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Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Velocidad	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
1 PMT4117E3/TR13	0.4950	RFQ	2241	Tecnología de Microchip	PowerMite®	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-216AA	1pmt4117		1 W	DO-216	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	12,000			1.1 V @ 200 Ma		10 na @ 19 V				25 V	150 ohmios
1N4908/TR	25.9650	RFQ	5496	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-25 ° C ~ 100 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AA, do-7, axial			400 MW	Do-7	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-1N4908/TR	EAR99	8541.10.0050	1									12.8 V	50 ohmios
S4360TS	112.3200	RFQ	8736	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			Montaje	DO-205AA, DO-8, Semento		Estándar		DO-205AA (DO-8)	-			Alcanzar sin afectado	150-S4360TS	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)	600 V	1.1 v @ 200 a		50 µA @ 600 V	-65 ° C ~ 200 ° C	150a	-
1N4577A-1E3/TR	8.4300	RFQ	5697	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TA)	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-1N4577A-1E3/TR	EAR99	8541.10.0050	1					2 µA @ 50 V				6.4 V
Jantxv1n3344rb	-	RFQ	2994	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/358	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje	Do-203ab, do-5, semental			50 W	Do-5	-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 10 A		10 µA @ 99.8 V				130 V	50 ohmios
1N6349	8.4150	RFQ	9265	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N6349		500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.4 v @ 1 a		50 na @ 84 V				110 V	500 ohmios
Msasc100h45hr	-	RFQ	3679	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			Montaje en superficie	Thinkey ™ 1		Schottky		Thinkey ™ 1	-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	100	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	45 V	650 MV @ 80 A			-65 ° C ~ 150 ° C	100A	-
CD5988	4.3350	RFQ	5529	Tecnología de Microchip	*	Una granela	Activo									-			Alcanzar sin afectado	150-CD5988	EAR99	8541.10.0050	1
1N1186R	74.5200	RFQ	9293	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			Montaje	Do-203ab, do-5, semental	1N1186	Polaridad Inversa Estándar		DO-203AB (DO-5)	descascar	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado	1N1186RMS	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)	200 V	1.4 V @ 110 A		10 µA @ 200 V	-65 ° C ~ 175 ° C	35a	-
1N6858UR-1/TR	13.8900	RFQ	3565	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/444	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-213AA		Schottky		DO-213AA	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-1N6858UR-1/TR	EAR99	8541.10.0070	1	Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad	50 V	650 MV @ 15 Ma		200 na @ 50 V	-65 ° C ~ 150 ° C	75 Ma	4.5pf @ 0V, 1 MHz
CD4099	1.3832	RFQ	1936	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Morir			500 MW	Morir	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-CD4099	EAR99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 200 Ma		10 µA @ 5.17 V				6.8 V	200 ohmios
Jantx1n6621us	14.4600	RFQ	9978	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/585	Una granela	Activo			Montaje en superficie	Sq-melf, un	1N6621	Estándar		D-5A	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	440 V	1.4 V @ 1.2 A	30 ns	500 na @ 440 V	-65 ° C ~ 150 ° C	2a	10pf @ 10V, 1 MHz
Jan1n4110dur-1	18.2400	RFQ	3153	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/435	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)	1N4110			DO-213AA	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		50 na @ 12.2 V				16 V	100 ohmios
1N5937D	8.2950	RFQ	4533	Tecnología de Microchip	MIL-PRF-19500	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204al, do041, axial	1N5937		1.25 W	Do-41	descascar	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.2 v @ 200 ma		1 µA @ 25.1 V				33 V	33 ohmios
