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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Current - Max | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Tipo de diodo | Voltaje - Reverso Máximo (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Resistencia @ if, f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
1N751C | 3.8171 | ![]() | 6294 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-1N751C | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 1 µA @ 1 V | 5.1 V | 17 ohmios | |||||||||||||||
![]() | Jantxv1n5712ur-1/tr | 60.0900 | ![]() | 6701 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/444 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-213AA | Schottky | DO-213AA | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-Jantxv1n5712ur-1/TR | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 16 V | 1 V @ 35 Ma | 150 na @ 16 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 75 Ma | 2pf @ 0V, 1 MHz | |||||||||||||
1N5270/TR | 2.2950 | ![]() | 8060 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | Alcanzar sin afectado | 150-1N5270/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 410 | 1.5 V @ 200 Ma | 100 na @ 66 V | 91 V | 400 ohmios | ||||||||||||||||
![]() | SMBJ5925B/TR13 | 1.5600 | ![]() | 8627 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | SMBJ5925 | 2 W | SMBJ (DO-214AA) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µA @ 8 V | 10 V | 4.5 ohmios | |||||||||||||
![]() | Jantxv1n3827aur-1/tr | 17.3299 | ![]() | 6361 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/115 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | 1 W | DO-213AB (Melf, LL41) | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantXV1N3827AUR-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 3 µA @ 2 V | 5.6 V | 5 ohmios | ||||||||||||||
![]() | 1 PMT4099E3/TR7 | 0.5400 | ![]() | 4934 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | PowerMite® | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-216AA | 1pmt4099 | 1 W | DO-216 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 µA @ 5.17 V | 6.8 V | 200 ohmios | |||||||||||||
![]() | Jans1n4483cus/tr | 283.9800 | ![]() | 6067 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | MIL-PRF-19500/406 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Sq-melf, un | 1.5 W | D-5A | - | 150-jans1n4483cus/tr | EAR99 | 8541.10.0050 | 50 | 1.5 v @ 1 a | 250 na @ 44.8 V | 56 V | 70 ohmios | ||||||||||||||||
![]() | 1N4913A/TR | 53.3550 | ![]() | 2583 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AA, do-7, axial | 400 MW | Do-7 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-1N4913A/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 12.8 V | 25 ohmios | ||||||||||||||||
1N5281BE3/TR | 3.3117 | ![]() | 3400 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-1N5281BE3/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 200 Ma | 100 na @ 152 V | ||||||||||||||||||||
Jans1n4625c-1/tr | 56.9000 | ![]() | 9952 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-jans1n4625c-1/tr | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 5 µA @ 3 V | 5.1 V | 1.5 ohmios | |||||||||||||||
![]() | 1N5361E3/TR12 | 2.6250 | ![]() | 8323 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 20% | -65 ° C ~ 150 ° C | A Través del Aguetero | T-18, axial | 1N5361 | 5 W | T-18 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.2 v @ 1 a | 500 na @ 19.4 V | 27 V | 5 ohmios | |||||||||||||
Jantxv1n759c-1/tr | 10.2410 | ![]() | 1720 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/127 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantXV1N759C-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 1 µA @ 9 V | 12 V | 30 ohmios | |||||||||||||||
![]() | 1N5371BE3/TR8 | 2.6850 | ![]() | 1639 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | A Través del Aguetero | T-18, axial | 1N5371 | 5 W | T-18 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1,000 | 1.2 v @ 1 a | 500 na @ 43 V | 60 V | 40 ohmios | |||||||||||||
![]() | Jan1N3040B-1/TR | 8.3524 | ![]() | 2357 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/115 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1 W | Do-41 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-ENERO1N3040B-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µA @ 51.7 V | 68 V | 150 ohmios | ||||||||||||||
![]() | Jan1N4488US/TR | 10.6050 | ![]() | 3544 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | MIL-PRF-19500/406 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Sq-melf, un | 1.5 W | D-5A | - | 150-ENERO1N4488US/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.5 v @ 1 a | 250 na @ 72.8 V | 91 V | 200 ohmios | ||||||||||||||||
