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Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Velocidad	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
CDLL5272C	6.7200	RFQ	4241	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA			10 MW	DO-213AA	-			Alcanzar sin afectado	150-CDLL5272C	EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		100 na @ 84 V				110 V	750 ohmios
CDLL4736/TR	3.2319	RFQ	3134	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Do-213ab, melf				DO-213AB	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-CDLL4736/TR	EAR99	8541.10.0050	1			1.2 v @ 200 ma		3 µA @ 4 V				6.8 V	3.5 ohmios
1N4746UR-1	3.4650	RFQ	5130	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AB, MELL (Vidrio)			1 W	DO-213AB (Melf, LL41)	-			Alcanzar sin afectado	150-1N4746UR-1	EAR99	8541.10.0050	1			1.2 v @ 200 ma		5 µA @ 13.7 V				18 V	20 ohmios
Jantx1n6764r	-	RFQ	9747	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			A Través del Aguetero	TO-254-3, TO-254AA (CLIENTES POTENCADES RECTOS)		Estándar		Un 254	-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	150 V	1.05 v @ 12 a	35 ns	10 µA @ 200 V	-	12A	300pf @ 5V, 1MHz
1N4528R	44.3850	RFQ	4158	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo									descascar			Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1
Jantx1n3826d-1	27.4650	RFQ	3292	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/115	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	1N3826		1 W	Do-41	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.2 v @ 200 ma		3 µA @ 1 V				5.1 V	7 ohmios
Jantxv1n4550b	-	RFQ	8499	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/358	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje	Do-203ab, do-5, semental			50 W	Do-5	-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 10 A		150 µA @ 500 MV				4.3 V	0.16 ohmios
1 PMT5947/TR7	2.2200	RFQ	3028	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 20%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-216AA	1pmt5947		3 W	DO-216AA	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000			1.2 v @ 200 ma		1 µA @ 62.2 V				82 V	160 ohmios
1N5368C/TR12	3.3900	RFQ	6250	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C	A Través del Aguetero	T-18, axial	1N5368		5 W	T-18	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000			1.2 v @ 1 a		500 na @ 33.8 V				47 V	25 ohmios
Jantxv1n753a-1	5.3000	RFQ	5	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/127	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N753		500 MW	Do-35	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		5 µA @ 3.5 V				6.2 V	3 ohmios
CD6491	2.1014	RFQ	3621	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	-	-	Montaje en superficie	Morir				Morir	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-CD6491	EAR99	8541.10.0050	1
1N5523/TR	1.9950	RFQ	1206	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 20%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	-			Alcanzar sin afectado	150-1N5523/TR	EAR99	8541.10.0050	477			1.1 V @ 200 Ma		2 µA @ 2 V				5.1 V
CDLL825AE3	6.0300	RFQ	3471	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 4.84%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA			500 MW	DO-213AA	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-CDLL825AE3	EAR99	8541.10.0050	1					2 µA @ 3 V				6.2 V	10 ohmios
Jantx1n5620/tr	6.0750	RFQ	4385	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/427	Tape & Reel (TR)	Activo			A Través del Aguetero	A, axial		Estándar		A, axial	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-JantX1N5620/TR	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)	800 V	1.3 V @ 3 A	2 µs	500 na @ 800 V	-65 ° C ~ 200 ° C	1A	-
Jans1n4480c	207.1050	RFQ	4496	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/406	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial			1.5 W	Do-41	-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.5 v @ 1 a		50 na @ 34.4 V				43 V	40 ohmios
Jantx1n3018d-1/tr	28.4620	RFQ	8540	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/115	Tape & Reel (TR)	Activo	± 1%	-55 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial			1 W	Do-41	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-JantX1N3018D-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1			1.2 v @ 200 ma		50 µA @ 6.2 V				8.2 V	4.5 ohmios
Jan1n633336d	49.5300	RFQ	7585	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/533	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	-			Alcanzar sin afectado	150-Enero1n6336d	EAR99	8541.10.0050	1			1.4 v @ 1 a		50 na @ 25 V				33 V	40 ohmios
Jan1n4992cus	37.3500	RFQ	5372	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/356	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SQ-Melf, E			5 W	D-5B	-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.5 v @ 1 a		2 µA @ 206 V				270 V	800 ohmios
Jantx1n5528bur-1	14.8950	RFQ	8417	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/437	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DO-213AA			500 MW	DO-213AA	-			Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		500 na @ 7.5 V				8.2 V	40 ohmios
Jan1n4494d	25.4550	RFQ	4600	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/406	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	1N4494		1.5 W	Do-41	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1 V @ 200 Ma		250 na @ 128 V				160 V	1000 ohmios
Jantxv1n3600	8.1000	RFQ	9790	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/231	Una granela	Activo			A Través del Aguetero	Do-204AA, do-7, axial	1N3600	-		Do-7	descascar	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	1	Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad	50 V	1 V @ 200 Ma	4 ns	100 na @ 50 V	-65 ° C ~ 175 ° C	200 MMA	-
Jan1n6770r	-	RFQ	4455	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			A Través del Aguetero	Un 257-3		Estándar		Un 257	-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	150 V	1.06 v @ 8 a	35 ns	10 µA @ 120 V	-	8A	150pf @ 5V, 1 MHz
Jantx1n5545bur-1	-	RFQ	5491	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/437	Una granela	Descontinuado en sic	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)			500 MW	DO-213AA	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		10 na @ 27 V				30 V	100 ohmios
CDLL4923/TR	23.8200	RFQ	3902	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 100 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA			500 MW	DO-213AA	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-CDLL4923/TR	EAR99	8541.10.0050	1					15 µA @ 12 V				19.2 V	150 ohmios
Jan1n3018bur-1/TR	11.4247	RFQ	4152	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/115	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AB, MELL (Vidrio)			1 W	DO-213AB (Melf, LL41)	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-ENERO1N3018BUR-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1			1.2 v @ 200 ma		150 µA @ 5.2 V				8.2 V	4.5 ohmios
1N1345C	45.3600	RFQ	5802	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			Montaje	DO-203AA, DO-4, semento	1N1345	Estándar		DO-4 (DO-203AA)	descascar	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)	300 V	1.3 V @ 30 A		10 µA @ 300 V	-65 ° C ~ 200 ° C	16A	-
1N1203ar	34.7100	RFQ	9608	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			Montaje	DO-203AA, DO-4, semento	1N1203	Polaridad Inversa Estándar		DO-4 (DO-203AA)	descascar	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)	300 V	1.2 V @ 30 A		10 µA @ 300 V	-65 ° C ~ 200 ° C	12A	-
Jantx1n5802us/tr	17.4750	RFQ	1491	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/477	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	Sq-melf, un		Estándar		D-5A	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	150-JantX1N5802US/TR	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	50 V	875 MV @ 1 A	25 ns	1 µA @ 50 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	25pf @ 10V, 1 MHz
1N961A	2.1000	RFQ	2880	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AA, do-7, axial	1N961		500 MW	Do-7	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		10 µA @ 7.6 V				10 V	8.5 ohmios
1N5367/TR12	2.6250	RFQ	2374	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 20%	-65 ° C ~ 150 ° C	A Través del Aguetero	T-18, axial	1N5367		5 W	T-18	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000			1.2 v @ 1 a		500 na @ 31 V				43 V	20 ohmios

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Diodos (34409)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²