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Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Velocidad	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Tipo de diodo	Voltaje - Reverso Máximo (Max)	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)	Relación de la capacidad	Condición de Relación de Capacitancia	Q @ VR, F
Janhca1n4626	12.1695	RFQ	6643	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/435	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AA, do-7, axial			500 MW	DO-7 (DO-204AA)	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-JANHCA1N4626	EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		10 µA @ 4 V						5.6 V	1400 ohmios
Jan1n5807urs	17.4750	RFQ	4098	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/477	Una granela	Activo			Montaje en superficie	SQ-Melf, B	1N5807	Estándar		B, SQ-Melf	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	50 V	875 MV @ 4 A	30 ns	5 µA @ 50 V	-65 ° C ~ 175 ° C	3A	60pf @ 10V, 1 MHz
1N5543B	3.0750	RFQ	2400	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N5543		500 MW	Do-35	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		10 na @ 22.4 V						25 V	110 ohmios
1N4784A	265.5900	RFQ	9273	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 100 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N4784		500 MW	Do-35	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1											8.5 V	100 ohmios
SMBJ5951C/TR13	2.0850	RFQ	2886	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-214AA, SMB	SMBJ5951		2 W	SMBJ (DO-214AA)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000			1.2 v @ 200 ma		1 µA @ 91.2 V						120 V	380 ohmios
Jans1n4129cur-1	97.9650	RFQ	2831	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/435	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)			500 MW	DO-213AA	-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		10 na @ 47.1 V						62 V	500 ohmios
Jans1n4126cur-1	97.9650	RFQ	4064	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/435	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)			500 MW	DO-213AA	-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		10 na @ 38.8 V						51 V	300 ohmios
1N2057	158.8200	RFQ	7992	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			Montaje	DO-205AB, DO-9, Semento		Estándar		DO-205AB (DO-9)	descascar			Alcanzar sin afectado	150-1N2057	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)	200 V	1.3 V @ 300 A		75 µA @ 200 V	-65 ° C ~ 190 ° C	275a	-
CDLL4715C/TR	6.7950	RFQ	3978	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA			500 MW	DO-213AA	-			Alcanzar sin afectado	150-CDLL4715C/TR	EAR99	8541.10.0050	139			1.1 V @ 200 Ma		10 na @ 27.3 V						36 V
Jans1n4133c-1	67.5450	RFQ	6754	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/435	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		10 na @ 66.2 V						87 V	1000 ohmios
1N6018D	5.1900	RFQ	8426	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N6018		500 MW	Do-35	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		100 na @ 43 V						56 V	200 ohmios
Jan1n5617/tr	4.6350	RFQ	8926	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/429	Tape & Reel (TR)	Activo			A Través del Aguetero	A, axial		Estándar		A, axial	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-Enero1N5617/TR	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	400 V	1.6 v @ 3 a	150 ns	500 na @ 400 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	-
Jantxv1n4965dus/tr	33.1950	RFQ	2996	Tecnología de Microchip	MIL-PRF-19500/356	Tape & Reel (TR)	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SQ-Melf, B			5 W	E-Mada	-				150-jantxv1n4965dus/tr	EAR99	8541.10.0050	100			1.5 v @ 1 a		2 µA @ 15.2 V						20 V	4.5 ohmios
1 PMT5937C/TR13	2.7600	RFQ	6567	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-216AA	1PMT5937		3 W	DO-216AA	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	12,000			1.2 v @ 200 ma		1 µA @ 25.1 V						33 V	33 ohmios
1N5523C/TR	11.5500	RFQ	9196	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	-			Alcanzar sin afectado	150-1N5523C/TR	EAR99	8541.10.0050	100			1.1 V @ 200 Ma		2 µA @ 2.5 V						5.1 V	26 ohmios
Jantx1n3022c-1/tr	23.4346	RFQ	8108	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/115	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-55 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial			1 W	Do-41	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-JantX1N3022C-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1			1.2 v @ 200 ma		10 µA @ 9.1 V						12 V	9 ohmios
