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Diodos (34409)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Velocidad	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
1N5938CE3/TR13	-	RFQ	5890	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	1N5938		1.5 W	DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	5,000					1.2 v @ 200 ma		1 µA @ 27.4 V				36 V	38 ohmios
CDLL4928/TR	100.7400	RFQ	1212	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 100 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA			500 MW	DO-213AA	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-CDLL4928/TR	EAR99	8541.10.0050	1							15 µA @ 12 V				19.2 V	75 ohmios
Jan1n4971cus/tr	21.3150	RFQ	4840	Tecnología de Microchip	MIL-PRF-19500/356	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SQ-Melf, B			5 W	E-Mada	-				150-Enero1n4971cus/TR	EAR99	8541.10.0050	100					1.5 v @ 1 a		2 µA @ 27.4 V				36 V	11 ohmios
UES2602HR2	160.6350	RFQ	6316	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			A Través del Aguetero	TO-204AA, TO-3		Estándar		TO-204AA (TO-3)	-			Alcanzar sin afectado	150-Ues2602hr2	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	100 V	30A	930 MV @ 15 A	35 ns	20 µA @ 100 V	-55 ° C ~ 175 ° C
CD3822A	4.3624	RFQ	8240	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Morir				Morir	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-CD3822A	EAR99	8541.10.0050	1					1.2 v @ 200 ma		75 µA @ 1 V				3.6 V	10 ohmios
CDLL5237D	8.4150	RFQ	6907	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA			10 MW	DO-213AA	-			Alcanzar sin afectado	150-CDLL5237D	EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		3 µA @ 6.5 V				8.2 V	8 ohmios
CD4717	2.3408	RFQ	6900	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Morir			500 MW	Morir	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-CD4717	EAR99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 200 Ma		10 na @ 32.6 V				43 V
Jantx1n4488cus	-	RFQ	3913	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/406	Una granela	Descontinuado en sic	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Sq-melf, un			1.5 W	D-5A	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.5 v @ 1 a		250 na @ 72.8 V				91 V	200 ohmios
Jan1n3050501sdur-1/TR	-	RFQ	4279	Tecnología de Microchip	MIL-PRF-19500/115	Tape & Reel (TR)	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AB, MELL (Vidrio)			1.25 W	DO-213AB (Melf, LL41)	-				150-Enero1n3050550dur-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1					1.2 v @ 200 ma		500 na @ 136.8 V				180 V	1200 ohmios
Jantxv1n3045c-1/tr	22.9691	RFQ	5672	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/115	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-55 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial			1 W	Do-41	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-JantXV1N3045C-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1					1.2 v @ 200 ma		10 µA @ 83.6 V				110 V	450 ohmios
Jans1n4986us	115.5000	RFQ	8600	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/356	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SQ-Melf, E			5 W	D-5B	-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.5 v @ 1 a		2 µA @ 114 V				150 V	330 ohmios
Jantxv1n4478d	38.4450	RFQ	4572	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/406	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	1N4478		1.5 W	Do-41	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1 V @ 200 Ma		50 na @ 28.8 V				36 V	27 ohmios
Janhca1n5533b	6.7564	RFQ	6290	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/437	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	Do-35	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-JANHCA1N5533B	EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		10 na @ 11.7 V				13 V	90 ohmios
S43140	112.3200	RFQ	1758	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			Montaje	DO-205AA, DO-8, Semento		Estándar		DO-205AA (DO-8)	descascar			Alcanzar sin afectado	150-S43140	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		1400 V		1.1 v @ 200 a		50 µA @ 1400 V	-65 ° C ~ 200 ° C	150a	-
Apt30d40bg	2.9500	RFQ	170	Tecnología de Microchip	-	Tubo	Activo			A Través del Aguetero	To-247-2	Apt30d40	Estándar		To-247 [b]	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		400 V		1.5 V @ 30 A	32 ns	250 µA @ 400 V	-55 ° C ~ 175 ° C	30A	-
1 PMT4133CE3/TR7	0.4950	RFQ	1970	Tecnología de Microchip	PowerMite®	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-216AA	1pmt4133		1 W	DO-216	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000					1.1 V @ 200 Ma		10 na @ 66.12 V				87 V	250 ohmios
Jantx1n749cur-1	12.0600	RFQ	2119	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/127	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)	1N749		500 MW	DO-213AA	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		2 µA @ 1 V				4.3 V	22 ohmios
CDLL959B/TR	2.7132	RFQ	3599	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Do-213ab, melf			500 MW	DO-213AB	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-CDLL959B/TR	EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		5 µA @ 6.2 V				8.2 V	6.5 ohmios
BZV55C15/TR	2.5669	RFQ	7307	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 6%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)				DO-213AA	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-BZV55C15/TR	EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		50 na @ 10.5 V				15 V
1N5368E3/TR8	2.6250	RFQ	6672	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 20%	-65 ° C ~ 150 ° C	A Través del Aguetero	T-18, axial	1N5368		5 W	T-18	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1,000					1.2 v @ 1 a		500 na @ 33.8 V				47 V	25 ohmios
1N4573UR-1/TR	18.7050	RFQ	6325	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA			500 MW	DO-213AA	descascar			Alcanzar sin afectado	150-1N4573UR-1/TR	EAR99	8541.10.0050	100							2 µA @ 3 V				6.4 V	100 ohmios
Jantxv1n3038d-1/tr	32.2392	RFQ	1554	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/115	Tape & Reel (TR)	Activo	± 1%	-55 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial			1 W	Do-41	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-JantXV1N3038D-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1					1.2 v @ 200 ma		10 µA @ 42.6 V				56 V	110 ohmios
Jans1n4495cus/tr	283.9800	RFQ	4845	Tecnología de Microchip	MIL-PRF-19500/406	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Sq-melf, un			1.5 W	D-5A	-				150-jans1n4495cus/tr	EAR99	8541.10.0050	50					1.5 v @ 1 a		250 na @ 144 V				180 V	1300 ohmios
1N5924CP/TR12	2.2800	RFQ	4070	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	1N5924		1.5 W	DO-204Al (DO-41)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	4.000					1.2 v @ 200 ma		5 µA @ 7 V				9.1 V	4 ohmios
Jan1N5546Cur-1/TR	25.7887	RFQ	3503	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/437	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)			500 MW	DO-213AA	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-ENERO1N5546CUR-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		10 na @ 29.7 V				33 V	100 ohmios
Jantx1n4103d-1/tr	15.1886	RFQ	7035	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/435	Tape & Reel (TR)	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-JantX1N4103D-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		500 na @ 7 V				9.1 V	200 ohmios
1N4370	2.1900	RFQ	4512	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N4370		500 MW	Do-35	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		100 µA @ 1 V				2.4 V	30 ohmios
Jan1N5520B-1/TR	5.0407	RFQ	4711	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/437	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-ENERO1N5520B-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		1 µA @ 1 V				3.9 V	22 ohmios
1N6320	8.4150	RFQ	8317	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N6320		500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.4 v @ 1 a		2 µA @ 4 V				6.8 V	3 ohmios
Jantx1n4962us	9.2100	RFQ	1518	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/356	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	SQ-Melf, E	1N4962		5 W	D-5B	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.5 v @ 1 a		5 µA @ 11.4 V				15 V	3.5 ohmios

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Diodos (34409)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²