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Diodos (34409)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Velocidad	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
Jantx1n6486dus/tr	-	RFQ	9429	Tecnología de Microchip	MIL-PRF-19500/406	Tape & Reel (TR)	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Sq-melf, un			1.5 W	D-5A	descascar				150-Jantx1n6486dus/TR	EAR99	8541.10.0050	1					1.5 v @ 1 a		50 µA @ 1 V				3.6 V	10 ohmios
1N4105DUR-1	9.4800	RFQ	2230	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)			500 MW	DO-213AA	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		50 na @ 8.5 V				11 V	200 ohmios
CD4681D	10.3950	RFQ	1119	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Morir			500 MW	Morir	-			Alcanzar sin afectado	150-CD4681D	EAR99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 200 Ma		2 µA @ 1 V				2.4 V
Jantxv1n6772	-	RFQ	6451	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			A Través del Aguetero	Un 257-3		Estándar		Un 257	-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		400 V		1.6 v @ 8 a	60 ns	10 µA @ 320 V	-	8A	200pf @ 5V, 1MHz
1 PMT4125CE3/TR13	0.4950	RFQ	4894	Tecnología de Microchip	PowerMite®	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-216AA	1pmt4125		1 W	DO-216	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	12,000					1.1 V @ 200 Ma		10 na @ 35.75 V				47 V	250 ohmios
Jan1n6631us	19.1850	RFQ	3785	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/590	Una granela	Activo			Montaje en superficie	SQ-Melf, E	1N6631	Estándar		D-5B	-	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		1100 V		1.6 V @ 1.4 A	60 ns	4 µA @ 1100 V	-65 ° C ~ 150 ° C	1.4a	40pf @ 10V, 1 MHz
1N4153ur/TR	1.7000	RFQ	1480	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo									-							610
Jantxv1n4995	-	RFQ	2182	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/356	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	E, axial	1N4995		5 W	E, axial	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.5 v @ 1 a		2 µA @ 274 V				360 V	1400 ohmios
Jantx1n4572aur-1	-	RFQ	2044	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/452	Una granela	Descontinuado en sic	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA			500 MW	DO-213AA	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1							2 µA @ 3 V				3 V	100 ohmios
1N4717	3.9300	RFQ	8205	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AA, do-7, axial	1N4717		500 MW	Do-7	descascar	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		10 na @ 32.6 V				43 V
S42140	102.2400	RFQ	9693	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			Montaje	DO-205AA, DO-8, Semento		Estándar		DO-205AA (DO-8)	-			Alcanzar sin afectado	150-S42140	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		1400 V		1.2 v @ 200 a		50 µA @ 1400 V	-65 ° C ~ 200 ° C	125a	-
Jan1n4107Cur-1	14.5650	RFQ	8325	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/435	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)	1N4107			DO-213AA	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		50 na @ 9.9 V				13 V	200 ohmios
1N5997ur-1	3.5850	RFQ	6831	Tecnología de Microchip	*	Una granela	Activo					1N5997				-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1
Jan1n6346dus/tr	49.8300	RFQ	3987	Tecnología de Microchip	MIL-PRF-19500/533	Tape & Reel (TR)	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SQ-Melf, B			500 MW	B, SQ-Melf	-				150-ENERO1N6346DUS/TR	EAR99	8541.10.0050	100					1.4 v @ 1 a		50 na @ 62 V				82 V	220 ohmios
1N714	2.7150	RFQ	7193	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 10%	-	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N714		250 MW	Do-35	-	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1											10 V	8 ohmios
Jantx1n6325us	18.2700	RFQ	9376	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/533	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	SQ-Melf, B	1N6325		500 MW	B, SQ-Melf	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.4 v @ 1 a		1 µA @ 8.5 V				11 V	7 ohmios
S3140	49.0050	RFQ	8439	Tecnología de Microchip	*	Una granela	Activo									-			Alcanzar sin afectado	150-S3140			1
1N458A	2.0700	RFQ	5440	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N458	Estándar		DO-35 (DO-204AH)	descascar	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado	1N458ams	EAR99	8541.10.0050	1	Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad		150 V		1 V @ 100 Ma		1 µA @ 150 V	-65 ° C ~ 150 ° C	150 Ma	-
Jantxv1n4133-1	9.0450	RFQ	2785	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/435	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N4133		500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		10 na @ 66.2 V				87 V	1000 ohmios
SMBG5343CE3/TR13	1.4400	RFQ	3983	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-215AA, Ala de Gaviota de SMB	SMBG5343		5 W	SMBG (DO-215AA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000					1.2 v @ 1 a		10 µA @ 5.4 V				7.5 V	1.5 ohmios
1N6023B	2.0700	RFQ	7690	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N6023		500 MW	Do-35	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		100 na @ 69 V				91 V	300 ohmios
Jantx1n972bur-1/tr	5.5328	RFQ	7975	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/117	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-Jantx1n972bur-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		500 na @ 23 V				30 V	49 ohmios
Apt2x30d60j	20.8000	RFQ	5403	Tecnología de Microchip	-	Tubo	Activo			Monte del Chasis	SOT-227-4, Miniócrita	Apt2x30	Estándar		ISOTOP®	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	2 Independientes	600 V	30A	1.8 V @ 30 A	85 ns	250 µA @ 600 V
Jan1n3650	-	RFQ	7997	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/260	Una granela	Activo			Montaje	DO-203AA, DO-4, semento		Estándar		DO-203AA (DO-4)	descascar	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		1000 V		2.2 v @ 10 a		5 µA @ 1000 V	-	3.3a	-
Jans1n4979us/tr	86.0502	RFQ	9148	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/356	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SQ-Melf, E			5 W	D-5B	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-jans1n4979us/tr	EAR99	8541.10.0050	1					1.5 v @ 1 a		2 µA @ 56 V				75 V	55 ohmios
CDS757A-1	-	RFQ	8743	Tecnología de Microchip	*	Una granela	Activo									-			Alcanzar sin afectado	150-CDS757A-1	EAR99	8541.10.0050	50
Jan1n982dur-1	14.2500	RFQ	5787	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/117	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)	1N982		500 MW	DO-213AA	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		500 na @ 56 V				75 V	270 ohmios
Jantx1n3823d-1	27.4650	RFQ	2894	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/115	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	1N3823		1 W	Do-41	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.2 v @ 200 ma		25 µA @ 1 V				3.9 V	9 ohmios
CDS3034B-1	-	RFQ	3200	Tecnología de Microchip	*	Una granela	Activo									-			Alcanzar sin afectado	150-CDS3034B-1	EAR99	8541.10.0050	50
Jans1n4114ur-1	48.9900	RFQ	1214	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/435	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TA)	Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)			500 MW	DO-213AA	-			Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		10 na @ 15.2 V				20 V	150 ohmios

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Diodos (34409)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²