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Diodos (34409)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Velocidad	Disipacia de Potencia (Max)	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Tipo de diodo	Voltaje - Reverso Máximo (Max)	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)	Resistencia @ if, f
UPS540/TR13	1.4400	RFQ	2011	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-216AA	UPS540	Schottky		Powermite	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	5,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)			40 V		540 MV @ 5 A		500 µA @ 40 V	-55 ° C ~ 125 ° C	5A	250pf @ 4V, 1 MHz
1N4976US/TR	9.6200	RFQ	5855	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SQ-Melf, B			5 W	E-Mada	-					EAR99	8541.10.0050	101						1.5 v @ 1 a		2 µA @ 42.6 V						56 V	35 ohmios
1N4926A/TR	85.5000	RFQ	3372	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 100 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	Do-35	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-1N4926A/TR	EAR99	8541.10.0050	1														19.2 V	75 ohmios
1N4474C	17.7000	RFQ	8570	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204al, do041, axial			1.5 W	Do-41	descascar			Alcanzar sin afectado	150-1N4474C	EAR99	8541.10.0050	1						1.5 v @ 1 a		50 na @ 19.2 V						24 V	16 ohmios
Jantxv1n7043cat1	218.3550	RFQ	8367	Tecnología de Microchip	MIL-PRF-19500/730	Una granela	Activo			A Través del Aguetero	Un 254-3, un 254AA	1N7043	Schottky		Un 254AA	descascar	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		1 par Ánodo Común	100 V	35a	1.3 V @ 35 A		500 µA @ 100 V	-65 ° C ~ 150 ° C
CDLL5938D/TR	10.9326	RFQ	8836	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Do-213ab, melf			1.25 W	DO-213AB	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-CDLL5938D/TR	EAR99	8541.10.0050	1						1.2 v @ 200 ma		1 µA @ 27.4 V						36 V	38 ohmios
Jan1n3823aur-1/TR	12.4355	RFQ	7708	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/115	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AB, MELL (Vidrio)			1 W	DO-213AB (Melf, LL41)	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-Enero1n3823aur-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1						1.2 v @ 200 ma		25 µA @ 1 V						3.9 V	9 ohmios
Jantxv1n4489cus	45.1350	RFQ	3740	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/406	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Sq-melf, un			1.5 W	D-5A	-			Alcanzar sin afectado	150-jantxv1n4489cus	EAR99	8541.10.0050	1						1.5 v @ 1 a		250 na @ 80 V						100 V	250 ohmios
Jan1n4624cur-1	16.7700	RFQ	6010	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/435	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)	1N4624		500 MW	DO-213AA	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1						1.1 V @ 200 Ma		5 µA @ 3 V						4.7 V	1550 ohmios
1N3524A	2.4900	RFQ	3962	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N3524		500 MW	Do-35	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1						1.1 V @ 200 Ma								18 V	18 ohmios
Jantxv1n4579aur-1/tr	39.4650	RFQ	9835	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/452	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)			500 MW	DO-213AA	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-jantxv1n4579aur-1/tr	EAR99	8541.10.0050	1								2 µA @ 3 V						6.4 V	50 ohmios
1N5538	1.8150	RFQ	2732	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 20%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	-			Alcanzar sin afectado	150-1N5538	EAR99	8541.10.0050	1						1.1 V @ 200 Ma		10 na @ 15 V						18 V
1 PMT4106C/TR13	1.2450	RFQ	6709	Tecnología de Microchip	PowerMite®	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-216AA	1pmt4106		1 W	DO-216	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	12,000						1.1 V @ 200 Ma		50 na @ 9.12 V						12 V	200 ohmios
Jan1n4575aur-1	5.2200	RFQ	1095	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/452	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)	1N4575		500 MW	DO-213AA	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1								2 µA @ 3 V						6.4 V	50 ohmios
GC4721-01	-	RFQ	7974	Tecnología de Microchip	-	Banda	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C		Morir				Chip	-			Alcanzar sin afectado	150-GC4721-01	EAR99	8541.10.0040	1		5 W									0.15pf @ 6V, 1MHz	PIN - Single	120V			1.5ohm @ 10mA, 100MHz