Jantx1n6342/tr	11.1587	RFQ	4401	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/533	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	B, axial			500 MW	B, axial	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-JantX1N6342/TR	EAR99	8541.10.0050	1			1.4 v @ 1 a		50 na @ 43 V						52.7 V	100 ohmios
CDLL827/TR	10.4850	RFQ	3215	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 4.83%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA			500 MW	DO-213AA	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-CDLL827/TR	EAR99	8541.10.0050	1					2 µA @ 3 V						6.2 V	15 ohmios
1N5617/TR	4.7850	RFQ	9094	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo			A Través del Aguetero	A, axial		Estándar		A, axial	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-1N5617/TR	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	400 V	1.6 v @ 3 a	150 ns	500 na @ 400 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	35pf @ 12V, 1 MHz
Jans1n4622ur-1/TR	64.5004	RFQ	9986	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/435	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TA)	Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)			500 MW	DO-213AA	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-Jans1n4622ur-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		2.5 µA @ 2 V						3.9 V	1.65 ohmios
KV2121-00	-	RFQ	7655	Tecnología de Microchip	-	Banda	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	Morir				Chip	-			Alcanzar sin afectado	150-KV2121-00	EAR99	8541.10.0040	1								0.35pf @ 20V, 1MHz	Soltero	22 V			4.3	C4/C20	1000 @ 4V, 50MHz
1N708A	1.9200	RFQ	1526	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N708		250 MW	Do-35	-	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1											5.6 V	3.6 ohmios
CDLL5818E3/TR	8.8800	RFQ	9111	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-213AB, MELL (Vidrio)		Schottky		DO-213AB (Melf, LL41)	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-CDLL5818E3/TR	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	30 V	600 MV @ 1 A		100 µA @ 30 V	-	1A	0.9pf @ 5V, 1 MHz
Jan1N3045D-1/TR	26.4271	RFQ	2361	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/115	Tape & Reel (TR)	Activo	± 1%	-55 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial			1 W	Do-41	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-ENERO1N3045D-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1			1.2 v @ 200 ma		10 µA @ 83.6 V						110 V	450 ohmios
1N5806urs	32.3850	RFQ	1723	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			Montaje en superficie	Sq-melf, un		Estándar		A, SQ-Melf	-			Alcanzar sin afectado	150-1N5806urs	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	160 V	875 MV @ 1 A	25 ns	1 µA @ 150 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	25pf @ 10V, 1 MHz
1N5938CP/TR12	2.2800	RFQ	2132	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	1N5938		1.5 W	DO-204Al (DO-41)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	4.000			1.2 v @ 200 ma		1 µA @ 27.4 V						36 V	38 ohmios
1N3341RB	49.3800	RFQ	5916	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Chasis, Soporte de semento	Do-203ab, do-5, semental	1N3341		50 W	Do-5	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 10 A		10 µA @ 83 V						105 V	25 ohmios
Jantxv1n6316dus/tr	68.6850	RFQ	3011	Tecnología de Microchip	MIL-PRF-19500/533	Tape & Reel (TR)	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SQ-Melf, B			500 MW	B, SQ-Melf	-				150-jantxv1n6316dus/tr	EAR99	8541.10.0050	100			1.4 v @ 1 a		5 µA @ 1.5 V						4.7 V	17 ohmios
S2105	33.4500	RFQ	9749	Tecnología de Microchip	*	Una granela	Activo									-			Alcanzar sin afectado	150-S2105			1
Jantxv1n4461dus	17.6250	RFQ	6798	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/406	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Sq-melf, un			1.5 W	D-5A	-			Alcanzar sin afectado	150-jantxv1n4461dus	EAR99	8541.10.0050	1			1.5 v @ 1 a		5 µA @ 4.08 V						6.8 V	2.5 ohmios

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
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Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
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Diodos (34409)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²