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Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Velocidad	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
1N5711ubcc	31.9050	RFQ	6001	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/444	Una granela	Activo			Montaje en superficie	3-SMD, sin Plomo	1N5711	Schottky		UB	descascar	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	1	Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad	50 V	1 V @ 15 Ma		200 na @ 50 V	-65 ° C ~ 150 ° C	33MA	2pf @ 0V, 1 MHz
Jantxv1n4466cus/tr	40.1527	RFQ	8124	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/406	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Sq-melf, un			1.5 W	D-5A	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-jantxv1n4466cus/tr	EAR99	8541.10.0050	1			1 V @ 200 Ma		300 na @ 8.8 V				11 V	6 ohmios
Jantxv1n2834b	-	RFQ	2846	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	A-204AD	1N2834		10 W	TO-204AD (TO-3)	-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.5 v @ 2 a		10 µA @ 51.7 V				68 V	8 ohmios
1N4106UR-1	3.8200	RFQ	6085	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DO-213AA	1N4106		500 MW	DO-213AA	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		50 na @ 9.2 V				12 V	200 ohmios
Jantx1n6910utk2as	-	RFQ	7505	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/723	Una granela	Activo			Montaje en superficie	Thinkey ™ 2		Schottky		Thinkey ™ 2	-			Alcanzar sin afectado	150-JantX1N6910UTK2AS	EAR99	8541.10.0080	100	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	15 V	520 MV @ 25 A		1.2 Ma @ 15 V	-65 ° C ~ 150 ° C	25A	2000pf @ 5V, 1MHz
CDLL3037	15.3000	RFQ	4233	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 20%	-55 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Do-213ab, melf	CDLL3037		1 W	DO-213AB	-	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.2 v @ 200 ma		500 na @ 38.8 V				51 V	95 ohmios
1N7039CCU1	193.1700	RFQ	4939	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			Montaje en superficie	3-SMD, sin Plomo	1N7039	Schottky		U1 (SMD-1)	descascar	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	150 V	1.6 V @ 35 A		500 µA @ 150 V	-65 ° C ~ 150 ° C	35a	-
Jan1n4986us	13.2600	RFQ	7932	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/356	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	SQ-Melf, E	1N4986		5 W	D-5B	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.5 v @ 1 a		2 µA @ 114 V				150 V	330 ohmios
1N5523B	1.9050	RFQ	3472	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TA)	A Través del Aguetero	Do-204AA, do-7, axial			500 MW	Do-7	-			Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		2 µA @ 2.5 V				5.1 V	26 ohmios
CD753	1.6950	RFQ	8185	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Morir			500 MW	Morir	-			Alcanzar sin afectado	150-CD753	EAR99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 200 Ma		5 µA @ 3.5 V				6.2 V	7 ohmios
Jankca1n4622	-	RFQ	7018	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/435	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AA, do-7, axial			500 MW	DO-7 (DO-204AA)	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-JANKCA1N4622	EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		5 µA @ 2 V				3.9 V	1650 ohmios
HSM880J/TR13	2.2950	RFQ	2510	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214AB, SMC	HSM880	Schottky		DO-214AB	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	80 V	780 MV @ 8 A		500 µA @ 80 V	-55 ° C ~ 175 ° C	8A	-
Jan1n5712ubd	84.3000	RFQ	4403	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/444	Una granela	Activo			Montaje en superficie	4-SMD, sin Plomo		Schottky		UB	-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	1	Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad	16 V	1 V @ 35 Ma		150 na @ 16 V	-65 ° C ~ 150 ° C		2pf @ 0V, 1 MHz
Jantx1n5188/tr	10.9200	RFQ	1612	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/424	Tape & Reel (TR)	Activo			A Través del Aguetero	B, axial		Estándar		B, axial	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-JantX1N5188/TR	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	400 V	1.5 v @ 9 a	250 ns	2 µA @ 400 V	-65 ° C ~ 175 ° C	3A	-
1N4737P/TR8	1.8600	RFQ	8693	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 10%	-65 ° C ~ 150 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	1N4737		1 W	DO-204Al (DO-41)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1.500			1.2 v @ 200 ma		10 µA @ 5 V				7.5 V	4 ohmios