Jan1n6627us/tr	14.3550	RFQ	3523	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/590	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	SQ-Melf, E		Estándar		D-5B	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-ENERO1N6627US/TR	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	440 V	1.35 V @ 1.2 A	30 ns	2 µA @ 440 V	-65 ° C ~ 150 ° C	1.75a	40pf @ 10V, 1 MHz
1N3882	47.0100	RFQ	1603	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			Montaje	DO-203AA, DO-4, semento	1N3882	Estándar		DO-4 (DO-203AA)	descascar	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado	1N3882MS	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	300 V	1.4 V @ 20 A	200 ns	15 µA @ 300 V	-65 ° C ~ 175 ° C	6A	115pf @ 10V, 1 MHz
1N4580A/TR	4.0650	RFQ	9912	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar			Alcanzar sin afectado	150-1N4580A/TR	EAR99	8541.10.0050	233					2 µA @ 3 V				6.4 V	25 ohmios
SMBJ4746AE3/TR13	0.4500	RFQ	9625	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-214AA, SMB	SMBJ4746		2 W	SMBJ (DO-214AA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000			1.2 v @ 200 ma		5 µA @ 13.7 V				18 V	20 ohmios
1N3021B-1	8.1900	RFQ	4043	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	1N3021		1 W	DO-204Al (DO-41)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.2 v @ 200 ma		10 µA @ 8.4 V				11 V	8 ohmios
CDLL5539D/TR	16.3950	RFQ	7854	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DO-213AA			500 MW	DO-213AA	-			Alcanzar sin afectado	150-CDLL5539D/TR	EAR99	8541.10.0050	100			1.1 V @ 200 Ma		10 na @ 17.1 V				19 V	100 ohmios
1N958B-1E3/TR	2.4073	RFQ	6830	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-1N958B-1E3/TR	EAR99	8541.10.0050	1			1.3 V @ 200 Ma		75 µA @ 5.7 V				7.5 V	5.5 ohmios
1N6664R	201.0900	RFQ	9769	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			A Través del Aguetero	Un 257-3		Estándar		Un 257	-			Alcanzar sin afectado	150-1N6664R	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	100 V	1 v @ 6 a	35 ns	250 na @ 100 V	-	6A	-
Jans1n4963d	374.1920	RFQ	1124	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo									descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-jans1n4963d	EAR99	8541.10.0050	1
1 PMT5928BE3/TR7	0.7350	RFQ	5894	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-216AA	1pmt5928		3 W	DO-216AA	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000			1.2 v @ 200 ma		1 µA @ 9.9 V				13 V	7 ohmios
1N5923Bur-1/TR	4.2200	RFQ	9098	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DO-213AB, MELL (Vidrio)			1.25 W	DO-213AB (Melf, LL41)	-					EAR99	8541.10.0050	233			1.2 v @ 200 ma		5 µA @ 6.5 V				8.2 V	3.5 ohmios
Jans1n4125-1/tr	31.6700	RFQ	9492	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/435	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-jans1n4125-1/tr	EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		10 na @ 35.8 V				47 V	250 ohmios
Jantx1n4465us	15.5000	RFQ	198	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/406	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AB, MELL (Vidrio)	1N4465		1.5 W	Melf, d5a	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.5 v @ 1 a		300 na @ 8 V				10 V	5 ohmios
1N6872UTK2CS/TR	259.3500	RFQ	5521	Tecnología de Microchip	*	Tape & Reel (TR)	Activo									-			Alcanzar sin afectado	150-1N6872UTK2CS/TR			100
Jantxv1n4938-1/tr	-	RFQ	5219	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/169	Tape & Reel (TR)	Activo			A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial		Estándar		DO-35 (DO-204AH)	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-jantxv1n4938-1/tr	EAR99	8541.10.0070	1	Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad	175 V	1 V @ 30 Ma	50 ns	100 Pa @ 175 V	-65 ° C ~ 175 ° C	-	-
Jantxv1n3043c-1/tr	33.0901	RFQ	2459	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/115	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-55 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do041, axial			1 W	Do-41	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-JantXV1N3043C-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1			1.2 v @ 200 ma		10 µA @ 69.2 V				91 V	250 ohmios

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Diodos (34409)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²