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Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Velocidad	Disipacia de Potencia (Max)	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Tipo de diodo	Voltaje - Reverso Máximo (Max)	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)	Resistencia @ if, f
Jans1n6350us/tr	165.0150	RFQ	3977	Tecnología de Microchip	MIL-PRF-19500/533	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SQ-Melf, B			500 MW	B, SQ-Melf	-				150-jans1n6350us/tr	EAR99	8541.10.0050	50				1.4 v @ 1 a		50 na @ 91 V						120 V	600 ohmios
Jan1N6873UTK2CS/TR	364.6950	RFQ	9719	Tecnología de Microchip	*	Tape & Reel (TR)	Activo									-			Alcanzar sin afectado	150-ENERO1N6873UTK2CS/TR			100
CDLL4135/TR	3.7240	RFQ	2371	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Do-213ab, melf			500 MW	DO-213AB	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-CDLL4135/TR	EAR99	8541.10.0050	1				1.1 V @ 200 Ma		50 na @ 76 V						100 V	1600 ohmios
Jantx1n4463cus/tr	36.8850	RFQ	7045	Tecnología de Microchip	MIL-PRF-19500/406	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Sq-melf, un			1.5 W	D-5A	-				150-Jantx1n4463cus/TR	EAR99	8541.10.0050	100				1.5 v @ 1 a		500 na @ 4.92 V						8.2 V	3 ohmios
1N1202BR	34.7100	RFQ	8336	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			Montaje	DO-203AA, DO-4, semento	1N1202	Polaridad Inversa Estándar		DO-4 (DO-203AA)	descascar	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		200 V	1.2 V @ 30 A		10 µA @ 200 V	-65 ° C ~ 200 ° C	12A	-
Jantxv1n4116dur-1	36.0000	RFQ	2838	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/435	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)	1N4116		500 MW	DO-213AA	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1				1.1 V @ 200 Ma		10 na @ 18.3 V						24 V	150 ohmios
DSB0.5A30	-	RFQ	7550	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	DSB0.5	Schottky		Do-35	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		30 V	650 MV @ 500 Ma		10 µA @ 30 V	-65 ° C ~ 125 ° C	500mA	60pf @ 0V, 1 MHz
Jantx1n4135ur-1	9.5850	RFQ	2417	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/435	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)	1N4135		500 MW	DO-213AA	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1				1.1 V @ 200 Ma		10 na @ 76 V						100 V	1600 ohmios
Jantx1n6306r	-	RFQ	4656	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			Montaje	Do-203ab, do-5, semental		Estándar		Do-5	-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		150 V	1.18 V @ 150 A	60 ns	25 µA @ 150 V	-65 ° C ~ 175 ° C	70a
Jan1n4480us/tr	11.0700	RFQ	3324	Tecnología de Microchip	MIL-PRF-19500/406	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Sq-melf, un			1.5 W	D-5A	-				150-Enero1n4480us/TR	EAR99	8541.10.0050	100				1.5 v @ 1 a		50 na @ 34.4 V						43 V	40 ohmios
1N4760UR-1/TR	3.6200	RFQ	3575	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AB, MELL (Vidrio)			1 W	DO-213AB (Melf, LL41)	-					EAR99	8541.10.0050	272				1.2 v @ 200 ma		5 µA @ 51.7 V						68 V	150 ohmios
1N3903	48.5400	RFQ	8741	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			Montaje	Do-203ab, do-5, semental	1N3903	Estándar		Do-5	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		400 V	1.4 V @ 63 A	200 ns	50 µA @ 400 V	-65 ° C ~ 150 ° C	20A	150pf @ 10V, 1 MHz
1N4754AUR	3.4650	RFQ	7489	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Do-213ab, melf	1N4754		1 W	DO-213AB	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1				1.2 v @ 200 ma		5 µA @ 29.7 V						39 V	60 ohmios
Jantxv1n3039bur-1	18.0150	RFQ	6677	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/115	Una granela	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AB, MELL (Vidrio)	1N3039		1 W	DO-213AB (Melf, LL41)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1				1.2 v @ 200 ma		10 µA @ 47.1 V						62 V	125 ohmios
