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Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Velocidad	Disipacia de Potencia (Max)	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Tipo de diodo	Voltaje - Reverso Máximo (Max)	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)	Resistencia @ if, f
GC4702-115-2	-	RFQ	8831	Tecnología de Microchip	-	Banda	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C		Módulo				-	-			Alcanzar sin afectado	150-GC4702-115-2	EAR99	8541.10.0060	1		3 W							0.3pf @ 6V, 1MHz	PIN - Single	20V			1.2ohm @ 10mA, 100MHz
Jan1n5530bur-1	14.4600	RFQ	9035	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/437	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)	1N5530		500 MW	DO-213AA	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1				1.1 V @ 200 Ma		50 na @ 9.1 V						10 V	60 ohmios
Jantxv1n3996ra	-	RFQ	3706	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/124	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje	DO-203AA, DO-4, semento			10 W	DO-213AA (DO-4)	-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1				1.5 v @ 2 a		10 µA @ 1 V						5.1 V	1.1 ohmios
1N5256B	2.1000	RFQ	1674	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N5256		500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado	1N5256BMS	EAR99	8541.10.0050	1				1.5 V @ 200 Ma		100 na @ 23 V						30 V	49 ohmios
Jantxv1n3822d-1/tr	32.2126	RFQ	3895	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/115	Tape & Reel (TR)	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial			1 W	Do-41	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-JantXV1N3822D-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1				1.2 v @ 200 ma		75 µA @ 1 V						3.6 V	10 ohmios
Janhca1n5533d	-	RFQ	1840	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/437	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	-			Alcanzar sin afectado	150-JANHCA1N5533D	EAR99	8541.10.0050	100				1.1 V @ 200 Ma		10 na @ 11.7 V						13 V	90 ohmios
1 PMT5929C/TR13	2.7600	RFQ	6041	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-216AA	1PMT5929		3 W	DO-216AA	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	12,000				1.2 v @ 200 ma		1 µA @ 11.4 V						15 V	8 ohmios
Jantxv1n4486	12.8850	RFQ	1961	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/406	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	1N4486		1.5 W	Do-41	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1				1 V @ 200 Ma		250 na @ 60 V						75 V	130 ohmios
1N5945AE3/TR13	-	RFQ	5093	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 10%	-65 ° C ~ 150 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	1N5945		1.5 W	DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	5,000				1.2 v @ 200 ma		1 µA @ 51.2 V						68 V	120 ohmios
Jantx1n821ur-1	6.5700	RFQ	5613	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/159	Una granela	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA	1N821		500 MW	DO-213AA	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1						2 µA @ 3 V						6.2 V	15 ohmios
Jans1n4495d	452.0100	RFQ	3577	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/406	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204al, do041, axial			1.5 W	Do-41	-			Alcanzar sin afectado	150-jans1n4495d	EAR99	8541.10.0050	1				1.5 v @ 1 a		250 na @ 144 V						180 V	1300 ohmios
1N5956C	7.5750	RFQ	5298	Tecnología de Microchip	MIL-PRF-19500	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204al, do041, axial	1N5956		1.25 W	Do-41	descascar	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1				1.2 v @ 200 ma		1 µA @ 152 V						200 V	1200 ohmios
CDLL5258C	6.7200	RFQ	6136	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA			10 MW	DO-213AA	-			Alcanzar sin afectado	150-CDLL5258C	EAR99	8541.10.0050	1				1.1 V @ 200 Ma		100 na @ 27 V						36 V	70 ohmios
CDS3031B-1	-	RFQ	8569	Tecnología de Microchip	*	Una granela	Activo									-			Alcanzar sin afectado	150-CDS3031B-1	EAR99	8541.10.0050	50
1N6025UR-1/TR	3.7400	RFQ	7349	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	-	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DO-213AA			500 MW	DO-213AA	-					EAR99	8541.10.0050	264				1.1 V @ 200 Ma								110 V
