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Diodos (34409)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 1N4713/TR | 3.6575 |  | 4987 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AA, do-7, axial | 500 MW | DO-7 (DO-204AA) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-1N4713/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 22.8 V | 30 V | |||||||||
 | Jantx1n3329rb | - | | 5093 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/358 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje | Do-203ab, do-5, semental | 50 W | Do-5 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantX1N3329RB | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 10 A | 10 µA @ 32.7 V | 45 V | 4.5 ohmios | ||||||||
 | CDLL6348/TR | 13.1404 | | 6551 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | - | Montaje en superficie | Do-213ab, melf | 500 MW | DO-213AB | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL6348/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 50 na @ 76 V | 100 V | |||||||||
 | Jantx1n4134-1/tr | 4.8412 | | 4991 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantX1N4134-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 69.2 V | 91 V | 1200 ohmios | ||||||||
 | CDLL645/TR | 5.0540 | | 1416 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-213AA | Estándar | DO-213AA | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL645/TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 225 V | 1 V @ 400 Ma | 50 na @ 225 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 400mA | - | |||||||
| CD936A | 12.4650 | | 7399 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | Morir | Morir | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CD936A | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 9 V | 30 ohmios | |||||||||||
 | CD4465 | 4.3624 | | 9921 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | - | Montaje en superficie | Morir | Morir | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CD4465 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||
| CDLL4902/TR | 59.5800 | | 7065 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA | 500 MW | DO-213AA | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL4902/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 15 µA @ 8 V | 12.8 V | 200 ohmios | |||||||||
| Jantxv1n4578aur-1/tr | 26.3700 | | 6736 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/452 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantXV1N4578AUR-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 6.4 V | 50 ohmios | |||||||||
 | Jantx1n5416us/tr | 11.7000 | | 2225 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/411 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SQ-Melf, E | Estándar | D-5B | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantX1N5416US/TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 1.5 v @ 9 a | 150 ns | 1 µA @ 100 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 3A | - | ||||||
 | Jans1n6314us/tr | 127.1706 | | 3071 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | 5 W | B, SQ-Melf | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-jans1n6314us/tr | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 2 µA @ 1 V | 3.9 V | 23 ohmios | ||||||||
| Jan1N4100C-1/TR | 9.4430 | | 2368 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-ENERO1N4100C-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 1 µA @ 5.7 V | 7.5 V | 200 ohmios | |||||||||
| Jantxv1n5541b-1/tr | 8.2327 | | 5397 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/437 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantXV1N5541B-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 19.8 V | 22 V | 100 ohmios | ||||||||
 | Jantx1n4627-1/tr | 4.8678 | | 3266 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | Do-35 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantX1N4627-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 µA @ 5 V | 6.2 V | 1200 ohmios | ||||||||
 | Jans1n6327/tr | 107.0906 | | 4002 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/533 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | B, axial | 500 MW | B, axial | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-jans1n6327/tr | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 v @ 1 a | 50 na @ 9.9 V | 13 V | 8 ohmios | ||||||||
| Jantxv1n992b-1/tr | - | | 5580 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/117 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantXv1N992B-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.3 V @ 200 Ma | 500 na @ 152 V | 200 V | 2.5 ohmios | ||||||||
| Jantxv1n4130ur-1/tr | 10.1080 | | 5220 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-Jantxv1n4130ur-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 51.7 V | 68 V | 700 ohmios | ||||||||
 | Jantx1n3028bur-1/tr | 13.0739 | | 8313 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/115 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | 1 W | DO-213AB (Melf, LL41) | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantX1N3028Bur-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µA @ 16.7 V | 22 V | 23 ohmios | ||||||||
| CD4565 | 3.7200 | | 5795 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | 0 ° C ~ 75 ° C | Montaje en superficie | Morir | Morir | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CD4565 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 6.4 V | 200 ohmios | ||||||||||
| 1N4114ure3/TR | 3.6974 | | 9157 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TA) | Montaje en superficie | DO-213AA | 500 MW | DO-213AA | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-1n4114ure3/tr | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 100 na @ 15.2 V | 20 V | 150 ohmios | ||||||||
 | Jantxv1n3017b-1/tr | 10.6799 | | 9426 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/115 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1 W | Do-41 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantXV1N3017B-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 100 µA @ 5.7 V | 7.5 V | 4 ohmios | ||||||||
| 1N5188U/TR | 9.4350 | | 6931 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | B, axial | Estándar | B, axial | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-1N5188U/TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.5 v @ 9 a | 250 ns | 2 µA @ 400 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 3A | - | ||||||
 | Jan1N649-1/TR | - | | 8979 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/240 | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | Estándar | Do-35 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-ENERO1N649-1/TR | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1 V @ 400 Ma | 50 na @ 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 400mA | - | |||||||
| Jan1N4104C-1/TR | 9.4430 | | 3517 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-Enero1N4104C-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 500 na @ 7.6 V | 10 V | 200 ohmios | |||||||||
| Jan1N5520C-1/TR | 12.6749 | | 8079 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/437 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-ENERO1N5520C-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 1 µA @ 1 V | 3.9 V | 22 ohmios | ||||||||
| Jantx1n751a-1/tr | 2.2211 | | 1926 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/127 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantX1N751A-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 5 µA @ 2 V | 5.1 V | 14 ohmios | ||||||||
| CDLL4486/TR | 10.2410 | | 9905 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Do-213ab, melf | 1.5 W | DO-213AB | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL4486/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 200 Ma | 250 na @ 60.4 V | 75 V | 130 ohmios | ||||||||
 | Jantxv1n5802us/tr | 14.2500 | | 2506 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/477 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | Sq-melf, un | Estándar | D-5A | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantXV1N5802US/TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 50 V | 875 MV @ 1 A | 25 ns | 1 µA @ 50 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 25pf @ 10V, 1 MHz | ||||||
| 1N4938UR-1/TR | 3.2319 | | 1107 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-213AA | Estándar | DO-213AA | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-1N4938UR-1/TR | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 175 V | 1 V @ 100 Ma | 50 ns | 100 na @ 175 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 100mA | - | ||||||
| Jantx1n3822d-1/tr | 24.4986 | | 8027 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/115 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1 W | Do-41 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantX1N3822D-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 75 µA @ 1 V | 3.6 V | 10 ohmios |
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