CD5919B	3.8437	RFQ	8756	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo									-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-CD5919B	EAR99	8541.10.0050	1
UM7101F	24.4650	RFQ	1186	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo		-65 ° C ~ 175 ° C		-				-	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-UM7101F	EAR99	8541.10.0060	1		100000 W							1.2pf @ 100V, 1 MHz	PIN - Single	100V			600mohm @ 100 mm, 100MHz
1N4703UR-1/TR	5.2400	RFQ	8224	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DO-213AA			500 MW	DO-213AA	-					EAR99	8541.10.0050	186				1.5 V @ 100 Ma		50 na @ 12.1 V						16 V
CDS3042B-1/TR	-	RFQ	4911	Tecnología de Microchip	*	Tape & Reel (TR)	Activo									-			Alcanzar sin afectado	150-CDS3042B-1/TR	EAR99	8541.10.0050	50
UM7001E	-	RFQ	1095	Tecnología de Microchip	-	Banda	Activo		-65 ° C ~ 175 ° C		Axial				Axial	-			Alcanzar sin afectado	150-UM7001E	EAR99	8541.10.0060	1		1.5 W							0.9pf @ 100V, 1 MHz	PIN - Single	100V			1ohm @ 100 mm, 100MHz
UM6201A	-	RFQ	9039	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo		-		Axial				Axial	-			Alcanzar sin afectado	150-UM6201ATR	EAR99	8541.10.0060	1		6 W							1.1pf @ 100V, 1 MHz	PIN - Single	100V			400mohm @ 100 mm, 100MHz
CDLL4470	11.3550	RFQ	8881	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Do-213ab, melf	CDLL4470		1.5 W	DO-213AB	-	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1				1 V @ 200 Ma		50 na @ 12.8 V						16 V	10 ohmios
Jankca1n750c	-	RFQ	5769	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	-			Alcanzar sin afectado	150-jankca1n750c	EAR99	8541.10.0050	100				1.1 V @ 200 Ma		2 µA @ 1 V						4.7 V	19 ohmios
1 PMT4119E3/TR7	-	RFQ	3554	Tecnología de Microchip	PowerMite®	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-216AA	1pmt4119		1 W	DO-216	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000				1.1 V @ 200 Ma		10 na @ 21.28 V						28 V	200 ohmios
1N3881R	50.8800	RFQ	5240	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			Montaje	DO-203AA, DO-4, semento	1N3881	Polaridad Inversa Estándar		DO-4 (DO-203AA)	descascar	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado	1N3881RMS	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		200 V	1.4 V @ 20 A	200 ns	15 µA @ 200 V	-65 ° C ~ 175 ° C	6A	115pf @ 10V, 1 MHz
Jan1n6336us	15.9300	RFQ	2138	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/533	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	SQ-Melf, B	1N6336		500 MW	B, SQ-Melf	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1				1.4 v @ 1 a		50 na @ 25 V						33 V	40 ohmios
1N981A	2.0700	RFQ	9590	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AA, do-7, axial	1N981		500 MW	Do-7	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1				1.1 V @ 200 Ma		5 µA @ 51.7 V						68 V	230 ohmios
SMBG5373CE3/TR13	1.4400	RFQ	8884	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-215AA, Ala de Gaviota de SMB	SMBG5373		5 W	SMBG (DO-215AA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000				1.2 v @ 1 a		500 na @ 49 V						68 V	44 ohmios
1N4571aur-1/TR	6.6200	RFQ	4851	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	-	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA			500 MW	DO-213AA	-					EAR99	8541.10.0050	147						2 µA @ 3 V							100 ohmios
1N3045BUR-1/TR	15.4500	RFQ	4718	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DO-213AB, MELL (Vidrio)			1 W	DO-213AB (Melf, LL41)	-					EAR99	8541.10.0050	100				1.2 v @ 200 ma		10 µA @ 83.6 V						110 V	450 ohmios
Jantx1n5544dur-1/tr	42.0014	RFQ	5176	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/437	Tape & Reel (TR)	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)			500 MW	DO-213AA	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-JantX1N5544DUR-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1				1.1 V @ 200 Ma		10 na @ 25.2 V						28 V	100 ohmios

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Diodos (34409)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²