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Diodos (34409)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Velocidad	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
CDS750AUR-1	-	RFQ	6252	Tecnología de Microchip	*	Una granela	Activo									-	Alcanzar sin afectado	150-CDS750AUR-1	EAR99	8541.10.0050	50
CDS752AUR-1	-	RFQ	2263	Tecnología de Microchip	*	Una granela	Activo									-	Alcanzar sin afectado	150-cds752aur-1	EAR99	8541.10.0050	50
Jankca1n5536d	-	RFQ	1170	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/437	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	-	Alcanzar sin afectado	150-JANKCA1N5536D	EAR99	8541.10.0050	100					1.1 V @ 200 Ma		10 na @ 14.4 V				16 V	100 ohmios
S36130	61.1550	RFQ	2627	Tecnología de Microchip	*	Una granela	Activo									-	Alcanzar sin afectado	150-S36130			1
1N4736ur	3.6450	RFQ	1973	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AB, MELL (Vidrio)			1 W	DO-213AB (Melf, LL41)	-	Alcanzar sin afectado	150-1N4736ur	EAR99	8541.10.0050	1					1.2 v @ 200 ma		10 µA @ 4 V				6.8 V	3.5 ohmios
CDLL5280D	8.4150	RFQ	4748	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 20%	-65 ° C ~ 200 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA				DO-213AA	-	Alcanzar sin afectado	150-CDLL5280D	EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		100 na @ 137 V				190 V	2400 ohmios
Jantx1n6874utk2as	413.4000	RFQ	9171	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/469	Una granela	Activo			Montaje en superficie	Thinkey ™ 2		Estándar		Thinkey ™ 2	-	Alcanzar sin afectado	150-JantX1N6874UTK2AS	EAR99	8541.10.0070	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)				1 V @ 400 Ma			-65 ° C ~ 175 ° C	400mA	-
Jantxv1n4988cus	40.8900	RFQ	3522	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/356	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SQ-Melf, B			5 W	E-Mada	-	Alcanzar sin afectado	150-jantxv1n4988cus	EAR99	8541.10.0050	1					1.5 v @ 1 a		2 µA @ 136.8 V				180 V	450 ohmios
Jantx1n6329d	39.7950	RFQ	4856	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/533	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	-	Alcanzar sin afectado	150-Jantx1n6329d	EAR99	8541.10.0050	1					1.4 v @ 1 a		50 na @ 12 V				16 V	12 ohmios
689-2P	280.3200	RFQ	8809	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			Monte del Chasis	Dakota del Norte	689-2	Estándar		Dakota del Norte	descascar	Alcanzar sin afectado	150-689-2P	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	200 V	15A	1.2 v @ 10 a	500 ns	10 µA @ 200 V	-65 ° C ~ 150 ° C
1C5806-MSCL	6.4050	RFQ	5831	Tecnología de Microchip	*	Una granela	Activo									-	Alcanzar sin afectado	150-1C5806-MSCL			1
1N5254B-1	4.2300	RFQ	3005	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	-	Alcanzar sin afectado	150-1N5254B-1	EAR99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 200 Ma		100 na @ 21 V				27 V	41 ohmios
1N5228	2.7150	RFQ	1879	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	-	Alcanzar sin afectado	150-1N5228	EAR99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 200 Ma		10 µA @ 950 MV				3.9 V	23 ohmios
1N1670	158.8200	RFQ	3220	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			Montaje	DO-205AB, DO-9, Semento		Estándar		DO-205AB (DO-9)	descascar	Alcanzar sin afectado	150-1N1670	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		50 V		1.3 V @ 300 A		75 µA @ 50 V	-65 ° C ~ 190 ° C	275a	-
Janhca1n4113d	-	RFQ	9971	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/435	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Morir			500 MW	Morir	-	Alcanzar sin afectado	150-JANHCA1N4113D	EAR99	8541.10.0050	100					1.1 V @ 200 Ma		50 na @ 14.44 V				19 V	150 ohmios
