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Diodos (34409)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Velocidad	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
Jans1n5711ubd	161.1300	RFQ	8745	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/444	Una granela	Activo			Montaje en superficie	4-SMD, sin Plomo		Schottky		UB	-			Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	1	Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad		50 V		1 V @ 15 Ma		200 na @ 50 V	-65 ° C ~ 150 ° C		2pf @ 0V, 1 MHz
1N5369/TR8	2.6250	RFQ	9321	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 20%	-65 ° C ~ 150 ° C	A Través del Aguetero	T-18, axial	1N5369		5 W	T-18	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1,000					1.2 v @ 1 a		500 na @ 36.7 V				51 V	27 ohmios
CDLL3023A	15.3000	RFQ	3650	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 10%	-55 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Do-213ab, melf	CDLL3023		1 W	DO-213AB	-	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.2 v @ 200 ma		500 na @ 9.9 V				13 V	10 ohmios
Jantx1n4957c	18.2850	RFQ	2075	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/435	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	E, axial	1N4957		5 W	E, axial	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.5 v @ 1 a		25 µA @ 6.9 V				9.1 V	2 ohmios
Jantxv1n5416us/tr	13.1250	RFQ	2690	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/411	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	SQ-Melf, E		Estándar		D-5B	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-JantXV1N5416US/TR	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		100 V		1.5 v @ 9 a	150 ns	1 µA @ 100 V	-65 ° C ~ 175 ° C	3A	-
1N5833	57.4200	RFQ	9304	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			Montaje	Do-203ab, do-5, semental	1N5833	Schottky		Do-5	descascar	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado	1N5833MS	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		30 V		550 MV @ 40 A		20 Ma @ 30 V	-65 ° C ~ 125 ° C	40A	-
1 PMT4133/TR13	-	RFQ	7955	Tecnología de Microchip	PowerMite®	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-216AA	1pmt4133		1 W	DO-216	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	12,000					1.1 V @ 200 Ma		10 na @ 66.12 V				87 V	250 ohmios
CDLL5954C	15.6600	RFQ	3994	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Do-213ab, melf	CDLL5954		1.25 W	DO-213AB	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.2 v @ 200 ma		1 µA @ 121.6 V				160 V	700 ohmios
Jantxv1n821-1/tr	5.1450	RFQ	1565	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/159	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-JantXV1N821-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1							2 µA @ 3 V				6.2 V	15 ohmios
Jan1n4956d	18.6750	RFQ	2183	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/356	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	E, axial	1N4956		5 W	E, axial	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.5 v @ 1 a		50 µA @ 6.2 V				8.2 V	1.5 ohmios
1N5993C	7.1550	RFQ	6945	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N5993		500 MW	Do-35	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		2 µA @ 2 V				5.1 V	50 ohmios
Jans1n5617us/tr	67.8450	RFQ	2451	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/427	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	Sq-melf, un		Estándar		D-5A	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-jans1n5617us/tr	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		400 V		1.6 v @ 3 a	150 ns	500 µA @ 400 V	-65 ° C ~ 200 ° C	1A	35pf @ 12V, 1 MHz
Apt2x101s20j	28.3200	RFQ	9811	Tecnología de Microchip	-	Tubo	Activo			Monte del Chasis	Isotop	Apt2x101	Schottky		ISOTOP®	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	2 Independientes	200 V	120a	950 MV @ 100 A	70 ns	2 Ma @ 200 V	-55 ° C ~ 175 ° C
CD964D	-	RFQ	1777	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Morir			500 MW	Morir	-			Alcanzar sin afectado	150-CD964D	EAR99	8541.10.0050	556					1.5 V @ 200 Ma		500 na @ 9.9 V				13 V	13 ohmios