Jantx1n6677-1	-	RFQ	7599	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/610	Una granela	Activo			Montaje en superficie	DO-213AA	1N6677	Schottky		DO-213AA	-	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	1	Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad		40 V	500 MV @ 200 Ma		5 µA @ 40 V	-65 ° C ~ 125 ° C	200 MMA	-
Jans1n827ur-1	195.9900	RFQ	2790	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/159	Una granela	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)			500 MW	DO-213AA	-			Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1						2 µA @ 3 V						6.2 V	15 ohmios
Jans1n4101ur-1/tr	46.3100	RFQ	6177	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/435	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TA)	Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)			500 MW	DO-213AA	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-Jans1n4101ur-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1				1.1 V @ 200 Ma		1 µA @ 6.24 V						8.2 V	200 ohmios
Jantx1n969cur-1	16.6950	RFQ	6003	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/117	Una granela	Activo	± 2%	-55 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N969		500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1				1.1 V @ 200 Ma		500 na @ 17 V						22 V	29 ohmios
Jantxv1n4480/tr	13.1250	RFQ	7759	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/406	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204al, do041, axial			1.5 W	Do-41	-			Alcanzar sin afectado	150-jantxv1n4480/tr	EAR99	8541.10.0050	119				1.5 v @ 1 a		50 na @ 34.4 V						43 V	40 ohmios
1N4960U/TR	7.4613	RFQ	3206	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SQ-Melf, B			5 W	B, SQ-Melf	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-1N4960U/TR	EAR99	8541.10.0050	1				1.5 v @ 1 a		10 µA @ 9.1 V						12 V	2.5 ohmios
CDLL4132/TR	3.3516	RFQ	4003	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Do-213ab, melf			500 MW	DO-213AB	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-CDLL4132/TR	EAR99	8541.10.0050	1				1.1 V @ 200 Ma		50 na @ 62.4 V						82 V	800 ohmios
Jantx1n3026c-1	25.5600	RFQ	8903	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/115	Una granela	Activo	± 2%	-55 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	1N3026		1 W	Do-41	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1				1.2 v @ 200 ma		10 µA @ 13.7 V						18 V	20 ohmios
Jan1n2973b	-	RFQ	5130	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/124	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje	DO-203AA, DO-4, semento			10 W	DO-213AA (DO-4)	-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1				1.5 v @ 2 a		25 µA @ 6.9 V						9.1 V	2 ohmios
CD4692	2.3408	RFQ	3760	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Morir			500 MW	Morir	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-CD4692	EAR99	8541.10.0050	1				1.5 V @ 200 Ma		10 µA @ 5.1 V						6.8 V
1N5227Be3/TR	2.5669	RFQ	4330	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TA)	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-1N5227BE3/TR	EAR99	8541.10.0050	1				1.5 V @ 200 Ma		15 µA @ 1 V						3.6 V	24 ohmios
1N714	2.7150	RFQ	7193	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 10%	-	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N714		250 MW	Do-35	-	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1												10 V	8 ohmios
1N6620U/TR	13.2300	RFQ	7109	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	Sq-melf, un		Polaridad Inversa Estándar		A, SQ-Melf	-			Alcanzar sin afectado	150-1N6620U/TR	EAR99	8541.10.0080	100	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		220 V	1.4 V @ 1.2 A	45 ns	500 na @ 220 V	-65 ° C ~ 150 ° C	1.2a	-
CDLL5233A/TR	2.7132	RFQ	1921	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Do-213ab, melf			10 MW	DO-213AB	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-CDLL5233A/TR	EAR99	8541.10.0050	1				1.1 V @ 200 Ma		5 µA @ 3.5 V						6 V	7 ohmios
1N4584A/TR	21.7200	RFQ	3462	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar			Alcanzar sin afectado	150-1N4584A/TR	EAR99	8541.10.0050	100						2 µA @ 3 V						6.4 V	25 ohmios

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Diodos (34409)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²