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Diodos (34409)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Velocidad	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
1N5934E3/TR13	0.9900	RFQ	5141	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 20%	-65 ° C ~ 150 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	1N5934		1.5 W	DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	5,000					1.2 v @ 200 ma		1 µA @ 18.2 V				24 V	19 ohmios
SMBJ5954C/TR13	2.0850	RFQ	2330	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-214AA, SMB	SMBJ5954		2 W	SMBJ (DO-214AA)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000					1.2 v @ 200 ma		1 µA @ 121.6 V				160 V	700 ohmios
1N4751P/TR12	1.8600	RFQ	4551	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 10%	-65 ° C ~ 150 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	1N4751		1 W	DO-204Al (DO-41)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	4.000					1.2 v @ 200 ma		5 µA @ 22.8 V				30 V	40 ohmios
1N3295ar	102.2400	RFQ	7877	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			Montaje	DO-205AA, DO-8, Semento	1N3295	Polaridad Inversa Estándar		DO-205AA (DO-8)	descascar	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado	1N3295 brazos	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		1000 V		1.1 v @ 200 a		50 µA @ 1000 V	-65 ° C ~ 200 ° C	150a	-
S53100	158.8200	RFQ	4803	Tecnología de Microchip	*	Una granela	Activo									-			Alcanzar sin afectado	150-S53100			1
CDLL4770	73.1100	RFQ	8861	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA	CDLL4770		500 MW	DO-213AA	descascar	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1							10 µA @ 6 V				9.1 V	200 ohmios
SMBJ4745AE3/TR13	0.4350	RFQ	7439	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-214AA, SMB	SMBJ4745		2 W	SMBJ (DO-214AA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000					1.2 v @ 200 ma		5 µA @ 12.2 V				16 V	16 ohmios
SMBJ5370B/TR13	1.6650	RFQ	1235	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-214AA, SMB	SMBJ5370		5 W	SMBJ (DO-214AA)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000					1.2 v @ 1 a		500 na @ 40.3 V				56 V	35 ohmios
Jan1N3022C-1	23.7300	RFQ	6488	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/115	Una granela	Activo	± 2%	-55 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	1N3022		1 W	Do-41	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.2 v @ 200 ma		10 µA @ 9.1 V				12 V	9 ohmios
Jantx1n968c-1/tr	5.7722	RFQ	3126	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/117	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-55 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-JantX1N968C-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		500 na @ 15 V				20 V	25 ohmios
Jantxv1n4135cur-1/tr	25.6690	RFQ	9013	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/435	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)			500 MW	DO-213AA	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-JantXV1N4135CUR-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		10 na @ 76 V				100 V	1600 ohmios
Jans1n5711ubd	161.1300	RFQ	8745	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/444	Una granela	Activo			Montaje en superficie	4-SMD, sin Plomo		Schottky		UB	-			Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	1	Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad		50 V		1 V @ 15 Ma		200 na @ 50 V	-65 ° C ~ 150 ° C		2pf @ 0V, 1 MHz
1N5369/TR8	2.6250	RFQ	9321	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 20%	-65 ° C ~ 150 ° C	A Través del Aguetero	T-18, axial	1N5369		5 W	T-18	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1,000					1.2 v @ 1 a		500 na @ 36.7 V				51 V	27 ohmios
CDLL3023A	15.3000	RFQ	3650	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 10%	-55 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Do-213ab, melf	CDLL3023		1 W	DO-213AB	-	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.2 v @ 200 ma		500 na @ 9.9 V				13 V	10 ohmios
Jantx1n4957c	18.2850	RFQ	2075	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/435	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	E, axial	1N4957		5 W	E, axial	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.5 v @ 1 a		25 µA @ 6.9 V				9.1 V	2 ohmios
Jantxv1n5416us/tr	13.1250	RFQ	2690	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/411	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	SQ-Melf, E		Estándar		D-5B	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-JantXV1N5416US/TR	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		100 V		1.5 v @ 9 a	150 ns	1 µA @ 100 V	-65 ° C ~ 175 ° C	3A	-
1N5833	57.4200	RFQ	9304	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			Montaje	Do-203ab, do-5, semental	1N5833	Schottky		Do-5	descascar	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado	1N5833MS	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		30 V		550 MV @ 40 A		20 Ma @ 30 V	-65 ° C ~ 125 ° C	40A	-
1 PMT4133/TR13	-	RFQ	7955	Tecnología de Microchip	PowerMite®	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-216AA	1pmt4133		1 W	DO-216	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	12,000					1.1 V @ 200 Ma		10 na @ 66.12 V				87 V	250 ohmios
CDLL5954C	15.6600	RFQ	3994	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Do-213ab, melf	CDLL5954		1.25 W	DO-213AB	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.2 v @ 200 ma		1 µA @ 121.6 V				160 V	700 ohmios
Jantxv1n821-1/tr	5.1450	RFQ	1565	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/159	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-JantXV1N821-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1							2 µA @ 3 V				6.2 V	15 ohmios
Jan1n4956d	18.6750	RFQ	2183	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/356	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	E, axial	1N4956		5 W	E, axial	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.5 v @ 1 a		50 µA @ 6.2 V				8.2 V	1.5 ohmios
1N5993C	7.1550	RFQ	6945	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N5993		500 MW	Do-35	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		2 µA @ 2 V				5.1 V	50 ohmios
Jans1n5617us/tr	67.8450	RFQ	2451	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/427	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	Sq-melf, un		Estándar		D-5A	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-jans1n5617us/tr	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		400 V		1.6 v @ 3 a	150 ns	500 µA @ 400 V	-65 ° C ~ 200 ° C	1A	35pf @ 12V, 1 MHz
Apt2x101s20j	28.3200	RFQ	9811	Tecnología de Microchip	-	Tubo	Activo			Monte del Chasis	Isotop	Apt2x101	Schottky		ISOTOP®	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	2 Independientes	200 V	120a	950 MV @ 100 A	70 ns	2 Ma @ 200 V	-55 ° C ~ 175 ° C
CD964D	-	RFQ	1777	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Morir			500 MW	Morir	-			Alcanzar sin afectado	150-CD964D	EAR99	8541.10.0050	556					1.5 V @ 200 Ma		500 na @ 9.9 V				13 V	13 ohmios
UZ724	22.4400	RFQ	8536	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	A, axial			3 W	A, axial	-			Alcanzar sin afectado	150-UZ724	EAR99	8541.10.0050	1							5 µA @ 18.2 V				24 V	10 ohmios
1N750A	2.1600	RFQ	9981	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar			Alcanzar sin afectado	150-1N750A	EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		5 µA @ 1.5 V				4.7 V	19 ohmios
1N2826A	94.8900	RFQ	5175	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	A-204AD	1N2826		50 W	TO-204AD (TO-3)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 10 A		10 µA @ 29.7 V				39 V	4 ohmios
Jantxv1n3025bur-1	18.0150	RFQ	2820	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/115	Una granela	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AB, MELL (Vidrio)	1N3025		1 W	DO-213AB (Melf, LL41)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.2 v @ 200 ma		10 µA @ 12.2 V				16 V	16 ohmios
CDLL4109C/TR	7.7700	RFQ	6327	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DO-213AA			500 MW	DO-213AA	-			Alcanzar sin afectado	150-CDLL4109C/TR	EAR99	8541.10.0050	122					1.1 V @ 200 Ma		50 na @ 11.4 V				15 V	100 ohmios

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Diodos (34409)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²