UZ724	22.4400	RFQ	8536	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	A, axial			3 W	A, axial	-			Alcanzar sin afectado	150-UZ724	EAR99	8541.10.0050	1							5 µA @ 18.2 V				24 V	10 ohmios
1N750A	2.1600	RFQ	9981	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar			Alcanzar sin afectado	150-1N750A	EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		5 µA @ 1.5 V				4.7 V	19 ohmios
1N2826A	94.8900	RFQ	5175	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	A-204AD	1N2826		50 W	TO-204AD (TO-3)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 10 A		10 µA @ 29.7 V				39 V	4 ohmios
Jantxv1n3025bur-1	18.0150	RFQ	2820	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/115	Una granela	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AB, MELL (Vidrio)	1N3025		1 W	DO-213AB (Melf, LL41)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.2 v @ 200 ma		10 µA @ 12.2 V				16 V	16 ohmios
CDLL4109C/TR	7.7700	RFQ	6327	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DO-213AA			500 MW	DO-213AA	-			Alcanzar sin afectado	150-CDLL4109C/TR	EAR99	8541.10.0050	122					1.1 V @ 200 Ma		50 na @ 11.4 V				15 V	100 ohmios
Jantxv1n3012rb	956.9250	RFQ	4331	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/124	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje	DO-203AA, DO-4, semento			10 W	DO-213AA (DO-4)	-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.5 v @ 2 a		10 µA @ 121.6 V				160 V	200 ohmios
1N4615E3/TR	3.1800	RFQ	7732	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AA, do-7, axial			500 MW	Do-7	-			Alcanzar sin afectado	150-1N4615E3/TR	EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		5 µA @ 1 V				2 V	1250 ohmios
Jans1n4494c	274.8150	RFQ	2456	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/406	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204al, do041, axial			1.5 W	Do-41	-			Alcanzar sin afectado	150-jans1n4494c	EAR99	8541.10.0050	1					1.5 v @ 1 a		250 na @ 128 V				160 V	1000 ohmios
1N5251BUR/TR	3.0600	RFQ	9088	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA			500 MW	DO-213AA	-			Alcanzar sin afectado	150-1N5251BUR/TR	EAR99	8541.10.0050	309					1.1 V @ 200 Ma		100 na @ 17 V				22 V	29 ohmios
Jantxv1n5623/tr	12.8550	RFQ	1829	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/429	Tape & Reel (TR)	Activo			A Través del Aguetero	A, axial		Estándar		A, axial	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-JantXV1N5623/TR	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		1000 V		1.6 v @ 3 a	500 ns	500 na @ 1 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	15pf @ 12V, 1 MHz
1N5077	23.4000	RFQ	5806	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Axial			3 W	Axial	-			Alcanzar sin afectado	150-1N5077	EAR99	8541.10.0050	1							1 µA @ 22.8 V				30 V	15 ohmios
Jan1n6324cus/tr	63.8550	RFQ	6749	Tecnología de Microchip	MIL-PRF-19500/533	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SQ-Melf, B			500 MW	B, SQ-Melf	-				150-Enero1n6324cus/TR	EAR99	8541.10.0050	100					1.4 v @ 1 a		1 µA @ 8 V				10 V	6 ohmios
CDLL5280B/TR	2.9526	RFQ	8957	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Do-213ab, melf				DO-213AB	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-CDLL5280B/TR	EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		100 na @ 137 V				190 V	2400 ohmios
1N1343	45.3600	RFQ	7029	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			Montaje	DO-203AA, DO-4, semento	1N1343	Estándar		DO-4 (DO-203AA)	descascar	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		150 V		1.3 V @ 30 A		10 µA @ 150 V	-65 ° C ~ 200 ° C	16A	-
CD4117	1.3699	RFQ	6265	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Morir			500 MW	Morir	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-CD4117	EAR99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 200 Ma		10 na @ 19 V				25 V	150 ohmios
1N5526C/TR	11.5500	RFQ	1535	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	-			Alcanzar sin afectado	150-1N5526C/TR	EAR99	8541.10.0050	100					1.1 V @ 200 Ma		1 µA @ 6.2 V				6.8 V	30 ohmios

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Diodos (34409)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²