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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
CDLL5230A | 2.8650 | ![]() | 6973 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Do-213ab, melf | CDLL5230 | 10 MW | DO-213AB | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 5 µA @ 2 V | 4.7 V | 19 ohmios | ||||||||||
![]() | Jantx1n3038bur-1/tr | 13.0739 | ![]() | 1303 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/115 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | 1 W | DO-213AB (Melf, LL41) | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantX1N3038Bur-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µA @ 42.6 V | 56 V | 110 ohmios | ||||||||||
![]() | MSASC150W100LX/TR | - | ![]() | 3013 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | Thinkey ™ 3 | Schottky, Polaridad Inversa | Thinkey ™ 3 | - | Alcanzar sin afectado | 150-MSASC150W100LX/TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 925 MV @ 150 A | 5 Ma @ 100 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 150a | - | ||||||||||
CDLL4742A | 3.3400 | ![]() | 204 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Do-213ab, melf | CDLL4742 | DO-213AB | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 9.1 V | 12 V | 9 ohmios | |||||||||||
![]() | 1N5365B/TR8 | 2.6850 | ![]() | 1745 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | A Través del Aguetero | T-18, axial | 1N5365 | 5 W | T-18 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1,000 | 1.2 v @ 1 a | 500 na @ 25.9 V | 36 V | 11 ohmios | |||||||||
![]() | Jantxv1n4474c | 31.6350 | ![]() | 3804 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/406 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N4474 | 1.5 W | Do-41 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 200 Ma | 50 na @ 19.2 V | 24 V | 16 ohmios | |||||||||
![]() | 1 PMT4114C/TR7 | 1.2450 | ![]() | 7302 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | PowerMite® | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-216AA | 1pmt4114 | 1 W | DO-216 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 15.2 V | 20 V | 150 ohmios | |||||||||
![]() | Jantxv1n6630u | 26.3700 | ![]() | 4442 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/590 | Una granela | Activo | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | Estándar | B, SQ-Melf | - | Alcanzar sin afectado | 150-jantxv1n6630u | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 990 V | 1.4 v @ 1.4 a | 60 ns | 2 µA @ 990 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 1.4a | 40pf @ 10V, 1 MHz | |||||||||
![]() | 1N4465C | 17.7000 | ![]() | 9961 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204al, do041, axial | 1.5 W | Do-41 | descascar | Alcanzar sin afectado | 150-1N4465C | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 300 na @ 8 V | 10 V | 5 ohmios | |||||||||||
![]() | 1N827AUR-1/TR | 10.4850 | ![]() | 8650 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-1N827AUR-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 6.2 V | 10 ohmios | |||||||||||
![]() | CDLL5259D | 8.4150 | ![]() | 9235 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA | 10 MW | DO-213AA | - | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL5259D | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 100 na @ 30 V | 39 V | 80 ohmios | |||||||||||
![]() | UZ5713 | 32.2650 | ![]() | 5643 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | B, axial | 5 W | B, axial | - | Alcanzar sin afectado | 150-UZ5713 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 25 µA @ 9.9 V | 13 V | 3 ohmios | ||||||||||||
![]() | Jans1n4119ur-1 | 48.9900 | ![]() | 8420 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TA) | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 500 MW | DO-213AA | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 21.3 V | 28 V | 200 ohmios | |||||||||||
![]() | Jantxv1n3050c-1 | - | ![]() | 6794 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||
![]() | CDS4150-1 | - | ![]() | 2259 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Una granela | Activo | - | Alcanzar sin afectado | 150-CDS4150-1 | 50 | |||||||||||||||||||||||
![]() | SMAJ5935AE3/TR13 | - | ![]() | 4344 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | Smaj5935 | 3 W | DO-214AC (SMAJ) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 20.6 V | 27 V | 23 ohmios | |||||||||
![]() | Jantx1n6761-1/tr | - | ![]() | 7859 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/586 | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | Schottky | Do-41 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantX1N6761-1/TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 690 MV @ 1 A | 100 µA @ 100 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 1A | 70pf @ 5V, 1MHz | |||||||||
![]() | Jan1n6635cus/tr | - | ![]() | 7285 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | MIL-PRF-19500/356 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SQ-Melf, E | 5 W | E-Mada | descascar | 150-Enero1n6635cus/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 25 µA @ 1 V | 4.3 V | 2 ohmios | ||||||||||||
![]() | CD647 | 2.3408 | ![]() | 1108 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | Morir | Estándar | Morir | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CD647 | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 480 V | 1 V @ 100 Ma | 50 na @ 400 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 400mA | 20pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||
![]() | Apt15d120 kg | 2.1800 | ![]() | 255 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Apt15d120 | Estándar | Un 220 [k] | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1200 V | 2.5 V @ 15 A | 260 ns | 250 µA @ 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 15A | - | |||||||
![]() | Jantx1n4565a-1/tr | 3.7500 | ![]() | 9734 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/452 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | Do-35 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantX1N4565A-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 6.4 V | 200 ohmios | |||||||||||
Jan1n4490dus | 33.4500 | ![]() | 4061 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/406 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Sq-melf, un | 1N4490 | 1.5 W | D-5A | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 200 Ma | 250 na @ 88 V | 110 V | 300 ohmios | ||||||||||
![]() | Jantx1n5552us/tr | 10.6050 | ![]() | 7228 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/420 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | Estándar | B, SQ-Melf | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantX1N5552US/TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.2 v @ 9 a | 2 µs | 1 µA @ 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 5A | - | ||||||||
![]() | Jantxv1n6858ur-1 | - | ![]() | 1942 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/444 | Una granela | Activo | Montaje en superficie | DO-213AA | 1N6858 | Schottky | DO-213AA | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 70 V | 650 MV @ 15 Ma | 200 na @ 50 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 75 Ma | 4.5pf @ 0V, 1 MHz | ||||||||
Jantxv1n4581a-1 | 7.2450 | ![]() | 6019 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/452 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N4581 | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 6.4 V | 25 ohmios | |||||||||||
![]() | 1N3001A | 36.9900 | ![]() | 1520 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Chasis, Soporte de semento | DO-203AA, DO-4, semento | 1N3001 | 10 W | DO-213AA | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 2 a | 10 µA @ 51.7 V | 68 V | 18 ohmios | |||||||||
![]() | 1N5920C | 6.0300 | ![]() | 6153 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | MIL-PRF-19500 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204al, do041, axial | 1N5920 | 1.25 W | Do-41 | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µA @ 4 V | 6.2 V | 2 ohmios | ||||||||||
![]() | 1N4489 | 9.5850 | ![]() | 3060 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | MIL-PRF-19500/406 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204al, do041, axial | 1N4489 | 1.5 W | Do-41 | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | 1N4489MS | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 250 na @ 80 V | 100 V | 250 ohmios | |||||||||
![]() | SMBJ5359CE3/TR13 | 1.0800 | ![]() | 3873 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | SMBJ5359 | 5 W | SMBJ (DO-214AA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.2 v @ 1 a | 500 na @ 17.3 V | 24 V | 3.5 ohmios | |||||||||
![]() | CDLL4918A/TR | 100.4850 | ![]() | 6690 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA | 500 MW | DO-213AA | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL4918A/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 15 µA @ 12 V | 19.2 V | 600 ohmios |
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