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Diodos (34409)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Velocidad	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
1N4112ur	3.7950	RFQ	6126	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)	1N4112		500 MW	DO-213AA	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		50 na @ 13.67 V				18 V	100 ohmios
Jantx1n3291	-	RFQ	4845	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/246	Una granela	Activo			Chasis, Soporte de semento	DO-205AA, DO-8, Semento		Estándar		DO-205AA (DO-8)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad		400 V		1.55 V @ 310 A		10 Ma @ 400 V	-65 ° C ~ 200 ° C	100A	-
Smaj5940e3/tr13	0.6450	RFQ	7570	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 20%	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	Smaj5940		3 W	DO-214AC (SMAJ)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	7,500					1.2 v @ 200 ma		1 µA @ 32.7 V				43 V	53 ohmios
Jantx1n2810rb	-	RFQ	9800	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/114	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	A-204AD	1N2810		10 W	TO-204AD (TO-3)	-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.5 v @ 2 a		10 µA @ 9.1 V				12 V	1 ohmios
1N5805	-	RFQ	9962	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Descontinuado en sic			A Través del Aguetero	A, axial		Estándar		A, axial	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		125 V		875 MV @ 1 A	25 ns	1 µA @ 125 V	-65 ° C ~ 125 ° C	1A	25pf @ 10V, 1 MHz
1N2973RB	40.3200	RFQ	4542	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Chasis, Soporte de semento	DO-203AA, DO-4, semento	1N2973		10 W	DO-213AA	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.5 v @ 2 a		25 µA @ 6.9 V				9.1 V	2 ohmios
Jan1n5807	-	RFQ	6249	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/477	Una granela	Descontinuado en sic			A Través del Aguetero	B, axial		Estándar		B, axial	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		50 V		875 MV @ 4 A	30 ns	5 µA @ 50 V	-65 ° C ~ 175 ° C	6A	60pf @ 10V, 1 MHz
MBR20150CTE3/TU	1.1700	RFQ	6023	Tecnología de Microchip	*	Tubo	Activo					MBR20150				-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	2,000
1N6007ur	3.5850	RFQ	10000	Tecnología de Microchip	*	Una granela	Activo					1N6007				-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1
Jan1n3031cur-1/TR	29.0339	RFQ	2843	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/115	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-55 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AB, MELL (Vidrio)			1 W	DO-213AB (Melf, LL41)	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-Enero1n3031cur-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1					1.2 v @ 200 ma		10 µA @ 22.8 V				30 V	40 ohmios
CD963B	1.5029	RFQ	9583	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Morir			500 MW	Morir	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-CD963B	EAR99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 200 Ma		1 µA @ 9.1 V				12 V	11.5 ohmios
1N3334RB	49.3800	RFQ	7176	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Chasis, Soporte de semento	Do-203ab, do-5, semental	1N3334		50 W	Do-5	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 10 A		10 µA @ 42.6 V				56 V	6 ohmios
Jan1N3045C-1/TR	15.5078	RFQ	8389	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/115	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-55 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial			1 W	Do-41	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-ENERO1N3045C-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1					1.2 v @ 200 ma		10 µA @ 83.6 V				110 V	450 ohmios
1N971B	4.1250	RFQ	7121	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AA, do-7, axial	1N971		500 MW	Do-7	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	1N971bms	EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		5 µA @ 20.6 V				27 V	41 ohmios
Jantx1n6767	-	RFQ	1802	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			A Través del Aguetero	TO-254-3, TO-254AA (CLIENTES POTENCADES RECTOS)		Estándar		Un 254	-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		600 V		1.55 V @ 12 A	60 ns	10 µA @ 480 V	-	12A	300pf @ 5V, 1MHz
CDLL6675	2.5800	RFQ	5729	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			Montaje en superficie	DO-213AA	CDLL6675	Schottky		DO-213AA	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	1	Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad		20 V		500 MV @ 200 Ma		5 µA @ 20 V	-65 ° C ~ 125 ° C	200 MMA	50pf @ 0v, 1 MHz
Jantx1n4573a-1/tr	11.3850	RFQ	3956	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/452	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-JantX1N4573A-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1							2 µA @ 3 V				3 V	100 ohmios
1N962A/TR	2.0083	RFQ	7777	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AA, do-7, axial			500 MW	Do-7	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-1N962A/TR	EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		5 µA @ 8.4 V				11 V	9.5 ohmios
1N4995	37.2600	RFQ	5682	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	E, axial			5 W	E, axial	-			Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.5 v @ 1 a		2 µA @ 274 V				360 V	1400 ohmios
1N987B	-	RFQ	3058	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Descontinuado en sic	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AA, do-7, axial			500 MW	Do-7	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		5 µA @ 91.2 V				120 V	900 ohmios
APT2X30DQ120J	19.4600	RFQ	3538	Tecnología de Microchip	-	Tubo	Activo			Monte del Chasis	SOT-227-4, Miniócrita	Apt2x30	Estándar		ISOTOP®	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	2 Independientes	1200 V	30A	3.1 V @ 30 A	300 ns	100 µA @ 1200 V
Jan1n6330us/tr	13.2000	RFQ	3505	Tecnología de Microchip	MIL-PRF-19500/533	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SQ-Melf, B			500 MW	B, SQ-Melf	-				150-Enero1n6330us/TR	EAR99	8541.10.0050	100					1.4 v @ 1 a		50 na @ 14 V				18 V	14 ohmios
CDLL754	2.8650	RFQ	1914	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Do-213ab, melf	CDLL754		500 MW	DO-213AB	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		2 µA @ 4 V				6.8 V	5 ohmios
CDLL5532	6.4800	RFQ	2166	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 20%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Do-213ab, melf	CDLL5532		500 MW	DO-213AB	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		50 na @ 9.5 V				12 V	90 ohmios
1N4153-1	1.2800	RFQ	793	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N4153	Estándar		Do-35	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	1	Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad		50 V		880 MV @ 20 Ma	4 ns	50 na @ 50 V	-65 ° C ~ 175 ° C	150 Ma	-
Jan1N753D-1/TR	5.8919	RFQ	6817	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/127	Tape & Reel (TR)	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-ENERO1N753D-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		5 µA @ 3.5 V				6.2 V	7 ohmios
1N4148ub	26.4150	RFQ	4091	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			Montaje en superficie	3-SMD, sin Plomo	1N4148	Estándar		UB	descascar	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	1	Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad		75 V		1.2 V @ 100 Ma	5 ns	500 na @ 75 V	-65 ° C ~ 200 ° C	200 MMA	4PF @ 0V, 1MHz
1N5947Bur-1	4.5300	RFQ	6913	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Do-213ab, melf	1N5947		1.25 W	DO-213AB	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.2 v @ 200 ma		1 µA @ 62.2 V				82 V	160 ohmios
Jankca1n5524b	-	RFQ	2954	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/437	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-jankca1n5524b	EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		2 µA @ 3.5 V				5.6 V	30 ohmios
Jan1n3911ar	-	RFQ	3456	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/308	Una granela	Activo			Montaje	Do-203ab, do-5, semental		Estándar		Do-5	-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		200 V		1.4 V @ 50 A	150 ns		-65 ° C ~ 150 ° C	50A	-

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Diodos (34409)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²