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Diodos (34409)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Jans1n5969 | - |  | 4109 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/356 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | E, axial | 5 W | E, axial | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 1 ma @ 4.74 V | 6.2 V | 1 ohmios | |||||||||||
 | Jans1n6490dus | - | | 3099 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/406 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Sq-melf, un | 1.5 W | A, SQ-Melf | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 1 µA @ 1 V | 5.1 V | 7 ohmios | |||||||||||
| UZ7836 | 468.9900 | | 7708 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje | Semental | 10 W | Axial | - | Alcanzar sin afectado | 150-UZ7836 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 10 µA @ 25.9 V | 36 V | 12 ohmios | ||||||||||||
 | Jantxv1n4581a-1/tr | 7.3950 | | 5867 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/452 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantXV1N4581A-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 6.4 V | 25 ohmios | |||||||||||
 | CDLL4572/TR | 9.2100 | | 9270 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | 0 ° C ~ 75 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA | 500 MW | DO-213AA | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL4572/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 100 ohmios | ||||||||||||
| Jan1n6339c | 39.6300 | | 8033 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/533 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | Alcanzar sin afectado | 150-Enero1n6339c | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 v @ 1 a | 50 na @ 33 V | 43 V | 65 ohmios | |||||||||||
 | 1 PMT5947A/TR13 | 2.2200 | | 8571 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 10% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-216AA | 1pmt5947 | 3 W | DO-216AA | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 12,000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 62.2 V | 82 V | 160 ohmios | |||||||||
| S3250 | 49.0050 | | 1399 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Una granela | Activo | - | Alcanzar sin afectado | 150-S3250 | 1 | |||||||||||||||||||||||
| Jans1n5621us/tr | 78.0150 | | 9031 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/429 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | Sq-melf, un | Estándar | A, SQ-Melf | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-jans1n5621us/tr | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 800 V | 1.6 v @ 3 a | 300 ns | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | - | |||||||||
| SMBG5344A/TR13 | 2.2200 | | 7269 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-215AA, Ala de Gaviota de SMB | SMBG5344 | 5 W | SMBG (DO-215AA) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.2 v @ 1 a | 10 µA @ 5.9 V | 8.2 V | 1.5 ohmios | |||||||||
| Jantx1n4985cus/tr | 24.7500 | | 7385 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | MIL-PRF-19500/356 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | 5 W | E-Mada | - | 150-Jantx1n4985cus/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.5 v @ 1 a | 2 µA @ 98.8 V | 130 V | 190 ohmios | ||||||||||||
| 1N4758UR-1/TR | 3.6200 | | 5189 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | 1 W | DO-213AB (Melf, LL41) | - | EAR99 | 8541.10.0050 | 272 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µA @ 42.6 V | 56 V | 110 ohmios | |||||||||||||
 | Jan1n6345us/tr | 14.2576 | | 3408 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/533 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | 500 MW | B, SQ-Melf | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-ENERO1N6345US/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 v @ 1 a | 50 na @ 56 V | 75 V | 180 ohmios | ||||||||||
| Jan1n4985dus/tr | 42.5850 | | 1089 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | MIL-PRF-19500/356 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | 5 W | E-Mada | - | 150-ENERO1N4985DUS/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.5 v @ 1 a | 2 µA @ 98.8 V | 130 V | 190 ohmios | ||||||||||||
| 1 PMT5944A/TR13 | 2.2200 | | 7661 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 10% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-216AA | 1pmt5944 | 3 W | DO-216AA | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 12,000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 47.1 V | 62 V | 100 ohmios | |||||||||
| CDLL4620/TR | 3.1654 | | 2742 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA | 500 MW | DO-213AA | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL4620/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 3.5 µA @ 1.5 V | 3.3 V | 1650 ohmios | ||||||||||
| Jantxv1n2809rb | - | | 5447 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/114 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A-204AD | 1N2809 | 10 W | TO-204AD (TO-3) | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 2 a | 10 µA @ 8.4 V | 11 V | 0.8 ohmios | ||||||||||
 | Jantxv1n3030cur-1/tr | 41.0438 | | 6997 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/115 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | 1 W | DO-213AB (Melf, LL41) | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-Jantxv1n3030cur-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µA @ 20.6 V | 27 V | 35 ohmios | ||||||||||
| CDLL5276D | 8.4150 | | 9268 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 20% | -65 ° C ~ 200 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA | DO-213AA | - | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL5276D | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 100 na @ 108 V | 150 V | 1500 ohmios | ||||||||||||
| 1N7050-1/TR | 7.3650 | | 8689 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 10% | - | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 250 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-1N7050-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 5 µA @ 1.5 V | 4.8 V | 35 ohmios | |||||||||||
 | Jan1n4484 | 8.1900 | | 6217 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/406 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N4484 | 1.5 W | Do-41 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 200 Ma | 250 na @ 49.6 V | 62 V | 80 ohmios | |||||||||
 | CD3038B | 3.6043 | | 2030 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Morir | 1 W | Morir | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CD3038B | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 500 na @ 42.6 V | 56 V | 110 ohmios | ||||||||||
| 1N4737UR-1/TR | 3.8000 | | 5450 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | 1 W | DO-213AB (Melf, LL41) | - | EAR99 | 8541.10.0050 | 258 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µA @ 5 V | 7.5 V | 4 ohmios | |||||||||||||
| S36150 | 61.1550 | | 2798 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Una granela | Activo | - | Alcanzar sin afectado | 150-S36150 | 1 | |||||||||||||||||||||||
| ST6040 | 78.9000 | | 5588 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | TO-204AA, TO-3 | Estándar | TO-204AA (TO-3) | - | Alcanzar sin afectado | 150 ST6040 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1 V @ 30 A | 10 µA @ 400 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 20A | - | ||||||||||
 | CDLL5238B | 2.8650 | | 4805 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Do-213ab, melf | CDLL5238 | 10 MW | DO-213AB | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 3 µA @ 6.5 V | 8.7 V | 8 ohmios | |||||||||
| 1N6912UTK2 | 259.3500 | | 9121 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | Montaje en superficie | Thinkey ™ 2 | Schottky | Thinkey ™ 2 | - | Alcanzar sin afectado | 150-1N6912UTK2 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) | 45 V | 640 MV @ 25 A | 1.2 Ma @ 45 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 25A | 1000PF @ 5V, 1MHz | ||||||||||
 | Jans1n4985us/tr | 86.0502 | | 7649 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/356 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SQ-Melf, E | 5 W | D-5B | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-jans1n4985us/tr | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 2 µA @ 98.8 V | 130 V | 190 ohmios | ||||||||||
| Jantxv1n4485cus/tr | 45.2850 | | 6777 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | MIL-PRF-19500/406 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Sq-melf, un | 1.5 W | D-5A | - | 150-jantxv1n4485cus/tr | EAR99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.5 v @ 1 a | 250 na @ 54.4 V | 68 V | 100 ohmios | ||||||||||||
| Jan1n756aur-1/TR | 4.0831 | | 7164 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/127 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-ENERO1N756AUR-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 1 µA @ 6 V | 8.2 V | 8 ohmios |
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