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Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Velocidad	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
Jan1N755C-1	5.1900	RFQ	8558	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/127	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N755		500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		2 µA @ 5 V				7.5 V	6 ohmios
CDLL5253/TR	2.7132	RFQ	3270	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 20%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Do-213ab, melf			10 MW	DO-213AB	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-CDLL5253/TR	EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		100 na @ 19 V				25 V	35 ohmios
Jantxv1n4963dus	33.0450	RFQ	4277	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/356	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SQ-Melf, B			5 W	E-Mada	-			Alcanzar sin afectado	150-jantxv1n4963dus	EAR99	8541.10.0050	1			1.5 v @ 1 a		5 µA @ 12.2 V				16 V	3.5 ohmios
Jans1n4128c-1	67.5450	RFQ	2026	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/435	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		10 na @ 45.6 V				60 V	400 ohmios
UZ5708	32.2650	RFQ	7647	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	B, axial			5 W	B, axial	-			Alcanzar sin afectado	150-UZ5708	EAR99	8541.10.0050	1					200 µA @ 6.2 V				8.2 V	1.5 ohmios
Jan1N5538B-1	-	RFQ	2463	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/437	Una granela	Descontinuado en sic	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		10 na @ 16.2 V				18 V	100 ohmios
Jantx1n5188/tr	10.9200	RFQ	1612	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/424	Tape & Reel (TR)	Activo			A Través del Aguetero	B, axial		Estándar		B, axial	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-JantX1N5188/TR	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	400 V	1.5 v @ 9 a	250 ns	2 µA @ 400 V	-65 ° C ~ 175 ° C	3A	-
Jan1N984C-1	4.3950	RFQ	2302	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/117	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N984		500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		500 na @ 69 V				91 V	400 ohmios
1N5536BUR-1/TR	6.6300	RFQ	6851	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DO-213AA			500 MW	DO-213AA	-					EAR99	8541.10.0050	146			1.1 V @ 200 Ma		10 na @ 14.4 V				16 V	100 ohmios
Jan1n4573aur-1/TR	18.7650	RFQ	8165	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/452	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)			500 MW	DO-213AA	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-ENERO1N4573AUR-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1					2 µA @ 3 V				6.4 V	100 ohmios
1N4579A-1	27.3800	RFQ	41	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Descontinuado en sic	± 5%	-55 ° C ~ 100 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	Do-35	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					2 µA @ 3 V				6.4 V	50 ohmios
Jantxv1n980bur-1/tr	6.8495	RFQ	1398	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/117	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)			500 MW	DO-213AA	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-jantxv1n980bur-1/tr	EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		500 na @ 47 V				62 V	185 ohmios
CDS753AUR-1/TR	-	RFQ	9526	Tecnología de Microchip	*	Tape & Reel (TR)	Activo									-			Alcanzar sin afectado	150-cds753aur-1/tr	EAR99	8541.10.0050	50
CD4733A	1.8354	RFQ	8977	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Morir			1 W	Morir	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-CD4733A	EAR99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 200 Ma		5 µA @ 1 V				5.1 V	7 ohmios
CDLL5245A/TR	2.7132	RFQ	5004	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Do-213ab, melf			10 MW	DO-213AB	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-CDLL5245A/TR	EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		100 na @ 11 V				15 V	16 ohmios
Jantx1n4994cus	-	RFQ	4684	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/356	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SQ-Melf, E			5 W	D-5B	-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.5 v @ 1 a		2 µA @ 251 V				330 V	1175 ohmios
1N6004A	1.9950	RFQ	6506	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N6004		500 MW	Do-35	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		100 na @ 9.1 V				15 V	42 ohmios
Jantx1n750c-1/tr	5.2668	RFQ	9364	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/127	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-JantX1N750C-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		5 µA @ 1.5 V				4.7 V	19 ohmios
Jan1n5712ubd	84.3000	RFQ	4403	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/444	Una granela	Activo			Montaje en superficie	4-SMD, sin Plomo		Schottky		UB	-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	1	Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad	16 V	1 V @ 35 Ma		150 na @ 16 V	-65 ° C ~ 150 ° C		2pf @ 0V, 1 MHz
S3615	61.1550	RFQ	3969	Tecnología de Microchip	*	Una granela	Activo									-			Alcanzar sin afectado	150-S3615			1
Smaj4737ae3/tr13	0.6450	RFQ	7870	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	Smaj4737		2 W	DO-214AC	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	7,500			1.2 v @ 200 ma		10 µA @ 5 V				7.5 V	4 ohmios
1N5617E3/TR	5.0100	RFQ	7444	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo			A Través del Aguetero	A, axial		Estándar		A, axial	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-1N5617E3/TR	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	400 V	800 MV @ 3 A	150 ns	500 na @ 400 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	35pf @ 12V, 1 MHz
Jantx1n4968us/tr	8.6051	RFQ	1864	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/356	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	SQ-Melf, E			5 W	D-5B	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-JantX1N4968US/TR	EAR99	8541.10.0050	1			1.5 v @ 1 a		2 µA @ 20.6 V				27 V	6 ohmios
1N5822US/TR	81.1650	RFQ	9804	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	SQ-Melf, B		Schottky		B, SQ-Melf	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-1N5822US/TR	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	40 V	500 MV @ 3 A		100 µA @ 40 V	-65 ° C ~ 125 ° C	3A	-
CDLL4773A	139.8900	RFQ	8012	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA	CDLL4773		500 MW	DO-213AA	descascar	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					10 µA @ 6 V				9.1 V	200 ohmios
Jantx1n980cur-1	15.5700	RFQ	1142	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/117	Una granela	Activo	± 2%	-55 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N980		500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		500 na @ 47 V				62 V	185 ohmios
1N5920CPE3/TR12	1.2000	RFQ	9246	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	1N5920		1.5 W	DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	4.000			1.2 v @ 200 ma		5 µA @ 4 V				6.2 V	2 ohmios
Jantx1n3042d-1/tr	28.4620	RFQ	4384	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/115	Tape & Reel (TR)	Activo	± 1%	-55 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial			1 W	Do-41	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-JantX1N3042D-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1			1.2 v @ 200 ma		10 µA @ 62.2 V				82 V	200 ohmios
Jans1n4614d-1	-	RFQ	4645	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/435	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	-			Alcanzar sin afectado	150-JANS1N4614D-1	EAR99	8541.10.0050	50			1.1 V @ 200 Ma		3.5 µA @ 1 V				1.8 V	1200 ohmios
Jan1N5526C-1/TR	12.6749	RFQ	5522	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/437	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-ENERO1N5526C-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		1 µA @ 6.2 V				6.8 V	30 ohmios

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Diodos (34409)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²