SMBJ5376CE3/TR13	1.0800	RFQ	6274	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-214AA, SMB	SMBJ5376		5 W	SMBJ (DO-214AA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000			1.2 v @ 1 a		500 na @ 63 V				87 V	75 ohmios
CDLL4575/TR	7.5600	RFQ	7235	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	-	0 ° C ~ 75 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA			500 MW	DO-213AA	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-CDLL4575/TR	EAR99	8541.10.0050	1					2 µA @ 3 V					50 ohmios
1 PMT5953CE3/TR13	0.7350	RFQ	1997	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-216AA	1pmt5953		3 W	DO-216AA	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	12,000			1.2 v @ 200 ma		1 µA @ 114 V				150 V	600 ohmios
Jantxv1n980bur-1/tr	6.8495	RFQ	1398	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/117	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)			500 MW	DO-213AA	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-jantxv1n980bur-1/tr	EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		500 na @ 47 V				62 V	185 ohmios
1N937/TR	9.2700	RFQ	9771	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TA)	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-1n937/tr	EAR99	8541.10.0050	1									9 V	20 ohmios
Jantx1n4479	9.4500	RFQ	9481	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/406	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	1N4479		1.5 W	DO-204Al (DO-41)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.5 v @ 1 a		50 na @ 31.2 V				39 V	30 ohmios
1 PMT5950E3/TR13	-	RFQ	2773	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 20%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-216AA	1pmt5950		3 W	DO-216AA	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	12,000			1.2 v @ 200 ma		1 µA @ 83.6 V				110 V	300 ohmios
Jantxv1n6315us	21.4200	RFQ	7892	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/533	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	SQ-Melf, B	1N6315		500 MW	B, SQ-Melf	-	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.4 v @ 1 a		2 µA @ 1 V				4.3 V	18 ohmios
1N2997RB	40.3200	RFQ	2226	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Chasis, Soporte de semento	DO-203AA, DO-4, semento	1N2997		10 W	DO-213AA	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.5 v @ 2 a		10 µA @ 38.8 V				51 V	15 ohmios
Jans1n4568a-1/tr	76.0200	RFQ	5247	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/452	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	Do-35	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-jans1n4568a-1/tr	EAR99	8541.10.0050	1					2.5 µA @ 3 V				6.4 V	200 ohmios
MSASC75W100F	-	RFQ	7617	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			Montaje en superficie	Thinkey ™ 4		Schottky		Thinkey ™ 4	-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	100	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	100 V	920 MV @ 75 A		500 µA @ 100 V	-55 ° C ~ 175 ° C	75a	-
CDLL5223	2.8650	RFQ	6943	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 20%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Do-213ab, melf	CDLL5223		10 MW	DO-213AB	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		75 µA @ 1 V				2.7 V	30 ohmios
CD5822	9.7200	RFQ	6300	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	Morir		Schottky		Morir	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-CD5822	EAR99	8541.10.0040	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	40 V	550 MV @ 3 A		100 µA @ 40 V	-65 ° C ~ 125 ° C	3A	-
Jankca1n5537c	-	RFQ	9900	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/437	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	-			Alcanzar sin afectado	150-jankca1n5537c	EAR99	8541.10.0050	100			1.1 V @ 200 Ma		10 na @ 15.3 V				17 V	100 ohmios
Jantxv1n3156ur-1/tr	-	RFQ	6103	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/158	Tape & Reel (TR)	Activo	-	-65 ° C ~ 175 ° C (TA)	Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)			500 MW	DO-213AA	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-jantxv1n3156ur-1/tr	EAR99	8541.10.0050	1					10 µA @ 5.5 V				8.4 V	15 ohmios

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Diodos (34409)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²