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Diodos (34409)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 1N4684UR-1 | 5.0850 |  | 6491 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 1N4684 | 500 MW | DO-213AA | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 100 Ma | 7.5 µA @ 1.5 V | 3.3 V | ||||||||||
 | HSM340JE3/TR13 | 0.9450 | | 9151 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Tape & Reel (TR) | Activo | HSM340 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | |||||||||||||||||||
 | Jantxv1n3034c-1/tr | 33.8618 | | 8946 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/115 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1 W | Do-41 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantXV1N3034C-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µA @ 29.7 V | 39 V | 60 ohmios | ||||||||||
 | Jantx1n5525c-1 | 18.3750 | | 2690 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/437 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N5525 | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 1 µA @ 5 V | 6.2 V | 30 ohmios | |||||||||
 | Jan1n4956c | 14.9250 | | 6534 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/356 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | E, axial | 1N4956 | 5 W | E, axial | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 50 µA @ 6.2 V | 8.2 V | 1.5 ohmios | |||||||||
| Janhca1n4626d | - | | 6721 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Morir | 500 MW | Morir | - | Alcanzar sin afectado | 150-JANHCA1N4626D | EAR99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 µA @ 4 V | 5.6 V | 1400 ohmios | |||||||||||
 | UZ5750 | 32.2650 | | 1948 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | B, axial | 5 W | B, axial | - | Alcanzar sin afectado | 150-UZ5750 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 5 µA @ 38 V | 50 V | 25 ohmios | ||||||||||||
| 1N1373 | 44.3850 | | 4248 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 10% | - | Montaje | DO-203AA, DO-4, semento | 1N137 | 10 W | DO-203AA (DO-4) | - | Alcanzar sin afectado | 150-1N1373 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 82 V | 22 ohmios | ||||||||||||
 | Uz8114 | 22.4400 | | 2715 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | A, axial | 1 W | A, axial | - | Alcanzar sin afectado | 150-UZ8114 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 500 na @ 106 V | 140 V | 850 ohmios | ||||||||||||
| Jan1N4135-1 | 4.1400 | | 3205 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N4135 | DO-35 (DO-204AH) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 76 V | 100 V | 1600 ohmios | ||||||||||
| Jan1N5520C-1/TR | 12.6749 | | 8079 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/437 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-ENERO1N5520C-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 1 µA @ 1 V | 3.9 V | 22 ohmios | ||||||||||
 | 1N5371/TR12 | 2.6250 | | 6263 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 20% | -65 ° C ~ 150 ° C | A Través del Aguetero | T-18, axial | 1N5371 | 5 W | T-18 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.2 v @ 1 a | 500 na @ 43 V | 60 V | 40 ohmios | |||||||||
| Jantx1n4123d-1/tr | 15.1886 | | 9580 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantX1N4123D-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 29.7 V | 39 V | 200 ohmios | ||||||||||
| CDLL5994 | 2.2950 | | 4129 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Una granela | Activo | CDLL5994 | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||
| Jan1n4116dur-1 | 18.2400 | | 3574 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 1N4116 | DO-213AA | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 18.3 V | 24 V | 150 ohmios | ||||||||||
| 1N2989B | 36.9900 | | 4454 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje | DO-203AA, DO-4, semento | 1N2989 | 10 W | DO-203AA (DO-4) | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 2 a | 10 µA @ 22.8 V | 30 V | 8 ohmios | ||||||||||
| Jantx1n4127cur-1/tr | 21.7056 | | 2222 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantX1N4127CUR-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 42.6 V | 56 V | 300 ohmios | ||||||||||
| Jantxv1n4617dur-1/tr | 34.0081 | | 5568 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-jantxv1n4617dur-1/tr | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 1 µA @ 1 V | 2.4 V | 1.4 ohmios | ||||||||||
 | Jantx1n6313dus | 55.6050 | | 9592 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/533 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | 1N6313 | 500 MW | B, SQ-Melf | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 v @ 1 a | 3 µA @ 1 V | 3.6 V | 25 ohmios | ||||||||||
| Jankca1n5531d | - | | 9097 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/437 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | Alcanzar sin afectado | 150-jankca1n5531d | EAR99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.1 V @ 200 Ma | 50 na @ 9.9 V | 11 V | 80 ohmios | |||||||||||
| Jantxv1n4982cus | 40.8900 | | 9888 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/356 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | 5 W | E-Mada | - | Alcanzar sin afectado | 150-jantxv1n4982cus | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 2 µA @ 76 V | 100 V | 110 ohmios | |||||||||||
| CDLL4976 | 11.1450 | | 5610 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Una granela | Activo | - | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL4976 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||
| 1N1204R | 34.7100 | | 6432 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | Montaje | DO-203AA, DO-4, semento | 1N1204 | Polaridad Inversa Estándar | DO-4 (DO-203AA) | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.2 V @ 30 A | 10 µA @ 400 V | -65 ° C ~ 200 ° C | 12A | - | |||||||||
| Jantxv1n3346b | - | | 6152 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/358 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje | Do-203ab, do-5, semental | 50 W | Do-5 | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 10 A | 10 µA @ 114 V | 150 V | 75 ohmios | |||||||||||
| Jantx1n972c-1 | 5.6850 | | 6634 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/117 | Una granela | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N972 | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 500 na @ 23 V | 30 V | 49 ohmios | |||||||||
| 1N5928APE3/TR12 | 0.9150 | | 1254 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N5928 | 1.5 W | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 9.9 V | 13 V | 7 ohmios | |||||||||
 | Jankca1n5537b | - | | 4843 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/437 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | Do-35 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-jankca1n5537b | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 15.3 V | 17 V | 100 ohmios | ||||||||||
| Jan1n2844b | - | | 9644 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A-204AD | 1N2844 | 10 W | TO-204AD (TO-3) | - | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 2 a | 10 µA @ 121.6 V | 160 V | 80 ohmios | |||||||||||
| Jantx1n4483/tr | 7.5451 | | 1162 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/406 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204al, do041, axial | 1.5 W | Do-41 | - | Alcanzar sin afectado | 150-JantX1N4483/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 103 | 1.5 v @ 1 a | 250 na @ 44.8 V | 56 V | 70 ohmios | |||||||||||
 | 1N4148UB/TR | 23.5809 | | 8681 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | 3-SMD, sin Plomo | 1N4148 | Estándar | UB | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-1N4148UB/TR | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 75 V | 1.2 V @ 100 Ma | 20 ns | 500 na @ 75 V | -65 ° C ~ 200 ° C | 200 MMA | 4PF @ 0V, 1MHz |
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