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Diodos (34409)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Jantxv1n6858ur-1/tr | - |  | 5405 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/444 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-213AA | Schottky | DO-213AA | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-jantxv1n6858ur-1/tr | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 70 V | 650 MV @ 15 Ma | 200 na @ 50 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 75 Ma | 4.5pf @ 0V, 1 MHz | |||||||
 | Jan1N4134D-1/TR | 11.7838 | | 7936 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-ENERO1N4134D-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 69.2 V | 91 V | 1200 ohmios | |||||||||
 | CD3041B | 3.6043 | | 7086 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Morir | 1 W | Morir | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CD3041B | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 500 na @ 56 V | 75 V | 175 ohmios | ||||||||
| 1N5231Bur-1/TR | 4.4023 | | 9818 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-1N5231BUR-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 5 µA @ 2 V | 5.1 V | 17 ohmios | ||||||||
 | Jankca1n4617 | - | | 7033 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AA, do-7, axial | 500 MW | DO-7 (DO-204AA) | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-Jankca1N4617 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 2 µA @ 1 V | 2.4 V | 1400 ohmios | ||||||||
 | Jantxv1n3024c-1/tr | 25.8153 | | 9022 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/115 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1 W | Do-41 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantXV1N3024C-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µA @ 11.4 V | 15 V | 14 ohmios | ||||||||
| CDLL938B/TR | 16.9500 | | 5998 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA | 500 MW | DO-213AA | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL938B/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 9 V | 20 ohmios | ||||||||||
| Jan1n944bur-1/TR | - | | 2756 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/157 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-ENERO1N944BUR-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 15 µA @ 8 V | 11.7 V | 30 ohmios | |||||||||
 | CDLL5233A/TR | 2.7132 | | 1921 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Do-213ab, melf | 10 MW | DO-213AB | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL5233A/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 5 µA @ 3.5 V | 6 V | 7 ohmios | ||||||||
 | Jan1n3026cur-1/TR | 29.0339 | | 8172 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/115 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | 1 W | DO-213AB (Melf, LL41) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-Enero1N3026Cur-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µA @ 13.7 V | 18 V | 20 ohmios | ||||||||
| Jan1N5529Dur-1/TR | 41.1768 | | 3782 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/437 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-Enero1n5529dur-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 100 na @ 8.2 V | 9.1 V | 45 ohmios | ||||||||
| Jans1n4118-1/tr | 31.6700 | | 6390 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-jans1n4118-1/tr | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 20.5 V | 27 V | 150 ohmios | ||||||||
| CDLL4124/TR | 2.7531 | | 3081 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Do-213ab, melf | 500 MW | DO-213AB | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL4124/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 50 na @ 32.7 V | 43 V | 250 ohmios | ||||||||
| Jan1n5195ur/tr | 109.4058 | | 9045 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/118 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-213AA | Estándar | DO-213AA | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-Enero1n5195ur/TR | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 180 V | 1 V @ 100 Ma | -65 ° C ~ 175 ° C | 200 MMA | - | ||||||||
| CD6640 | 0.9310 | | 5235 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CD6640 | 1 | ||||||||||||||||||||
| CD5354B | 5.0274 | | 6313 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | Montaje en superficie | Morir | 5 W | Morir | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CD5354B | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 500 na @ 12.9 V | 17 V | 2.5 ohmios | ||||||||
 | 1N4906A/TR | 92.3100 | | 8768 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AA, do-7, axial | 400 MW | Do-7 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-1N4906A/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 12.8 V | 100 ohmios | ||||||||||
 | Jantxv1n6628us/tr | 25.7100 | | 2635 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/590 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SQ-Melf, E | Estándar | D-5B | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantXv1N6628US/TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 660 V | 1.35 v @ 2 a | 30 ns | 2 µA @ 660 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 1.75a | 40pf @ 10V, 1 MHz | ||||||
| Jantx1n3042c-1/tr | 22.7962 | | 6820 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/115 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1 W | Do-41 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantX1N3042C-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µA @ 62.2 V | 82 V | 200 ohmios | ||||||||
| Jantxv1n4123-1/tr | 8.1662 | | 6045 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantXV1N4123-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 29.7 V | 39 V | 200 ohmios | ||||||||
| CD3830A | 4.3624 | | 8272 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CD3830A | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||
| Jan1N4118C-1/TR | 9.4430 | | 7918 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-ENERO1N4118C-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 20.5 V | 27 V | 150 ohmios | |||||||||
| CD4691 | 2.3408 | | 5146 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Morir | 500 MW | Morir | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CD4691 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 200 Ma | 10 µA @ 5 V | 6.2 V | |||||||||
| Jantxv1n4967us/tr | 14.4438 | | 7552 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/356 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | SQ-Melf, E | 5 W | D-5B | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-jantxv1n4967us/tr | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 2 µA @ 18.2 V | 24 V | 5 ohmios | ||||||||
| 1N5539B/TR | 2.8861 | | 2699 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | Do-35 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-1N5539B/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 17.1 V | 19 V | 106 ohmios | ||||||||
 | Jantxv1n5711ub/tr | 66.3300 | | 7889 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/444 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | 4-SMD, sin Plomo | Schottky | UB | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-jantxv1n5711ub/tr | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 50 V | 1 V @ 15 Ma | 200 na @ 50 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 2pf @ 0V, 1 MHz | ||||||||
| Jan1n964cur-1/TR | 10.2410 | | 7272 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/117 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-ENERO1N964CUR-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 500 na @ 9.9 V | 13 V | 13 ohmios | ||||||||
| Jans1n4099c-1/tr | 63.1902 | | 6960 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JANS1N4099C-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 1 µA @ 5.2 V | 6.8 V | 200 ohmios | ||||||||
 | 1N4701/TR | 3.6575 | | 5223 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AA, do-7, axial | 500 MW | DO-7 (DO-204AA) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-1N4701/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 50 na @ 10.6 V | 14 V | |||||||||
| 1N4699-1E3 | 3.6575 | | 8509 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-1N4699-1E3 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 50 na @ 9.1 V | 12 V |
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