SMBG5340CE3/TR13	1.4400	RFQ	5383	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-215AA, Ala de Gaviota de SMB	SMBG5340		5 W	SMBG (DO-215AA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000						1.2 v @ 1 a		1 µA @ 3 V						6 V	1 ohmios
Jantxv1n3997a	-	RFQ	7059	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/124	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje	DO-203AA, DO-4, semento			10 W	DO-213AA (DO-4)	-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1						1.5 v @ 2 a		10 µA @ 1 V						5.6 V	1 ohmios
1N4592TS	102.2400	RFQ	9370	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			Montaje	DO-205AA, DO-8, Semento		Estándar		DO-205AA (DO-8)	descascar			Alcanzar sin afectado	150-1N4592TS	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)			600 V		1.1 v @ 200 a		50 µA @ 600 V	-65 ° C ~ 200 ° C	150a	-
Jans1n6311cus/tr	516.6900	RFQ	5363	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/533	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SQ-Melf, B	1N6311		500 MW	B, SQ-Melf	descascar	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	50						1.4 v @ 1 a		30 µA @ 1 V						3 V	29 ohmios
CDLL5534B	6.4800	RFQ	8796	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Do-213ab, melf	CDLL5534		500 MW	DO-213AB	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1						1.1 V @ 200 Ma		10 na @ 12.6 V						14 V	100 ohmios
1N745	2.0700	RFQ	7978	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			-	-	1N745			-	-	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1
Jantxv1n6487dus/tr	-	RFQ	1395	Tecnología de Microchip	MIL-PRF-19500/406	Tape & Reel (TR)	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Sq-melf, un			1.5 W	D-5A	descascar				150-jantxv1n6487dus/tr	EAR99	8541.10.0050	1						1.5 v @ 1 a		35 µA @ 1 V						3.9 V	9 ohmios
Apt100s20lctg	12.1100	RFQ	6600	Tecnología de Microchip	-	Tubo	Activo			A Través del Aguetero	TO-264-3, TO-264AA	Apt100s20	Schottky		To-264 [l]	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		1 par Cátodo Común	200 V	120a	950 MV @ 100 A	70 ns	2 Ma @ 200 V	-55 ° C ~ 150 ° C
S4330TS	112.3200	RFQ	5907	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			Montaje	DO-205AA, DO-8, Semento		Estándar		DO-205AA (DO-8)	descascar			Alcanzar sin afectado	150-S4330TS	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)			300 V		1.1 v @ 200 a		50 µA @ 300 V	-65 ° C ~ 200 ° C	150a	-
1 PMT5955CE3/TR7	0.7350	RFQ	3061	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-216AA	1pmt5955		3 W	DO-216AA	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000						1.2 v @ 200 ma		1 µA @ 136.8 V						180 V	800 ohmios
CDLL0.5A20/TR	3.7800	RFQ	8711	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-213AA		Schottky		DO-213AA	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-CDLL0.5A20/TR	EAR99	8541.10.0070	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)			20 V		650 MV @ 500 Ma		10 µA @ 20 V	-65 ° C ~ 125 ° C	500mA	50pf @ 0v, 1 MHz
Jan1n4470c	-	RFQ	4993	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/406	Una granela	Descontinuado en sic	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial			1.5 W	Do-41	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1						1 V @ 200 Ma		50 na @ 12.8 V						16 V	10 ohmios
CD3041B	3.6043	RFQ	7086	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Morir			1 W	Morir	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-CD3041B	EAR99	8541.10.0050	1						1.2 v @ 200 ma		500 na @ 56 V						75 V	175 ohmios
Jan1N4625ur-1/TR	7.1022	RFQ	5757	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA			500 MW	DO-213AA	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-Enero1n4625ur-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1						1.1 V @ 200 Ma		5 µA @ 3 V						5.1 V	1500 ohmios
Jans1n5712-1	-	RFQ	6344	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/444	Una granela	Activo			A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial		Schottky		DO-35 (DO-204AH)	-			Alcanzar sin afectado	150-JANS1N5712-1	EAR99	8541.10.0070	50	Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad			20 V		1 V @ 35 Ma		150 na @ 16 V	-65 ° C ~ 150 ° C	75 Ma	2pf @ 0V, 1 MHz

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Diodos (34409)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²