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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | CDLL5233C | 6.7200 | ![]() | 9768 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA | 10 MW | DO-213AA | - | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL5233C | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 5 µA @ 3.5 V | 6 V | 7 ohmios | ||||||||
![]() | 1N2230 | 44.1600 | ![]() | 8801 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | Montaje | DO-203AA, DO-4, semento | Estándar | DO-4 (DO-203AA) | descascar | Alcanzar sin afectado | 150-1N2230 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1.3 V @ 30 A | 10 µA @ 200 V | -65 ° C ~ 200 ° C | 5A | - | |||||||
![]() | CD4780 | 18.4950 | ![]() | 6903 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Morir | Morir | - | Alcanzar sin afectado | 150-CD4780 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 8.5 V | 200 ohmios | |||||||||||
![]() | Jans1n4466d | 258.8850 | ![]() | 9828 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/406 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204al, do041, axial | 1.5 W | Do-41 | - | Alcanzar sin afectado | 150-jans1n4466d | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 300 na @ 8.8 V | 11 V | 6 ohmios | ||||||||
Jantx1n6339c | 29.2350 | ![]() | 3382 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/533 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | Alcanzar sin afectado | 150-Jantx1n6339c | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 v @ 1 a | 50 na @ 33 V | 43 V | 65 ohmios | |||||||||
Uz8740 | 22.4400 | ![]() | 4193 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | A, axial | 1 W | A, axial | - | Alcanzar sin afectado | 150-UZ8740 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 500 na @ 30.4 V | 40 V | 62 ohmios | ||||||||||
![]() | 1N2130R | 74.5200 | ![]() | 3493 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | Montaje | Do-203ab, do-5, semental | Polaridad Inversa Estándar | DO-5 (DO-203AB) | descascar | Alcanzar sin afectado | 150-1N2130R | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 150 V | 1.25 V @ 200 A | 25 µA @ 150 V | -65 ° C ~ 200 ° C | 70a | - | |||||||
![]() | UFR7040 | 97.1250 | ![]() | 1938 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Una granela | Activo | - | Alcanzar sin afectado | 150-UFR7040 | 1 | ||||||||||||||||||||
![]() | 1N5542DUR-1 | 16.2000 | ![]() | 7690 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-213AA | 500 MW | DO-213AA | - | Alcanzar sin afectado | 150-1N5542DUR-1 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 21.6 V | 24 V | 100 ohmios | ||||||||
1N4149-1 | 1.1400 | ![]() | 6969 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | Estándar | DO-35 (DO-204AH) | descascar | Alcanzar sin afectado | 150-1N4149-1 | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 75 V | 1 V @ 10 Ma | 4 ns | 25 na @ 20 V | -65 ° C ~ 200 ° C | 200 MMA | - | |||||||
Jantx1n6349d | 39.7950 | ![]() | 1652 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/533 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | Alcanzar sin afectado | 150-Jantx1n6349d | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 v @ 1 a | 50 na @ 84 V | 110 V | 500 ohmios | |||||||||
1N5542A | 3.0750 | ![]() | 9489 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | Alcanzar sin afectado | 150-1N5542A | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 20 V | 24 V | ||||||||||
1N5543 | 3.0750 | ![]() | 2714 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 20% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | Alcanzar sin afectado | 150-1N5543 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 21 V | 25 V | ||||||||||
1N4568E3 | 6.4050 | ![]() | 6419 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | Alcanzar sin afectado | 150-1N4568E3 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 6.4 V | 200 ohmios | ||||||||||
![]() | R42120 | 102.2400 | ![]() | 7998 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | Montaje | DO-205AA, DO-8, Semento | Polaridad Inversa Estándar | DO-205AA (DO-8) | - | Alcanzar sin afectado | 150-R42120 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1200 V | 1.2 v @ 200 a | 50 µA @ 1200 V | -65 ° C ~ 200 ° C | 125a | - | |||||||
![]() | CDLL5527D | 16.2000 | ![]() | 3057 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-213AA | 500 MW | DO-213AA | - | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL5527D | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 500 na @ 6.8 V | 7.5 V | 35 ohmios | ||||||||
![]() | 1N5073 | 23.4000 | ![]() | 6721 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Axial | 3 W | Axial | - | Alcanzar sin afectado | 150-1N5073 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 5 µA @ 13.7 V | 18 V | 8 ohmios | |||||||||
Jantxv1n4465cus | 30.8850 | ![]() | 1392 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Sq-melf, un | 1.5 W | D-5A | - | Alcanzar sin afectado | 150-jantxv1n4465cus | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 300 na @ 8 V | 10 V | 5 ohmios | |||||||||
Jantxv1n6322d | 45.0600 | ![]() | 1518 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/533 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | Alcanzar sin afectado | 150-jantxv1n6322d | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 v @ 1 a | 1 µA @ 6 V | 8.2 V | 5 ohmios | |||||||||
![]() | CDS748AUR-1 | - | ![]() | 2217 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Una granela | Activo | - | Alcanzar sin afectado | 150-cds748aur-1 | EAR99 | 8541.10.0050 | 50 | ||||||||||||||||||
Jantxv1n4968d | 22.8450 | ![]() | 9286 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/356 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | E, axial | 5 W | E, axial | - | Alcanzar sin afectado | 150-jantxv1n4968d | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 2 µA @ 20.6 V | 27 V | 6 ohmios | |||||||||
1N4578A | 8.9400 | ![]() | 7219 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | Alcanzar sin afectado | 150-1N4578A | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 6.4 V | 50 ohmios | ||||||||||
![]() | CDS5229D-1 | - | ![]() | 3212 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Una granela | Activo | - | Alcanzar sin afectado | 150-CDS5229D-1 | EAR99 | 8541.10.0050 | 50 | ||||||||||||||||||
![]() | Jantxv1n4492c | 33.0000 | ![]() | 6728 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/406 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204al, do041, axial | 1.5 W | Do-41 | - | Alcanzar sin afectado | 150-JantXV1N4492C | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 250 na @ 104 V | 130 V | 500 ohmios | ||||||||
![]() | 1N6623E3 | 10.7400 | ![]() | 4136 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | Axial | Estándar | Axial | - | Alcanzar sin afectado | 150-1N6623E3 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 800 V | 1.8 V @ 1.5 A | 50 ns | 500 na @ 800 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1.5a | - | ||||||
![]() | Jankca1n4133d | - | ![]() | 6341 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Morir | 500 MW | Morir | - | Alcanzar sin afectado | 150-JANKCA1N4133D | EAR99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 66.12 V | 87 V | 1000 ohmios | ||||||||
Janhca1n747d | - | ![]() | 6979 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | Alcanzar sin afectado | 150-JANHCA1N747D | EAR99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 µA @ 1 V | 3.6 V | 24 ohmios | |||||||||
![]() | CD5265 | 1.6350 | ![]() | 9088 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 20% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Morir | 500 MW | Morir | - | Alcanzar sin afectado | 150-CD5265 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 200 Ma | 100 na @ 47 V | 62 V | 185 ohmios | ||||||||
![]() | Jankca1n4128d | - | ![]() | 4053 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Morir | 500 MW | Morir | - | Alcanzar sin afectado | 150-JANKCA1N4128D | EAR99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 45.6 V | 60 V | 400 ohmios | ||||||||
Jan1n633333c | 39.6300 | ![]() | 7909 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/533 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | Alcanzar sin afectado | 150-Enero1n6333c | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 v @ 1 a | 50 na @ 18 V | 24 V | 24 ohmios |
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