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Diodos (34409)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Janhca1n4584a | 28.0200 |  | 6767 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/452 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JANHCA1N4584A | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 6.4 V | 25 ohmios | |||||||||
 | CDLL823/TR | 4.9500 | | 1649 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 4.83% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA | 500 MW | DO-213AA | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL823/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 6.2 V | 15 ohmios | |||||||||
 | Jantxv1n3043cur-1/tr | 41.0438 | | 7096 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/115 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | 1 W | DO-213AB (Melf, LL41) | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantXV1N3043CUR-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µA @ 69.2 V | 91 V | 250 ohmios | ||||||||
 | CDLL5267B/TR | 3.3516 | | 9587 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Do-213ab, melf | 10 MW | DO-213AB | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL5267B/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 100 na @ 56 V | 75 V | 270 ohmios | ||||||||
| 1N4620ur-1/TR | 3.1255 | | 1865 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TA) | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 500 MW | DO-213AA | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-1N4620ur-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 7.5 µA @ 1.5 V | 3.3 V | 1.65 ohmios | ||||||||
| CDLL4931/TR | 79.8150 | | 7065 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA | 500 MW | DO-213AA | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL4931/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 15 µA @ 12 V | 19.2 V | 36 ohmios | |||||||||
| CDLL5544B/TR | 5.9052 | | 4125 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Do-213ab, melf | 500 MW | DO-213AB | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL5544B/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 25.2 V | 28 V | 100 ohmios | ||||||||
| Jan1n914ur/tr | 3.0457 | | 8187 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/116 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-213AA | Estándar | DO-213AA | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-Enero1n914ur/TR | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 75 V | 1.2 V @ 50 Ma | 20 ns | 500 na @ 75 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 200 MMA | 4PF @ 0V, 1MHz | ||||||
| Jans1n4111cur-1/tr | 91.5802 | | 5088 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-jans1n4111cur-1/tr | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 50 na @ 13 V | 17 V | 100 ohmios | ||||||||
| Jan1N4624C-1/TR | 8.6317 | | 5881 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-ENERO1N4624C-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 5 µA @ 3 V | 4.7 V | 1550 ohmios | ||||||||
| 1N4625-1E3/TR | 2.6999 | | 8237 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-1N4625-1E3/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 5 µA @ 3 V | 5.1 V | 1500 ohmios | ||||||||
| Jantx1n4122cur-1/tr | 21.7056 | | 3197 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantX1N4122CUR-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 27.4 V | 36 V | 200 ohmios | ||||||||
 | 1N6620U/TR | 13.2300 | | 6286 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | Sq-melf, un | Estándar | Una masa | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-1N6620U/TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 220 V | 1.4 V @ 1.2 A | 30 ns | 500 na @ 220 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 1.2a | 10pf @ 10V, 1 MHz | ||||||
 | CD4678 | 2.3408 | | 8123 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Morir | 500 MW | Morir | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CD4678 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 200 Ma | 7.5 µA @ 1 V | 1.8 V | |||||||||
 | Jan1N3331B | - | | 2083 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/358 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje | Do-203ab, do-5, semental | 50 W | Do-5 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-Enero1n3331b | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 10 A | 10 µA @ 38.8 V | 50 V | 5 ohmios | ||||||||
| Jantxv1n974cur-1/tr | 17.3166 | | 2027 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/117 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-jantxv1n974cur-1/tr | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 500 na @ 27 V | 36 V | 70 ohmios | ||||||||
| Jan1N4110ur-1/TR | 5.1870 | | 7829 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | DO-213AA | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-ENERO1N4110UR-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 50 na @ 12.2 V | 16 V | 100 ohmios | |||||||||
| Jan1N6940UTK3CS/TR | 408.7950 | | 5228 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | Thinkey ™ 3 | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | Thinkey ™ 3 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-ENERO1N6940UTK3CS/TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 15 V | 500 MV @ 150 A | 5 Ma @ 15 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 150a | ||||||||
 | Jans1n6637us/tr | - | | 6381 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/356 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SQ-Melf, E | 5 W | D-5B | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-jans1n6637us/tr | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 5 µA @ 1 V | 5.1 V | 1.5 ohmios | ||||||||
| Jantxv1n5527cur-1/tr | 44.0629 | | 2525 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/437 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantXV1N5527CUR-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 500 na @ 6.8 V | 7.5 V | 35 ohmios | ||||||||
| CDLL4763/TR | 3.2319 | | 1545 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Do-213ab, melf | DO-213AB | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL4763/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 100 na @ 69.2 V | 91 V | 250 ohmios | |||||||||
| CDLL945A/TR | 40.9950 | | 5298 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA | 500 MW | DO-213AA | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL945A/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 15 µA @ 8 V | 11.7 V | 30 ohmios | |||||||||
| Jans1n7048-1/tr | 153.2700 | | 2699 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-jans1n7048-1/tr | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||
 | Janhca1n5536b | 6.7564 | | 3770 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/437 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | Do-35 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JANHCA1N5536B | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 14.4 V | 16 V | 100 ohmios | ||||||||
| Jantxv1n5621us/tr | 15.6000 | | 2885 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/429 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | Sq-melf, un | Estándar | D-5A | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-jantxv1n5621us/tr | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 800 V | 1.6 v @ 3 a | 300 ns | 500 na @ 800 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 20pf @ 12V, 1 MHz | ||||||
 | Jantxv1n3026d-1/tr | 33.8618 | | 8068 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/115 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 1% | -55 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1 W | Do-41 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantXV1N3026D-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µA @ 13.7 V | 18 V | 20 ohmios | ||||||||
| CDLL5236A/TR | 2.7132 | | 9857 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Do-213ab, melf | 10 MW | DO-213AB | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL5236A/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 3 µA @ 6 V | 7.5 V | 6 ohmios | ||||||||
| Jan1n3822d-1/TR | 19.4047 | | 1302 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/115 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1 W | Do-41 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-ENERO1N3822D-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 75 µA @ 1 V | 3.6 V | 10 ohmios | ||||||||
| Jans1n7050-1/tr | 153.2700 | | 3879 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JANS1N7050-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||
| CDLL6314/TR | 12.5951 | | 1664 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Do-213ab, melf | 500 MW | DO-213AB | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL6314/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 2 µA @ 1 V | 3.9 V | 20 ohmios |
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