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Diodos (34409)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Velocidad	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Tipo de diodo	Voltaje - Reverso Máximo (Max)	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
Jantx1n3293r	-	RFQ	1061	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/246	Una granela	Activo			Montaje	DO-205AA, DO-8, Semento		Estándar		DO-205AA (DO-8)	-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		600 V		1.55 V @ 310 A		10 Ma @ 600 V	-65 ° C ~ 200 ° C	100A	-
MBR3045Cte3/TU	-	RFQ	6434	Tecnología de Microchip	-	Tubo	Activo			A Través del Aguetero	Un 220-3	MBR3045	Schottky		Un 220b	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	2,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	45 V	15A	700 MV @ 15 A		50 µA @ 45 V	-65 ° C ~ 175 ° C
Jantxv1n5524c-1/tr	20.8544	RFQ	8444	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/437	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-JantXV1N5524C-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		3 µA @ 3.5 V						5.6 V	30 ohmios
803-2	-	RFQ	4404	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Descontinuado en sic		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	4 Cuadrado, MB		Estándar		MEGABYTE	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1							20 µA @ 100 V				Fase única	100 V
1N4480C	17.7000	RFQ	9047	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204al, do041, axial			1.5 W	Do-41	descascar			Alcanzar sin afectado	150-1N4480C	EAR99	8541.10.0050	1					1.5 v @ 1 a		50 na @ 34.4 V						43 V	40 ohmios
1N2812A	94.8900	RFQ	8563	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	A-204AD	1N2812		50 W	TO-204AD (TO-3)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 10 A		10 µA @ 10.6 V						14 V	1.2 ohmios
1N5254A	4.2300	RFQ	5416	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N5254		500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 200 Ma		100 na @ 21 V						27 V	41 ohmios
1 PMT4100CE3/TR13	0.4950	RFQ	9224	Tecnología de Microchip	PowerMite®	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-216AA	1pmt4100		1 W	DO-216	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	12,000					1.1 V @ 200 Ma		10 µA @ 5.7 V						7.5 V	200 ohmios
CDLL5256C	6.7200	RFQ	1795	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA			10 MW	DO-213AA	-			Alcanzar sin afectado	150-CDLL5256C	EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		100 na @ 23 V						30 V	49 ohmios
1N4150ubca/TR	25.5400	RFQ	9674	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo									-							100
1 PMT4115CE3/TR7	-	RFQ	2234	Tecnología de Microchip	PowerMite®	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-216AA	1pmt4115		1 W	DO-216	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000					1.1 V @ 200 Ma		10 na @ 16.72 V						22 V	150 ohmios
Jantx1n746aur-1	4.7100	RFQ	6966	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/127	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)	1N746		500 MW	DO-213AA	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		5 µA @ 1 V						3.3 V	28 ohmios
Jan1n4469us	10.8150	RFQ	2018	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/406	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Sq-melf, un	1N4469		1.5 W	D-5A	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1 V @ 200 Ma		500 na @ 12 V						15 V	9 ohmios
Jantxv1n6486dus	-	RFQ	6510	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/406	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Sq-melf, un			1.5 W	A, SQ-Melf	-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.5 v @ 1 a		50 µA @ 1 V						3.6 V	10 ohmios
Jan1n748dur-1/TR	12.7680	RFQ	7788	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/127	Tape & Reel (TR)	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)			500 MW	DO-213AA	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-ENERO1N748DUR-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		2 µA @ 1 V						3.9 V	23 ohmios
1N5920BP/TR8	1.8900	RFQ	7021	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	1N5920		1.5 W	DO-204Al (DO-41)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1.500					1.2 v @ 200 ma		5 µA @ 4 V						6.2 V	2 ohmios
Jantxv1n6621us	18.1050	RFQ	1180	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/585	Una granela	Activo			Montaje en superficie	Sq-melf, un	1N6621	Estándar		D-5A	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		440 V		1.4 V @ 1.2 A	30 ns	500 na @ 440 V	-65 ° C ~ 150 ° C	1.2a	-
UZ8830	20.5751	RFQ	5436	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Axial			1 W	A, axial	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-UZ8830	EAR99	8541.10.0050	1							500 na @ 22.8 V						30 V	40 ohmios
Jantxv1n5545bur-1/tr	17.2900	RFQ	1339	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/437	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)			500 MW	DO-213AA	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-jantxv1n5545bur-1/tr	EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		10 na @ 27 V						30 V	100 ohmios
Jankca1n4103	-	RFQ	9721	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/435	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AA, do-7, axial			500 MW	DO-7 (DO-204AA)	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-JANKCA1N4103	EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		1 µA @ 6.92 V						9.1 V	200 ohmios
1N4926	84.7200	RFQ	6770	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-25 ° C ~ 100 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N4926		500 MW	Do-35	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1													19.2 V	75 ohmios
Jan1n4988dus	42.4350	RFQ	1954	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/356	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	SQ-Melf, E	1N4988		5 W	D-5B	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.5 v @ 1 a		2 µA @ 136.8 V						180 V	450 ohmios
Jantxv1n4134c-1/tr	20.6815	RFQ	4047	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/435	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-JantXV1N4134C-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		10 na @ 69.2 V						91 V	1200 ohmios
1N1126R	38.3850	RFQ	8486	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			Montaje	DO-203AA, DO-4, semento		Polaridad Inversa Estándar		DO-4 (DO-203AA)	descascar			Alcanzar sin afectado	150-1N1126R	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		400 V		1.2 V @ 30 A		10 µA @ 400 V	-65 ° C ~ 200 ° C	12A	-
CD4742C	-	RFQ	8467	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Morir			1 W	Morir	-			Alcanzar sin afectado	150-CD4742C	EAR99	8541.10.0050	228					1.5 V @ 200 Ma		1 µA @ 9.1 V						12 V	9 ohmios
Jan1N4133DUR-1	24.5550	RFQ	9632	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/435	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)	1N4133			DO-213AA	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		10 na @ 66.2 V						87 V	1000 ohmios
Jantxv1n6321d	45.0600	RFQ	4676	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/533	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	-			Alcanzar sin afectado	150-JantXV1N6321D	EAR99	8541.10.0050	1					1.4 v @ 1 a		2 µA @ 5 V						7.5 V	4 ohmios
Jantx1n5524cur-1	37.7850	RFQ	1211	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/437	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)	1N5524		500 MW	DO-213AA	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		2 µA @ 3.5 V						5.6 V	30 ohmios
Jan1N5551us/TR	8.9400	RFQ	9344	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/420	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	SQ-Melf, E		Estándar		D-5B	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-ENERO1N5551US/TR	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		400 V		1.2 v @ 9 a	2 µs	1 µA @ 400 V	-65 ° C ~ 175 ° C	3A	-
Jan1N4122C-1	10.5000	RFQ	1818	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/435	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N4122			DO-35 (DO-204AH)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		10 na @ 27.4 V						36 V	200 ohmios

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
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Diodos (34409)

2000+

30,000,000

2800+

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15,000 m²