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Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Velocidad	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
Janhca1n4100d	-	RFQ	3722	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/435	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Morir			500 MW	Morir	-			Alcanzar sin afectado	150-JANHCA1N4100D	EAR99	8541.10.0050	100			1.1 V @ 200 Ma		10 µA @ 5.7 V				7.5 V	200 ohmios
UT252	9.3451	RFQ	9817	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			A Través del Aguetero	A, axial		Estándar		A, axial	-			Alcanzar sin afectado	150-UT252	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)	200 V	1 V @ 750 Ma		2 µA @ 200 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	-
1N4571E3	6.7050	RFQ	5515	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar			Alcanzar sin afectado	150-1N4571E3	EAR99	8541.10.0050	1					2 µA @ 3 V				6.4 V	100 ohmios
Jan1n6341dus	49.6800	RFQ	4748	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/533	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SQ-Melf, B			500 MW	B, SQ-Melf	-			Alcanzar sin afectado	150-Enero1n6341dus	EAR99	8541.10.0050	1			1.4 v @ 1 a		50 na @ 39 V				51 V	85 ohmios
Jan1n1614r	66.0750	RFQ	9673	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/162	Una granela	Activo			Chasis, Soporte de semento	DO-203AA, DO-4, semento	1N1614	Polaridad Inversa Estándar		DO-203AA (DO-4)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)	200 V	1.5 V @ 15 A		50 µA @ 200 V	-65 ° C ~ 150 ° C	15A	-
1N5263/TR	2.2950	RFQ	8402	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	-			Alcanzar sin afectado	150-1N5263/TR	EAR99	8541.10.0050	410			1.5 V @ 200 Ma		100 na @ 41 V				56 V	150 ohmios
Jantxv1n4580aur-1/tr	9.0600	RFQ	8824	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/452	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)			500 MW	DO-213AA	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-JantXV1N4580AUR-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1					2 µA @ 3 V				6.4 V	25 ohmios
Jans1n6330dus	527.5650	RFQ	4557	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/533	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SQ-Melf, B			500 MW	B, SQ-Melf	-			Alcanzar sin afectado	150-jans1n6330dus	EAR99	8541.10.0050	1			1.4 v @ 1 a		50 na @ 14 V				18 V	14 ohmios
Jantxv1n4102-1	9.0450	RFQ	4733	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/435	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N4102		500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		500 na @ 6.7 V				8.7 V	200 ohmios
CDLL5522D	16.2000	RFQ	3930	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DO-213AA			500 MW	DO-213AA	-			Alcanzar sin afectado	150-CDLL5522D	EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		2 µA @ 2 V				4.7 V	22 ohmios
SMBJ5375A/TR13	1.6350	RFQ	3492	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 10%	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-214AA, SMB	SMBJ5375		5 W	SMBJ (DO-214AA)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000			1.2 v @ 1 a		500 na @ 59 V				82 V	65 ohmios
Jans1n4123c-1/tr	63.1902	RFQ	8652	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/435	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-JANS1N4123C-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		10 na @ 29.7 V				39 V	200 ohmios
SMBG5373A/TR13	2.2200	RFQ	4676	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 10%	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-215AA, Ala de Gaviota de SMB	SMBG5373		5 W	SMBG (DO-215AA)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000			1.2 v @ 1 a		500 na @ 49 V				68 V	44 ohmios
1N5938D	8.2950	RFQ	3764	Tecnología de Microchip	MIL-PRF-19500	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204al, do041, axial	1N5938		1.25 W	Do-41	descascar	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.2 v @ 200 ma		1 µA @ 27.4 V				36 V	38 ohmios
1N4550A	53.5800	RFQ	5494	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje	Do-203ab, do-5, semental	1N4550		50 W	DO-5 (DO-203AB)	descascar	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 10 A		150 µA @ 500 MV				4.3 V	0.16 ohmios
UTR21	9.2550	RFQ	3483	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			A Través del Aguetero	A, axial		Estándar		A, axial	-			Alcanzar sin afectado	150-UTR21	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	200 V	1.1 V @ 500 Ma	250 ns	3 µA @ 200 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	80pf @ 0V, 1 MHz
CDLL973B	2.8650	RFQ	2152	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Do-213ab, melf	CDLL973		500 MW	DO-213AB	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		500 na @ 25 V				33 V	58 ohmios
Jantx1n4619c-1	13.6650	RFQ	7313	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/435	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N4619		500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					400 na @ 1 V				3 V	1600 ohmios
Jans1n4974dus	429.5200	RFQ	3575	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo									descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-jans1n4974dus	EAR99	8541.10.0050	1
Jantxv1n4981us	15.9750	RFQ	1304	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/356	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	SQ-Melf, E	1N4981		5 W	D-5B	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.5 v @ 1 a		2 µA @ 69.2 V				91 V	90 ohmios
Jan1n6620u	12.4800	RFQ	2464	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/585	Una granela	Activo			Montaje en superficie	Sq-melf, un	1N6620	Estándar		D-5A	-	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	200 V	1.4 V @ 1.2 A	30 ns	500 na @ 200 V	-65 ° C ~ 150 ° C	1.2a	-
Jans1n4135d-1/tr	94.7000	RFQ	1726	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/435	Tape & Reel (TR)	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-Jans1n4135d-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		10 na @ 76 V				100 V	1.5 ohmios
Jantx1n5419us	-	RFQ	3565	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/411	Una granela	Descontinuado en sic			Montaje en superficie	SQ-Melf, E		Estándar		D-5B	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	500 V	1.5 v @ 9 a	250 ns	1 µA @ 500 V	-65 ° C ~ 175 ° C	3A	-
CDLL4775A/TR	19.5150	RFQ	2000	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 100 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA			500 MW	DO-213AA	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-CDLL4775A/TR	EAR99	8541.10.0050	1					10 µA @ 6 V				8.5 V	200 ohmios
S3840	61.1550	RFQ	2665	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			Montaje	Do-203ab, do-5, semental		Estándar		DO-5 (DO-203AB)	-			Alcanzar sin afectado	150-S3840	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)	400 V	1.15 V @ 200 A		25 µA @ 400 V	-65 ° C ~ 200 ° C	100A	-
1N4757CP/TR8	2.2800	RFQ	3069	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	1N4757		1 W	DO-204Al (DO-41)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1.500			1.2 v @ 200 ma		5 µA @ 38.8 V				51 V	95 ohmios
CDLL5263A	2.9400	RFQ	7203	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Do-213ab, melf	CDLL5263		10 MW	DO-213AB	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		100 na @ 43 V				56 V	150 ohmios
CDLL5223D	8.4150	RFQ	9198	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA			10 MW	DO-213AA	-			Alcanzar sin afectado	150-CDLL5223D	EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		75 µA @ 1 V				2.7 V	30 ohmios
1N5543d	5.6850	RFQ	9588	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	-			Alcanzar sin afectado	150-1N5543d	EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		10 na @ 22.4 V				25 V	100 ohmios
CDLL5265C	6.7200	RFQ	3429	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA			10 MW	DO-213AA	-			Alcanzar sin afectado	150-CDLL5265C	EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		100 na @ 47 V				62 V	185 ohmios

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Diodos (34409)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²