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Diodos (34409)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Velocidad	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Tipo de diodo	Voltaje - Reverso Máximo (Max)	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)	Condición de Relación de Capacitancia	Q @ VR, F
Jantxv1n991bur-1	-	RFQ	4753	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/117	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)			500 MW	DO-213AA	-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.3 V @ 200 Ma		500 na @ 137 V						180 V	2200 ohmios
Jan1n4476	6.1500	RFQ	6538	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/406	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	1N4476		1.5 W	Do-41	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1 V @ 200 Ma		50 na @ 24 V						30 V	20 ohmios
S4260	102.2400	RFQ	6430	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			Montaje	DO-205AA, DO-8, Semento		Estándar		DO-205AA (DO-8)	-			Alcanzar sin afectado	150-S4260	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)	600 V	1.2 v @ 200 a		50 µA @ 600 V	-65 ° C ~ 200 ° C	125a	-
Jantxv1n3034b-1/tr	10.6799	RFQ	8051	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/115	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial			1 W	Do-41	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-JantXV1N3034B-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1			1.2 v @ 200 ma		10 µA @ 29.7 V						39 V	60 ohmios
Jantxv1n3050dur-1/tr	-	RFQ	8364	Tecnología de Microchip	MIL-PRF-19500/115	Tape & Reel (TR)	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AB, MELL (Vidrio)			1.25 W	DO-213AB (Melf, LL41)	-				150-JantXV1N3050DUR-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1			1.2 v @ 200 ma		500 na @ 136.8 V						180 V	1200 ohmios
Jantx1n983c-1	7.0350	RFQ	3084	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/117	Una granela	Activo	± 2%	-55 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N983		500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		500 na @ 62 V						82 V	330 ohmios
Jantxv1n747a-1	-	RFQ	6262	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/127	Una granela	Descontinuado en sic	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		3 µA @ 1 V						3.6 V	24 ohmios
Jantx1n3019c-1/tr	22.7962	RFQ	8962	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/115	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-55 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial			1 W	Do-41	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-JantX1N3019C-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1			1.2 v @ 200 ma		25 µA @ 6.9 V						9.1 V	6 ohmios
1N4955E3	5.9000	RFQ	4236	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	E, axial			5 W	E, axial	-			Alcanzar sin afectado	150-1N4955E3	EAR99	8541.10.0050	1			1.5 v @ 1 a		100 µA @ 5.7 V						7.5 V	1.5 ohmios
Jantxv1n3025c-1	30.4350	RFQ	8109	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/115	Una granela	Activo	± 2%	-55 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	1N3025		1 W	Do-41	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.2 v @ 200 ma		10 µA @ 12.2 V						16 V	16 ohmios
1N1614A	38.0550	RFQ	4974	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			Montaje	DO-203AA, DO-4, semento	1N1614	Estándar		DO-4 (DO-203AA)	descascar	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)	200 V	1.3 V @ 30 A		10 µA @ 200 V	-65 ° C ~ 200 ° C	16A	-
Janhca1n964b	8.5785	RFQ	7041	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/117	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AA, do-7, axial			500 MW	DO-7 (DO-204AA)	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-JANHCA1N964B	EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		5 µA @ 9.9 V						13 V	13 ohmios
CDLL5541A	6.4800	RFQ	5970	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Do-213ab, melf	CDLL5541		500 MW	DO-213AB	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		10 na @ 18 V						22 V	100 ohmios
Jans1n6330	114.5850	RFQ	4705	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/533	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	B, axial			500 MW	B, axial	-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.4 v @ 1 a		50 na @ 14 V						18 V	14 ohmios
1N4928A	64.2300	RFQ	7380	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 100 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N4928		500 MW	Do-35	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1											19.2 V	75 ohmios
Jantxv1n4121dur-1	36.0000	RFQ	5438	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/435	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)	1N4121		500 MW	DO-213AA	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		10 na @ 25.1 V						33 V	200 ohmios
UZ5115	32.2650	RFQ	4974	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	B, axial			5 W	B, axial	-			Alcanzar sin afectado	150-UZ5115	EAR99	8541.10.0050	1					5 µA @ 114 V						150 V	330 ohmios
Jantx1n3046b-1	-	RFQ	1915	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo									-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1
UZ5850	32.2650	RFQ	2785	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	B, axial			5 W	B, axial	-			Alcanzar sin afectado	150-UZ5850	EAR99	8541.10.0050	1					5 µA @ 36 V						50 V	25 ohmios
1N4581A-1/TR	7.3800	RFQ	1585	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 100 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	Do-35	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-1N4581A-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1					2 µA @ 3 V						6.4 V	25 ohmios
1N4132	2.4450	RFQ	4353	Tecnología de Microchip	*	Una granela	Activo					1N4132				descascar	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1
UZ5809	32.2650	RFQ	2279	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	B, axial			5 W	B, axial	-			Alcanzar sin afectado	150-UZ5809	EAR99	8541.10.0050	1					100 µA @ 6.9 V						9.1 V	2 ohmios
Jantxv1n2970b	-	RFQ	8840	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/124	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje	DO-203AA, DO-4, semento			10 W	DO-213AA (DO-4)	-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.5 v @ 2 a		150 µA @ 5.2 V						6.8 V	1.2 ohmios
Jantxv1n976d-1/tr	10.0149	RFQ	4750	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/117	Tape & Reel (TR)	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-Jantxv1n976d-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		500 na @ 33 V						43 V	93 ohmios
GC2510-79	-	RFQ	8223	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo		-55 ° C ~ 125 ° C	Montaje en superficie	2-smd, sin plomo				-	-			Alcanzar sin afectado	150-GC2510-79	EAR99	8541.10.0060	1								0.4pf @ 6V, 1MHz	Soltero	15 V			-	-
1N5416/TR	6.6450	RFQ	4350	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo			A Través del Aguetero	B, axial		Estándar		B, axial	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-1N5416/TR	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	100 V	1.5 v @ 9 a	150 ns	1 µA @ 100 V	-65 ° C ~ 175 ° C	3A	-
CDLL3828A	10.1250	RFQ	8892	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Do-213ab, melf	CDLL3828		1 W	DO-213AB	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.2 v @ 200 ma		3 µA @ 1 V						6.2 V	2 ohmios
Jantx1n5534b-1	7.4400	RFQ	6317	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/437	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N5534		500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		10 na @ 12.6 V						14 V	100 ohmios
Jans1n6636cus/tr	-	RFQ	7959	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/356	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SQ-Melf, E			5 W	D-5B	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-jans1n6636cus/tr	EAR99	8541.10.0050	1			1.5 v @ 1 a		20 µA @ 1 V						4.7 V	2 ohmios
1N485B/TR	3.3516	RFQ	8111	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo			A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial		Estándar		DO-35 (DO-204AH)	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-1N485B/TR	EAR99	8541.10.0080	1	Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad	180 V	1 V @ 100 Ma		25 na @ 180 V	-65 ° C ~ 200 ° C	200 MMA	-

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Diodos (34409)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²