![]() | CD5711V | 1.8900 | ![]() | 8016 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | Montaje en superficie | Morir | Schottky | Morir | - | Alcanzar sin afectado | 150-CD5711V | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 50 V | 1 V @ 15 Ma | 200 na @ 50 V | -55 ° C ~ 125 ° C | 15 Ma | 2pf @ 0V, 1 MHz | ||||||||||||||
![]() | Jantx1n6941utk3as/tr | 506.5350 | ![]() | 9446 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | Thinkey ™ 3 | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | Thinkey ™ 3 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-Jantx1n6941utk3as/tr | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 30 V | 500 MV @ 50 A | 5 Ma @ 30 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 150a | 7500pf @ 5V, 1MHz | |||||||||||||
![]() | Jan1n4977us/tr | 9.3600 | ![]() | 1131 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | MIL-PRF-19500/356 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | 5 W | E-Mada | - | 150-ENERO1N4977US/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.5 v @ 1 a | 2 µA @ 47.1 V | 62 V | 42 ohmios | ||||||||||||||||
Jans1n4995dus | - | ![]() | 7532 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/356 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SQ-Melf, E | 5 W | D-5B | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 2 µA @ 274 V | 360 V | 1400 ohmios | ||||||||||||||||
![]() | Jan1n6305r | - | ![]() | 3800 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | Montaje | Do-203ab, do-5, semental | Estándar | Do-5 | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 1.18 V @ 150 A | 60 ns | 25 µA @ 100 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 70a | ||||||||||||||
![]() | 1N4715ur-1/TR | 5.2400 | ![]() | 2354 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-213AA | 500 MW | DO-213AA | - | EAR99 | 8541.10.0050 | 186 | 1.5 V @ 100 Ma | 10 na @ 27.3 V | 36 V | ||||||||||||||||||
![]() | CDLL4567A | 10.1400 | ![]() | 5683 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | - | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | CDLL4567 | 500 MW | DO-213AA | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 6.4 V | 200 ohmios | ||||||||||||||
![]() | Jan1n3913ar | - | ![]() | 1271 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/308 | Una granela | Activo | Montaje | Do-203ab, do-5, semental | Estándar | Do-5 | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.4 V @ 50 A | 150 ns | -65 ° C ~ 150 ° C | 50A | - | ||||||||||||||
![]() | Jans1n4979cus/tr | 368.3100 | ![]() | 8253 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | MIL-PRF-19500/356 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | 5 W | E-Mada | - | 150-jans1n4979cus/tr | EAR99 | 8541.10.0050 | 50 | 1.5 v @ 1 a | 2 µA @ 56 V | 75 V | 55 ohmios | ||||||||||||||||
Jan1N748C-1/TR | 4.7481 | ![]() | 3510 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/127 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-ENERO1N748C-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 2 µA @ 1 V | 3.9 V | 23 ohmios | |||||||||||||||
1n6864us/tr | 161.7750 | ![]() | 4025 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/620 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | Schottky | B, SQ-Melf | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-1n6864us/tr | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 80 V | 700 MV @ 3 A | 150 µA @ 80 V | -65 ° C ~ 125 ° C | 3A | - | ||||||||||||||
Janhca1n5540d | - | ![]() | 2186 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/437 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | Alcanzar sin afectado | 150-JANHCA1N5540D | EAR99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 18 V | 20 V | 100 ohmios | ||||||||||||||||
![]() | 1N5936AE3/TR13 | - | ![]() | 9743 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N5936 | 1.5 W | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 22.8 V | 30 V | 28 ohmios | |||||||||||||
![]() | GC4215-150B | - | ![]() | 2842 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C | Morir | Chip | - | Alcanzar sin afectado | 150-GC4215-150BTR | 1 | 10 Ma | 0.5pf @ 10V, 1 MHz | PIN - Single | 100V | 350mohm @ 20 mm, 1 GHz | |||||||||||||||||||
![]() | 1N5811urs/TR | 34.3200 | ![]() | 3528 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | Estándar | B, SQ-Melf | - | 100 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 150 V | 875 MV @ 4 A | 30 ns | 5 µA @ 150 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 3A | 60pf @ 10V, 1 MHz |
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