RFQ
Proseperar
Contáctenos

Tel: +86-0755-83501315

Correo electrónico:sales@sic-components.com

Iniciar sesión

Español

Diodos (34409)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Velocidad	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Tipo de diodo	Voltaje - Reverso Máximo (Max)	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)	Resistencia @ if, f
Jans1n6338cus	412.1550	RFQ	9094	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/533	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SQ-Melf, B			500 MW	B, SQ-Melf	-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.4 v @ 1 a		50 na @ 30 V						39 V	55 ohmios
1N5994D	5.2500	RFQ	3044	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N5994		500 MW	Do-35	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		2 µA @ 3 V						5.6 V	25 ohmios
1N5281BUR-1/TR	5.3400	RFQ	2250	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DO-213AA			500 MW	DO-213AA	-					EAR99	8541.10.0050	182			1.1 V @ 200 Ma		100 na @ 152 V						200 V	2500 ohmios
1N3523A	2.4900	RFQ	1700	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N3523		500 MW	Do-35	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma								16 V	16 ohmios
Jantxv1n4130cur-1	28.8000	RFQ	4735	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/435	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)	1N4130		500 MW	DO-213AA	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		10 na @ 51.7 V						68 V	700 ohmios
Jantx1n6324dus	57.9000	RFQ	4116	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/533	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	SQ-Melf, B	1N6324		500 MW	B, SQ-Melf	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.4 v @ 1 a		1 µA @ 8 V						10 V	6 ohmios
CDLL4624D	8.5050	RFQ	5761	Tecnología de Microchip	-	Bolsa	Activo	-	-	-	-	CDLL4624			-	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	CDLL4624DMS	EAR99	8541.10.0050	1
Jan1n4469	6.1500	RFQ	2273	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	1N4469		1.5 W	DO-204Al (DO-41)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.5 v @ 1 a		50 na @ 12 V						15 V	9 ohmios
1N3892A	44.4750	RFQ	1295	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			Montaje	DO-203AA, DO-4, semento	1N3892	Estándar		DO-4 (DO-203AA)	descascar	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	300 V	1.5 V @ 38 A	150 ns	10 µA @ 300 V	-65 ° C ~ 175 ° C	20A	115pf @ 10V, 1 MHz
MSD7804	-	RFQ	1763	Tecnología de Microchip	-	Banda	Activo		-55 ° C ~ 125 ° C		Morir				Morir	-			Alcanzar sin afectado	150-MSD7804			1								-	PIN - Single	18V			-
Jans1n6490c	-	RFQ	9025	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/406	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial			1.5 W	Do-41	-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.5 v @ 1 a		1 µA @ 1 V						5.1 V	7 ohmios
1N3913A	48.5400	RFQ	8391	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			Montaje	Do-203ab, do-5, semental	1N3913	Estándar		DO-203AB (DO-5)	descascar	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	400 V	1.4 V @ 50 A	150 ns	15 µA @ 400 V	-65 ° C ~ 150 ° C	50A	-
1 PMT5928E3/TR7	0.7350	RFQ	6390	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 20%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-216AA	1pmt5928		3 W	DO-216AA	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000			1.2 v @ 200 ma		1 µA @ 9.9 V						13 V	7 ohmios
Jantx1n6355cus	-	RFQ	1721	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/533	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SQ-Melf, B			500 MW	B, SQ-Melf	-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.4 v @ 1 a		50 na @ 152 V						200 V	1800 ohmios
1N3513A	2.4900	RFQ	1431	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N3513		400 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma								6.2 V	3 ohmios
1N5276Be3	3.3450	RFQ	5334	Tecnología de Microchip	-	Bolsa	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N5276		500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	1N5276BE3MS	EAR99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 200 Ma		100 na @ 114 V						150 V	1500 ohmios
Jan1N5520CUR-1/TR	32.9574	RFQ	9196	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/437	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)			500 MW	DO-213AA	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-ENERO1N5520CUR-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		1 µA @ 1 V						3.9 V	22 ohmios
CDS3021B-1	-	RFQ	6689	Tecnología de Microchip	*	Una granela	Activo									-			Alcanzar sin afectado	150-CDS3021B-1	EAR99	8541.10.0050	50
Jans1n4127dur-1/tr	138.9200	RFQ	5368	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/435	Tape & Reel (TR)	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)			500 MW	DO-213AA	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-jans1n4127dur-1/tr	EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		10 na @ 42.6 V						56 V	300 ohmios
1N5936B	6.4050	RFQ	7683	Tecnología de Microchip	MIL-PRF-19500	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204al, do041, axial	1N5936		1.25 W	Do-41	descascar	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado	1N5936bms	EAR99	8541.10.0050	1			1.2 v @ 200 ma		1 µA @ 22.8 V						30 V	28 ohmios
Jantxv1n979dur-1	24.2250	RFQ	4111	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/117	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)	1N979		500 MW	DO-213AA	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		500 na @ 43 V						56 V	150 ohmios
Jan1n2973rb	-	RFQ	6525	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/124	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje	DO-203AA, DO-4, semento			10 W	DO-213AA (DO-4)	-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.5 v @ 2 a		25 µA @ 6.9 V						9.1 V	2 ohmios
Jan1N755A-1	2.0550	RFQ	4347	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/127	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	-			Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		2 µA @ 5 V						7.5 V	4 ohmios
1N4575-1	4.0650	RFQ	9143	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N4575		500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					2 µA @ 3 V						6.4 V	50 ohmios
Jantxv1n6486us/tr	-	RFQ	8058	Tecnología de Microchip	MIL-PRF-19500/406	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Sq-melf, un			1.5 W	D-5A	descascar				150-jantxv1n6486us/tr	EAR99	8541.10.0050	1			1.5 v @ 1 a		50 µA @ 1 V						3.6 V	10 ohmios
Jantxv1n4370-1	4.5900	RFQ	8736	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/127	Una granela	Activo	-	-	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N4370		500 MW	Do-35	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					100 µA @ 1 V						2.4 V	30 ohmios
Jantxv1n969c-1/tr	8.0332	RFQ	3968	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/117	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-JantXV1N969C-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		500 na @ 17 V						22 V	29 ohmios
1N3306B	49.3800	RFQ	9073	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Chasis, Soporte de semento	Do-203ab, do-5, semental	1N3306		50 W	Do-5	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 10 A		125 µA @ 5 V						7.5 V	0.3 ohmios
Jantx1n4370a-1/tr	4.0033	RFQ	2509	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/127	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	Do-35	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-JantX1N4370A-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		100 µA @ 1 V						2.4 V	30 ohmios
1N5368B/TR12	2.6850	RFQ	3860	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	A Través del Aguetero	T-18, axial	1N5368		5 W	T-18	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000			1.2 v @ 1 a		500 na @ 33.8 V						47 V	25 ohmios

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Diodos (34409)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²