CDLL5267D	8.4150	RFQ	4848	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA			10 MW	DO-213AA	-	Alcanzar sin afectado	150-CDLL5267D	EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		100 na @ 56 V				75 V	270 ohmios
1N5281B-1	3.6450	RFQ	8663	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial				DO-35 (DO-204AH)	-	Alcanzar sin afectado	150-1N5281B-1	EAR99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 200 Ma		100 na @ 152 V
Jantxv1n6344dus	68.5500	RFQ	2343	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/533	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SQ-Melf, B			500 MW	B, SQ-Melf	-	Alcanzar sin afectado	150-jantxv1n6344dus	EAR99	8541.10.0050	1					1.4 v @ 1 a		50 na @ 52 V				68 V	155 ohmios
Jans1n4461cus	283.8300	RFQ	9883	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/406	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Sq-melf, un			1.5 W	D-5A	-	Alcanzar sin afectado	150-Jans1n4461cus	EAR99	8541.10.0050	1					1.5 v @ 1 a		5 µA @ 4.08 V				6.8 V	2.5 ohmios
UZ7713	468.9900	RFQ	8785	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje	Semental			10 W	Axial	-	Alcanzar sin afectado	150-UZ7713	EAR99	8541.10.0050	1							50 µA @ 9.9 V				13 V	1.5 ohmios
1N1362A	44.3850	RFQ	9856	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-	Montaje	DO-203AA, DO-4, semento	1N136		10 W	DO-203AA (DO-4)	-	Alcanzar sin afectado	150-1n1362a	EAR99	8541.10.0050	1											30 V	4 ohmios
CDLL6017B	2.7150	RFQ	1127	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DO-213AA			500 MW	DO-213AA	-	Alcanzar sin afectado	150-CDLL6017B	EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		100 na @ 39 V				51 V	180 ohmios
1N1374	44.3850	RFQ	2608	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 10%	-	Montaje	DO-203AA, DO-4, semento	1N137		10 W	DO-203AA (DO-4)	-	Alcanzar sin afectado	150-1N1374	EAR99	8541.10.0050	1											91 V	35 ohmios
1N5529D	5.6850	RFQ	8676	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	-	Alcanzar sin afectado	150-1N5529D	EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		100 na @ 8.2 V				9.1 V	45 ohmios
1N5521C	11.3550	RFQ	6173	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	-	Alcanzar sin afectado	150-1N5521C	EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		3 µA @ 1.5 V				4.3 V	18 ohmios
CDLL5279	3.5850	RFQ	5034	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 20%	-65 ° C ~ 200 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA				DO-213AA	-	Alcanzar sin afectado	150-CDLL5279	EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		100 na @ 130 V				180 V	2200 ohmios
Jantxv1n4959cus	26.4300	RFQ	6986	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/356	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SQ-Melf, B			5 W	E-Mada	-	Alcanzar sin afectado	150-jantxv1n4959cus	EAR99	8541.10.0050	1					1.5 v @ 1 a		10 µA @ 8.4 V				11 V	2.5 ohmios
1N5244D	10.2450	RFQ	9069	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	-	Alcanzar sin afectado	150-1N5244D	EAR99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 200 Ma		100 na @ 10 V				14 V	15 ohmios
CDLL5238D	8.4150	RFQ	6628	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA			10 MW	DO-213AA	-	Alcanzar sin afectado	150-CDLL5238D	EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		3 µA @ 6.5 V				8.7 V	8 ohmios
Janhca1n4130c	-	RFQ	2802	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/435	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Morir			500 MW	Morir	-	Alcanzar sin afectado	150-JANHCA1N4130C	EAR99	8541.10.0050	100					1.1 V @ 200 Ma		10 na @ 51.68 V				68 V	700 ohmios

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Diodos (34409)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²