQ	5965	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/435	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N4099		500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma	1 µA @ 5.2 V		6.8 V	200 ohmios
Jantxv1n3042dur-1/tr	50.5932	RFQ	4961	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/115	Tape & Reel (TR)	Activo	± 1%	-55 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AB, MELL (Vidrio)			1 W	DO-213AB (Melf, LL41)	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-JantXV1N3042DUR-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1					1.2 v @ 200 ma	10 µA @ 62.2 V		82 V	200 ohmios
Jantxv1n757cur-1	19.1700	RFQ	3250	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/127	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)	1N757		500 MW	DO-213AA	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma	1 µA @ 7 V		9.1 V	10 ohmios
1N2816B	94.8900	RFQ	1677	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	A-204AD	1N2816		50 W	TO-204AD (TO-3)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 10 A	10 µA @ 13.7 V		18 V	2 ohmios
SMBJ5354AE3/TR13	0.8100	RFQ	9288	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 10%	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-214AA, SMB	SMBJ5354		5 W	SMBJ (DO-214AA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000					1.2 v @ 1 a	500 na @ 12.2 V		17 V	2.5 ohmios
Jans1n6491d	-	RFQ	3669	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/406	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204al, do041, axial			1.5 W	Do-41	-			Alcanzar sin afectado	150-jans1n6491d	EAR99	8541.10.0050	50					1.5 v @ 1 a	500 na @ 2 V		5.6 V	5 ohmios
Jans1n4976dus	429.5200	RFQ	9448	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo									descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-jans1n4976dus	EAR99	8541.10.0050	1
1N4682/TR	4.1250	RFQ	4279	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204AA, do-7, axial			500 MW	Do-7	-			Alcanzar sin afectado	150-1N4682/TR	EAR99	8541.10.0050	230					1.5 V @ 100 Ma	1 µA @ 1 V		2.7 V
Jan1n750dur-1	14.2500	RFQ	2113	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/127	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)	1N750		500 MW	DO-213AA	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma	5 µA @ 1.5 V		4.7 V	19 ohmios
1N4116ur-1/TR	3.5245	RFQ	8877	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TA)	Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)			500 MW	DO-213AA	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-1N4116ur-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma	10 na @ 18.3 V		24 V	150 ohmios
CDLL5277D	8.4150	RFQ	8304	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 20%	-65 ° C ~ 200 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA				DO-213AA	-			Alcanzar sin afectado	150-CDLL5277D	EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma	100 na @ 116 V		160 V	1700 ohmios
Jankca1n4135d	-	RFQ	5575	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/435	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Morir			500 MW	Morir	-			Alcanzar sin afectado	150-jankca1n4135d	EAR99	8541.10.0050	100					1.1 V @ 200 Ma	10 na @ 76 V		100 V	1500 ohmios
CD5525	2.2950	RFQ	3308	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 20%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Morir			500 MW	Morir	-			Alcanzar sin afectado	150-CD5525	EAR99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 200 Ma	1 µA @ 5 V		6.2 V	30 ohmios
1N5360A/TR8	-	RFQ	9830	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 10%	-65 ° C ~ 150 ° C	A Través del Aguetero	T-18, axial	1N5360		5 W	T-18	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1,000					1.2 v @ 1 a	500 na @ 18 V		25 V	4 ohmios
Jantx1n4993dus	69.6900	RFQ	6413	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/356	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SQ-Melf, E			5 W	D-5B	-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.5 v @ 1 a	2 µA @ 228 V		300 V	950 ohmios
Jan1n5520cur-1	37.0200	RFQ	5028	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/437	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)	1N5520		500 MW	DO-213AA	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma	1 µA @ 1 V		3.9 V	22 ohmios
Janhca1n4109	13.2734	RFQ	5143	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/435	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Morir			500 MW	Morir	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-JANHCA1N4109	EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma	50 na @ 11.4 V		15 V	100 ohmios
CD6640	0.9310	RFQ	5235	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo									-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-CD6640			1
Jantxv1n4131dur-1	36.0000	RFQ	3866	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/435	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)	1N4131		500 MW	DO-213AA	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma	10 na @ 57 V		75 V	700 ohmios
MBR3040CTE3/TU	1.1700	RFQ	2586	Tecnología de Microchip	-	Tubo	Activo			A Través del Aguetero	Un 220-3	MBR3040	Schottky		Un 220b	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	2,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	40 V	15A	700 MV @ 15 A	50 µA @ 40 V	-65 ° C ~ 150 ° C
UZ5756	32.2650	RFQ	1600	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	B, axial			5 W	B, axial	-			Alcanzar sin afectado	150-UZ5756	EAR99	8541.10.0050	1						5 µA @ 42.6 V		56 V	35 ohmios
Jantx1n977dur-1/tr	17.3964	RFQ	9978	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/117	Tape & Reel (TR)	Activo	± 1%	-55 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N977		500 MW	DO-35 (DO-204AH)	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-JantX1N977DUR-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma	500 na @ 36 V		47 V	105 ohmios
1N5935BPE3/TR12	0.9450	RFQ	7132	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	1N5935		1.5 W	DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	4.000					1.2 v @ 200 ma	1 µA @ 20.6 V		28 V	23 ohmios

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Diodos (34409)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²