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Diodos (34409)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Actual: Fuga Inversa @ VR | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Tipo de diodo | Voltaje - Reverso Máximo (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Relación de la capacidad | Condición de Relación de Capacitancia | Q @ VR, F |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Jantxv1n970cur-1/tr | 17.3166 |  | 1523 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/117 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-jantxv1n970cur-1/tr | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 500 na @ 18 V | 24 V | 33 ohmios | |||||||||||
 | 1N5346A/TR12 | 2.6250 | | 2979 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C | A Través del Aguetero | T-18, axial | 1N5346 | 5 W | T-18 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.2 v @ 1 a | 7.5 µA @ 6.6 V | 9.1 V | 2 ohmios | ||||||||||
 | Jantx1n944b-1 | - | | 6642 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/157 | Una granela | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N944 | 500 MW | Do-35 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 15 µA @ 8 V | 11.7 V | 30 ohmios | |||||||||||
 | Jantx1n3030cur-1 | 37.3500 | | 6152 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/115 | Una granela | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | 1N3030 | 1 W | DO-213AB (Melf, LL41) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µA @ 20.6 V | 27 V | 35 ohmios | ||||||||||
| 1N3511D-1/TR | 6.4050 | | 5956 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Tape & Reel (TR) | Activo | 1N3511 | descascar | Alcanzar sin afectado | 150-1N3511d-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 148 | |||||||||||||||||||||
 | 1N456666AE3 | 4.3800 | | 8441 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | Alcanzar sin afectado | 150-1N4566AE3 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 6.4 V | 200 ohmios | |||||||||||||
| Jankca1n4123c | - | | 5853 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Morir | 500 MW | Morir | - | Alcanzar sin afectado | 150-JANKCA1N4123C | EAR99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 29.65 V | 39 V | 200 ohmios | ||||||||||||
 | SMBJ5388B/TR13 | 1.6650 | | 7426 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | SMBJ5388 | 5 W | SMBJ (DO-214AA) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.2 v @ 1 a | 500 na @ 144 V | 200 V | 480 ohmios | ||||||||||
| GCX1202-23-0 | 3.3150 | | 5398 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | GCX1202 | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Sot-23-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-GCX1202-23-0 | EAR99 | 8541.10.0060 | 1 | 1.2pf @ 4V, 1 MHz | Soltero | 30 V | 3.4 | C0/C30 | 3200 @ 4V, 50MHz | |||||||||||
| Jans1n4579aur-1/tr | 121.9650 | | 9299 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/452 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TA) | Montaje en superficie | DO-213AA | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-Jans1n4579aur-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 6.4 V | 50 ohmios | ||||||||||||
| Jantx1n4464cus/tr | 36.1500 | | 3318 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | MIL-PRF-19500/406 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Sq-melf, un | 1.5 W | D-5A | - | 150-Jantx1n4464cus/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.5 v @ 1 a | 300 na @ 5.46 V | 9.1 V | 4 ohmios | |||||||||||||
 | Jantx1n3155-1/tr | - | | 2875 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/158 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TA) | A Través del Aguetero | Do-204AA, do-7, axial | 500 MW | Do-7 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantX1N3155-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 10 µA @ 5.5 V | 8.4 V | 15 ohmios | ||||||||||||
 | CDLL5229A/TR | 2.7132 | | 3936 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Do-213ab, melf | 10 MW | DO-213AB | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL5229A/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 5 µA @ 1 V | 4.3 V | 22 ohmios | |||||||||||
| Jantx1n5542cur-1/tr | 33.6357 | | 3319 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/437 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantX1N5542CUR-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 21.6 V | 24 V | 100 ohmios | |||||||||||
| Jankca1n5520d | - | | 1563 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/437 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | Alcanzar sin afectado | 150-jankca1n5520d | EAR99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.1 V @ 200 Ma | 1 µA @ 1 V | 3.9 V | 22 ohmios | ||||||||||||
| R3705 | 49.0050 | | 5829 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Una granela | Activo | - | Alcanzar sin afectado | 150-R3705 | 1 | ||||||||||||||||||||||||
| 1N6008UR/TR | 3.7350 | | 2704 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-213AA | 500 MW | DO-213AA | - | 150-1N6008UR/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 264 | 1.1 V @ 200 Ma | 22 V | |||||||||||||||
| 1N5063 | 23.4000 | | 6258 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Axial | 3 W | Axial | - | Alcanzar sin afectado | 150-1N5063 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 500 µA @ 5.2 V | 6.8 V | 2 ohmios | |||||||||||||
| Jantx1n4109d-1 | 14.9100 | | 3163 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N4109 | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 50 na @ 11.4 V | 15 V | 100 ohmios | ||||||||||
| CD3027A | 4.0650 | | 9394 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Morir | 1 W | Morir | - | Alcanzar sin afectado | 150-CD3027A | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 500 na @ 15.2 V | 20 V | 22 ohmios | ||||||||||||
| Jantx1n982b-1/tr | 4.0831 | | 3634 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/117 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N982 | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantX1N982B-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 500 na @ 56 V | 75 V | 270 ohmios | ||||||||||
 | Jantxv1n6485cus/tr | - | | 2517 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | MIL-PRF-19500/406 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Sq-melf, un | 1.5 W | D-5A | descascar | 150-jantxv1n6485cus/tr | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 50 µA @ 1 V | 3.3 V | 10 ohmios | |||||||||||||
 | CD969B | 1.5029 | | 1172 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Morir | 500 MW | Morir | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CD969B | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 200 Ma | 500 na @ 17 V | 22 V | 29 ohmios | |||||||||||
| Jantx1n976dur-1/tr | 19.4845 | | 6776 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/117 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 1% | -55 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-Jantx1n976dur-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 500 na @ 33 V | 43 V | 93 ohmios | |||||||||||
 | 1N4436T | 204.6750 | | 1088 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 160 ° C (TA) | Terminal QC | Módulo | Estándar | - | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-1N4436T | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 1.2 v @ 10 a | 10 µA @ 200 V | 10 A | Fase única | 200 V | |||||||||||
| 1N937B-1 | 9.9750 | | 1747 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | Alcanzar sin afectado | 150-1N937B-1 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 9 V | 20 ohmios | ||||||||||||||
 | Jans1n6328cus/tr | 492.5304 | | 2447 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/533 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | 500 MW | B, SQ-Melf | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-jans1n6328cus/tr | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 v @ 1 a | 50 na @ 11 V | 15 V | 10 ohmios | |||||||||||
| Jantx1n5538c-1/tr | 17.4496 | | 1422 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/437 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantX1N5538C-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 16.2 V | 18 V | 100 ohmios | |||||||||||
| CDLL4624C/TR | 8.2650 | | 1830 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA | 500 MW | DO-213AA | - | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL4624C/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 115 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 µA @ 3 V | 4.7 V | 1550 ohmios | ||||||||||||
| Jantx1n3022bur-1/tr | 13.0739 | | 4112 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/115 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | 1 W | DO-213AB (Melf, LL41) | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-Jantx1n3022bur-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µA @ 9.1 V | 12 V | 9 ohmios |
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