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Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Velocidad	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
Jantxv1n4484cus	45.1350	RFQ	8432	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/406	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Sq-melf, un			1.5 W	D-5A	-	Alcanzar sin afectado	150-jantxv1n4484cus	EAR99	8541.10.0050	1			1.5 v @ 1 a	250 na @ 49.6 V				62 V	80 ohmios
CD4770	12.4650	RFQ	4413	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Morir				Morir	-	Alcanzar sin afectado	150-CD4770	EAR99	8541.10.0050	1								9.1 V	200 ohmios
1N984B-1	2.0700	RFQ	1652	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	-	Alcanzar sin afectado	150-1N984B-1	EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma	500 na @ 69 V				91 V	400 ohmios
UZ5727	32.2650	RFQ	5633	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	B, axial			5 W	B, axial	-	Alcanzar sin afectado	150-UZ5727	EAR99	8541.10.0050	1				10 µA @ 20.6 V				27 V	6 ohmios
Jantx1n4623d-1	14.5650	RFQ	3929	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/435	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	-	Alcanzar sin afectado	150-Jantx1n4623d-1	EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma	2 µA @ 2 V				4.3 V	1600 ohmios
MSASC150W45LV	-	RFQ	8412	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			Montaje en superficie	Thinkey ™ 3		Schottky		Thinkey ™ 3	-	Alcanzar sin afectado	150-MSASC150W45LV	EAR99	8541.10.0080	100	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	45 V	760 MV @ 150 A	1 ma @ 45 V	-55 ° C ~ 150 ° C	150a	-
CD3047B	4.0650	RFQ	1227	Tecnología de Microchip	*	Una granela	Activo									-	Alcanzar sin afectado	150-CD3047B	EAR99	8541.10.0050	1
Jantxv1n4462cus	30.8850	RFQ	7199	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/406	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Sq-melf, un			1.5 W	D-5A	-	Alcanzar sin afectado	150-jantxv1n4462cus	EAR99	8541.10.0050	1			1.5 v @ 1 a	1 µA @ 4.5 V				7.5 V	2.5 ohmios
CD4751	2.0700	RFQ	7065	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Morir			1 W	Morir	-	Alcanzar sin afectado	150-CD4751	EAR99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 200 Ma	100 na @ 22.8 V				30 V	40 ohmios
SBT2520	62.1000	RFQ	1192	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			A Través del Aguetero	TO-204AA, TO-3		Schottky		TO-204AA (TO-3)	-	Alcanzar sin afectado	150-SBT2520	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	20 V	1 V @ 25 A	350 µA @ 20 V	-	25A	-
UZ5111	32.2650	RFQ	9006	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	B, axial			5 W	B, axial	-	Alcanzar sin afectado	150-UZ5111	EAR99	8541.10.0050	1				5 µA @ 83.6 V				110 V	125 ohmios
Janhca1n5531d	-	RFQ	6906	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/437	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	-	Alcanzar sin afectado	150-JANHCA1N5531D	EAR99	8541.10.0050	100			1.1 V @ 200 Ma	50 na @ 9.9 V				11 V	80 ohmios
UZ8718	22.4400	RFQ	6935	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	A, axial			1 W	A, axial	-	Alcanzar sin afectado	150-UZ8718	EAR99	8541.10.0050	1				500 na @ 13.7 V				18 V	20 ohmios
CD4371	2.6250	RFQ	1054	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Morir			500 MW	Morir	-	Alcanzar sin afectado	150-CD4371	EAR99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 200 Ma	75 µA @ 1 V				2.7 V	30 ohmios
UZ5136	32.2650	RFQ	9635	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	B, axial			5 W	B, axial	-	Alcanzar sin afectado	150-UZ5136	EAR99	8541.10.0050	1				5 µA @ 274 V				360 V	1400 ohmios
1N4614	3.4350	RFQ	8317	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AA, do-7, axial			500 MW	Do-7	-	Alcanzar sin afectado	150-1N4614	EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma	7.5 µA @ 1 V				1.8 V	1200 ohmios
CDLL5550	12.2400	RFQ	4411	Tecnología de Microchip	*	Una granela	Activo									-	Alcanzar sin afectado	150-CDLL5550	EAR99	8541.10.0050	1
Janhca1n5537c	-	RFQ	6878	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/437	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	-	Alcanzar sin afectado	150-JANHCA1N5537C	EAR99	8541.10.0050	100			1.1 V @ 200 Ma	10 na @ 15.3 V				17 V	100 ohmios
1N1665	158.8200	RFQ	5613	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			Montaje	DO-205AB, DO-9, Semento		Estándar		DO-205AB (DO-9)	descascar	Alcanzar sin afectado	150-1N1665	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)	400 V	1.3 V @ 300 A	75 µA @ 400 V	-65 ° C ~ 190 ° C	275a	-
CD753D	-	RFQ	2765	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Morir			500 MW	Morir	-	Alcanzar sin afectado	150-CD753D	EAR99	8541.10.0050	223			1.5 V @ 200 Ma	5 µA @ 3.5 V				6.2 V	7 ohmios
Jans1n6346d	350.3400	RFQ	8205	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/533	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	-	Alcanzar sin afectado	150-jans1n6346d	EAR99	8541.10.0050	1			1.4 v @ 1 a	50 na @ 62 V				82 V	220 ohmios
S307020F	49.0050	RFQ	9762	Tecnología de Microchip	*	Una granela	Activo									-	Alcanzar sin afectado	150-S307020F			1
1N1825	50.5950	RFQ	6022	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 10%	-	Montaje	DO-203AA, DO-4, semento	1N182		10 W	DO-203AA (DO-4)	-	Alcanzar sin afectado	150-1N1825	EAR99	8541.10.0050	1								33 V	4 ohmios
UZ5214	32.2650	RFQ	4569	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	B, axial			5 W	B, axial	-	Alcanzar sin afectado	150-UZ5214	EAR99	8541.10.0050	1				5 µA @ 101 V				140 V	230 ohmios
UZ8710	22.4400	RFQ	3080	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	A, axial			1 W	A, axial	-	Alcanzar sin afectado	150-UZ8710	EAR99	8541.10.0050	1				2 µA @ 7.6 V				10 V	7 ohmios
1N4742	3.1350	RFQ	2040	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 10%	-65 ° C ~ 150 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do041, axial			1 W	Do-41	-	Alcanzar sin afectado	150-1N4742	EAR99	8541.10.0050	1			1.2 v @ 200 ma	5 µA @ 9.1 V				12 V	9 ohmios
1N4624E3	2.8050	RFQ	8230	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AA, do-7, axial			500 MW	Do-7	-	Alcanzar sin afectado	150-1N4624E3	EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma	10 µA @ 3 V				4.7 V	1550 ohmios
1N3784	38.6100	RFQ	1391	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-	A Través del Aguetero	Do-204AA, do-7, axial			400 MW	Do-7	-	Alcanzar sin afectado	150-1N3784	EAR99	8541.10.0050	1								6.7 V	10 ohmios
Uz8116	22.4400	RFQ	1694	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	A, axial			1 W	A, axial	-	Alcanzar sin afectado	150-UZ8116	EAR99	8541.10.0050	1				500 na @ 121 V				160 V	1100 ohmios
Jantxv1n6332cus	57.1050	RFQ	8401	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/533	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SQ-Melf, B			500 MW	B, SQ-Melf	-	Alcanzar sin afectado	150-jantxv1n6332cus	EAR99	8541.10.0050	1			1.4 v @ 1 a	50 na @ 17 V				22 V	20 ohmios

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Diodos (34409)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²