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Diodos (34409)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Current - Max | Disipacia de Potencia (Max) | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Tipo de diodo | Voltaje - Reverso Máximo (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Resistencia @ if, f | Condición de Relación de Capacitancia | Q @ VR, F |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | CDLL4771/TR | 97.6350 |  | 7482 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | 0 ° C ~ 75 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA | 500 MW | DO-213AA | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL4771/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 10 µA @ 6 V | 9.1 V | 200 ohmios | ||||||||||||||||||
 | Jantx1n6327d | 39.7950 | | 7656 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/533 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | Alcanzar sin afectado | 150-Jantx1n6327d | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 v @ 1 a | 50 na @ 9.9 V | 13 V | 8 ohmios | ||||||||||||||||||
 | CDLL5281B/TR | 2.9526 | | 2535 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Do-213ab, melf | DO-213AB | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL5281B/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 100 na @ 144 V | 200 V | 2500 ohmios | ||||||||||||||||||
| Jans1n4624dur-1/tr | 193.4704 | | 8339 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-jans1n4624dur-1/tr | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 5 µA @ 3 V | 4.7 V | 1.55 ohmios | |||||||||||||||||
 | Jan1n3174 | 1.0000 | | 3 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/211 | Una granela | Activo | Chasis, Soporte de semento | DO-205AB, DO-9, Semento | Estándar | DO-205AB (DO-9) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1000 V | 1.55 V @ 940 A | 10 Ma @ 1000 V | -65 ° C ~ 200 ° C | 300A | - | ||||||||||||||||
 | Jantx1n6765r | - | | 8584 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | TO-254-3, TO-254AA (CLIENTES POTENCADES RECTOS) | Estándar | Un 254 | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1.05 v @ 12 a | 35 ns | 10 µA @ 200 V | - | 12A | 300pf @ 5V, 1MHz | ||||||||||||||||
 | Jan1n633336us/tr | 16.0800 | | 5622 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | MIL-PRF-19500/533 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | 500 MW | B, SQ-Melf | - | 150-ENERO1N6336US/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.4 v @ 1 a | 50 na @ 25 V | 33 V | 40 ohmios | |||||||||||||||||||
 | 1N5929Be3/TR13 | - | | 1950 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N5929 | 1.5 W | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 11.4 V | 15 V | 9 ohmios | ||||||||||||||||
| Jantxv1n4565aur-1 | 8.9100 | | 5859 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/452 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 1N4565 | 500 MW | DO-213AA | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 6.4 V | 200 ohmios | |||||||||||||||||
 | Jan1N3033B-1/TR | 8.3524 | | 7452 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/115 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1 W | Do-41 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-ENERO1N3033B-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µA @ 27.4 V | 36 V | 50 ohmios | |||||||||||||||||
| Jan1n4992us/tr | 14.7300 | | 4765 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | MIL-PRF-19500/356 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | 5 W | E-Mada | - | 150-ENERO1N4992US/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.5 v @ 1 a | 2 µA @ 206 V | 270 V | 800 ohmios | |||||||||||||||||||
| Jantx1n5522dur-1 | - | | 4357 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/437 | Una granela | Descontinuado en sic | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 500 MW | DO-213AA | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 2 µA @ 2 V | 4.7 V | 22 ohmios | |||||||||||||||||
 | 1N4903A/TR | 159.7350 | | 4531 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AA, do-7, axial | 400 MW | Do-7 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-1N4903A/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 12.8 V | 200 ohmios | |||||||||||||||||||
| Jan1n6627 | 11.2950 | | 9400 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/590 | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | E, axial | 1N6627 | Estándar | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 440 V | 1.35 V @ 1.2 A | 30 ns | 2 µA @ 440 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 1.75a | 40pf @ 10V, 1 MHz | |||||||||||||||
| Jantxv1n4621ur-1 | - | | 4954 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Una granela | Descontinuado en sic | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 500 MW | DO-213AA | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 3.5 µA @ 2 V | 3.6 V | 1700 ohmios | |||||||||||||||||
