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Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Velocidad	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
CDLL3016	16.1100	RFQ	9671	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 20%	-55 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Do-213ab, melf	CDLL3016		1 W	DO-213AB	-	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	1			1.2 v @ 200 ma	5 µA @ 5.2 V				6.8 V	3.5 ohmios
CDLL3019	14.7300	RFQ	1176	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 20%	-55 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Do-213ab, melf	CDLL3019		1 W	DO-213AB	-	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	1			1.2 v @ 200 ma	5 µA @ 6.9 V				9.1 V	5 ohmios
CDLL3020A	14.7300	RFQ	1939	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 10%	-55 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Do-213ab, melf	CDLL3020		1 W	DO-213AB	-	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	1			1.2 v @ 200 ma	5 µA @ 7.6 V				10 V	7 ohmios
CDLL4119	3.5850	RFQ	3605	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Do-213ab, melf	CDLL4119		500 MW	DO-213AB	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma	50 na @ 21.3 V				28 V	200 ohmios
CDLL4124	2.8800	RFQ	5169	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Do-213ab, melf	CDLL4124		500 MW	DO-213AB	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma	50 na @ 32.7 V				43 V	250 ohmios
CDLL4133	3.5850	RFQ	1067	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Do-213ab, melf	CDLL4133		500 MW	DO-213AB	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma	50 na @ 66.2 V				87 V	1000 ohmios
CDLL3822	10.1250	RFQ	2442	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Do-213ab, melf	CDLL3822		1 W	DO-213AB	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	1			1.2 v @ 200 ma	75 µA @ 1 V				3.6 V	10 ohmios
CDLL3823	10.1250	RFQ	7539	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Do-213ab, melf	CDLL3823		1 W	DO-213AB	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	1			1.2 v @ 200 ma	25 µA @ 1 V				3.9 V	9 ohmios
CDLL3824A	10.1250	RFQ	2141	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Do-213ab, melf	CDLL3824		1 W	DO-213AB	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	1			1.2 v @ 200 ma	5 µA @ 1 V				4.3 V	9 ohmios
CDLL3825A	10.1250	RFQ	6561	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Do-213ab, melf	CDLL3825		1 W	DO-213AB	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	1			1.2 v @ 200 ma	5 µA @ 1 V				4.7 V	8 ohmios
Jans1n4099-1	34.0950	RFQ	7308	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/435	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N4099		500 MW	Do-35	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma	1 µA @ 5.2 V				6.8 V	200 ohmios
Jans1n4118ur-1	48.9900	RFQ	1930	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/435	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA	1N4118		500 MW	DO-213AA	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma	10 na @ 20.5 V				27 V	150 ohmios
Jans1n4467	119.7800	RFQ	6	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/406	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	1N4467		1.5 W	DO-204Al (DO-41)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	1			1.5 v @ 1 a	200 na @ 9.6 V				12 V	7 ohmios
Jans1n4569a-1	102.1600	RFQ	486	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/452	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N4569		500 MW	Do-35	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	1				2.5 µA @ 3 V				6.4 V	200 ohmios
Jans1n4614-1	67.7000	RFQ	456	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/435	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N4614		500 MW	Do-35	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma	3.5 µA @ 1 V				1.8 V	1200 ohmios
Jans1n6317	-	RFQ	8464	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/533	Una granela	Descontinuado en sic	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	Do-35	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	1			1.4 v @ 1 a	5 µA @ 2 V				5.1 V	1300 ohmios
Jans1n6328us	118.4850	RFQ	9846	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/533	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	SQ-Melf, B	1N6328		500 MW	B, SQ-Melf	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	1				50 na @ 11 V				15 V	10 ohmios
Jans1n6490us	-	RFQ	7647	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/406	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Sq-melf, un			1.5 W	D-5A	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	1			1.5 v @ 1 a	1 µA @ 1 V				5.1 V	7 ohmios
Jantx1n965bur-1	3.7800	RFQ	35	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/117	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA	1N965		500 MW	DO-213AA	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma	500 na @ 11 V				15 V	16 ohmios
Jantx1n977b-1	3.4400	RFQ	9	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/117	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N977		500 MW	Do-35	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma	500 na @ 36 V				47 V	105 ohmios
LSM145 Melf	-	RFQ	4459	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			Montaje en superficie	DO-213AB, MELL (Vidrio)	LSM145	Schottky		DO-213AB	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0080	3.000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	45 V	580 MV @ 1 A	1 ma @ 45 V	-65 ° C ~ 150 ° C	1A	-
1N823UR-1	4.7550	RFQ	8641	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)	1N823		500 MW	DO-213AA	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	1				2 µA @ 3 V				6.2 V	15 ohmios
1N967A	-	RFQ	4144	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Descontinuado en sic	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AA, do-7, axial			500 MW	Do-7	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma	5 µA @ 13.7 V				18 V	21 ohmios
1N974A	2.0700	RFQ	1996	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AA, do-7, axial	1N974		500 MW	Do-7	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma	5 µA @ 27.4 V				36 V	70 ohmios
1N984B	2.0700	RFQ	3330	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N984		500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma	5 µA @ 69.2 V				91 V	400 ohmios
1N986B	2.0700	RFQ	1026	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AA, do-7, axial	1N986		500 MW	Do-7	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma	5 µA @ 83.6 V				110 V	750 ohmios
1N987B	-	RFQ	3058	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Descontinuado en sic	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AA, do-7, axial			500 MW	Do-7	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma	5 µA @ 91.2 V				120 V	900 ohmios
1N989B	-	RFQ	1770	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Descontinuado en sic	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AA, do-7, axial			500 MW	Do-7	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma	5 µA @ 114 V				150 V	1500 ohmios
1N990A	4.1550	RFQ	2886	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AA, do-7, axial	1N990		500 MW	Do-7	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma	5 µA @ 121.6 V				160 V	1700 ohmios
BZV55C22	2.9400	RFQ	1405	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 6%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)	BZV55C22			DO-213AA	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma	50 na @ 15.4 V				22 V

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Diodos (34409)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²