 | Jantxv1n4970c | 22.2000 | | 1594 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/356 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | E, axial | 5 W | E, axial | - | Alcanzar sin afectado | 150-JantXV1N4970C | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 2 µA @ 25.1 V | 33 V | 10 ohmios | ||||||||||||||||||
| 1N5935BPE3/TR8 | 0.9450 | | 9331 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N5935 | 1.5 W | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 20.6 V | 28 V | 23 ohmios | ||||||||||||||||
| CDLL4126/TR | 3.3516 | | 7596 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Do-213ab, melf | 500 MW | DO-213AB | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL4126/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 50 na @ 38.8 V | 51 V | 300 ohmios | |||||||||||||||||
 | MSCDC50X1701AG | 272.1900 | | 6 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Módulo | MSCDC50 | Silicon Carbide Schottky | - | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 150-MSCDC50X1701AG | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 1.8 V @ 50 A | 200 µA @ 1700 V | 50 A | Fase triple | 1.7 kV | |||||||||||||||
 | MSCDC100H170AG | 529.1800 | | 1 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Módulo | MSCDC100 | Silicon Carbide Schottky | Sp6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 150-MSCDC100H170AG | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 1.8 V @ 100 A | 400 µA @ 1700 V | 100 A | Fase única | 1.7 kV | |||||||||||||||
 | MSCDC50X701AG | 102.4600 | | 7 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Módulo | MSCDC50 | Silicon Carbide Schottky | - | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 150-MSCDC50X701AG | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 1.8 V @ 50 A | 200 µA @ 700 V | 50 A | Fase triple | 700 V | |||||||||||||||
 | MSCDC100H120AG | 309.3900 | | 1 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Módulo | MSCDC100 | Silicon Carbide Schottky | Sp6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 150-MSCDC100H120AG | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 1.8 V @ 100 A | 400 µA @ 1200 V | 100 A | Fase única | 1.2 kV | |||||||||||||||
 | MSCDC200H70AG | 362.7300 | | 2 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Módulo | MSCDC200 | Silicon Carbide Schottky | Sp6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 150-MSCDC200H70AG | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 1.8 V @ 200 A | 800 µA @ 700 V | 200 A | Fase única | 700 V | |||||||||||||||
 | APT60DQ120SG | 4.0650 | | 1109 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tubo | Activo | Montaje en superficie | TO-268-3, D³PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA | APT60DQ120 | Estándar | D3pak | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 150-Act60DQ120SG | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 3.3 V @ 60 A | 320 ns | 100 µA @ 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 60A | - | |||||||||||||||
 | MPS2R10-606 | 17.3400 | | 5168 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 125 ° C | - | MPS2R10 | - | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 200 MA | - | Pin - 1 Par Ánodo Común | 150V | - | ||||||||||||||||||
 | MPP4203-206 | 4.1400 | | 6830 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C | 0402 (1005 Métrica) | MPP4203 | 0402 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 100 | 0.1pf @ 10V, 1 MHz | PIN - Single | 50V | 3ohm @ 20 mm, 100mhz | |||||||||||||||||||
| MPL4700-206/TR | 5.7600 | | 6658 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C | 0402 (1005 Métrica) | MPL4700 | 0402 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 150-MPL4700-206/TR | EAR99 | 8541.10.0070 | 1,000 | 10 W | 0.15pf @ 10V, 1MHz | PIN - Single | 25V | 2ohm @ 10mA, 1 GHz | |||||||||||||||||
 | MMP4402-GM2/TR | 5.4750 | | 7147 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | MMP4400 | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C | 0805 (Métrica de 2012) | MMP4402 | 0805 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0060 | 1,000 | 4 W | 0.5pf @ 50V, 1MHz | PIN - Single | 500V | 650mohm @ 100 mA, 100MHz | ||||||||||||||||||
 | KVX2001-23-0 | 3.3600 | | 81 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | KVX2001 | Sot-23-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 22pf @ 4V, 1 MHz | Soltero | 22 V | - | 160 @ 4V, 50MHz | |||||||||||||||||
| KVX2301-23-0/TR | 8.2650 | | 3532 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | KVX2301 | Sot-23-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 120pf @ 4V, 1MHz | Soltero | 22 V | - | 80 @ 4v, 50mhz |
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