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Diodos (34409)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Velocidad	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
Jans1n6632d	-	RFQ	5911	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/356	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	E, axial			5 W	E, axial	-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.5 v @ 1 a		300 µA @ 1 V				3.3 V	3 ohmios
1N4525	62.1150	RFQ	4965	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			Montaje	Do-203ab, do-5, semental	1N4525	Estándar		DO-203AB (DO-5)	descascar	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		200 V		1.19 v @ 90 A		10 µA @ 200 V	-65 ° C ~ 200 ° C	40A	-
1 PMT5940B/TR7	2.2200	RFQ	9431	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-216AA	1pmt5940		3 W	DO-216AA	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000					1.2 v @ 200 ma		1 µA @ 32.7 V				43 V	53 ohmios
SMBJ5914AE3/TR13	0.8850	RFQ	1553	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 10%	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-214AA, SMB	SMBJ5914		2 W	SMBJ (DO-214AA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000					1.2 v @ 200 ma		75 µA @ 1 V				3.6 V	9 ohmios
CDLL5930D	11.7300	RFQ	5093	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Do-213ab, melf	CDLL5930		1.25 W	DO-213AB	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.2 v @ 200 ma		1 µA @ 12.2 V				16 V	10 ohmios
1N5268Bur-1	3.5850	RFQ	8335	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DO-213AA	1N5268		500 MW	DO-213AA	descascar	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		100 na @ 62 V				82 V	330 ohmios
1N4744AG	3.1920	RFQ	2465	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial			1 W	Do-41	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-1N4744AG	EAR99	8541.10.0050	1					1.2 v @ 200 ma		5 µA @ 11.4 V				15 V	14 ohmios
Jantxv1n6328	14.6700	RFQ	1123	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/533	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	B, axial			500 MW	B, axial	-			Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.4 v @ 1 a		50 na @ 11 V				15 V	10 ohmios
1N4782A-1/TR	67.2000	RFQ	7985	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			250 MW	DO-35 (DO-204AH)	-			Alcanzar sin afectado	150-1N4782A-1/TR	EAR99	8541.10.0050	100							10 µA @ 6 V				8.5 V	100 ohmios
1N979A	2.0700	RFQ	6653	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AA, do-7, axial	1N979		500 MW	Do-7	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		5 µA @ 42.6 V				56 V	150 ohmios
Jantx1n3020d-1	27.4500	RFQ	3504	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/115	Una granela	Activo	± 1%	-55 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	1N3020		1 W	Do-41	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.2 v @ 200 ma		25 µA @ 7.6 V				10 V	7 ohmios
Jan1n3825dur-1	44.4150	RFQ	4178	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/115	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AB, MELL (Vidrio)	1N3825		1 W	DO-213AB (Melf, LL41)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.2 v @ 200 ma		5 µA @ 1 V				4.7 V	8 ohmios
Jankca1n751c	-	RFQ	6949	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	-			Alcanzar sin afectado	150-jankca1n751c	EAR99	8541.10.0050	100					1.1 V @ 200 Ma		1 µA @ 1 V				5.1 V	17 ohmios
1N6325US	16.4400	RFQ	557	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	SQ-Melf, B	1N6325		500 MW	B, SQ-Melf	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.4 v @ 1 a		1 µA @ 8.5 V				11 V	7 ohmios
Jans1n6312d	350.3400	RFQ	9987	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/533	Banda	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N6312		500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.4 v @ 1 a		5 µA @ 1 V				3.3 V	27 ohmios
1N5930CPE3/TR8	1.2000	RFQ	2210	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	1N5930		1.5 W	DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1.500					1.2 v @ 200 ma		1 µA @ 12.2 V				16 V	10 ohmios
Jan1n4981d	23.2350	RFQ	9185	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/356	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	E, axial	1N4981		5 W	E, axial	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.5 v @ 1 a		2 µA @ 69.2 V				91 V	90 ohmios
Jan1N3595A-1	2.2950	RFQ	1140	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/241	Una granela	Activo			A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N3595	Estándar		Do-35	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	1	Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad		125 V		920 MV @ 100 Ma	3 µs	2 na @ 125 V	-65 ° C ~ 175 ° C	150 Ma	-
S42120F	57.8550	RFQ	9680	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			Montaje	DO-205AA, DO-8, Semento	S42120	Estándar		DO-205AA (DO-8)	descascar	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		1200 V		1.2 v @ 200 a		50 µA @ 1200 V	-65 ° C ~ 200 ° C	125a	-
1N4714/TR	3.6575	RFQ	3071	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204AA, do-7, axial			500 MW	DO-7 (DO-204AA)	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-1N4714/TR	EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		10 na @ 25 V				33 V
Jantx1n5525d-1	22.9650	RFQ	4690	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/437	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N5525		500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		1 µA @ 5 V				6.2 V	30 ohmios
1N829AUR-1	37.5450	RFQ	7315	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)	1N829		500 MW	DO-213AA	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1							2 µA @ 3 V				6.2 V	10 ohmios
Jantx1n3909ar	-	RFQ	7978	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/308	Una granela	Activo			Montaje	Do-203ab, do-5, semental		Estándar		Do-5	-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		50 V		1.4 V @ 50 A	150 ns		-65 ° C ~ 150 ° C	50A	-
1N4557B	74.3550	RFQ	3092	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	A-204AD	1N4557		50 W	TO-204AD (TO-3)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 10 A		150 µA @ 500 MV				3.9 V	0.16 ohmios
1 PMT5938CE3/TR13	0.7350	RFQ	1564	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-216AA	1pmt5938		3 W	DO-216AA	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	12,000					1.2 v @ 200 ma		1 µA @ 27.4 V				36 V	38 ohmios
1N4578A-1	8.9400	RFQ	6326	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 1%	-55 ° C ~ 100 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N4578		500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado	2266-1N4578A-1	EAR99	8541.10.0050	1							2 µA @ 3 V				6.4 V	50 ohmios
Jantx1n4132-1	5.3100	RFQ	8266	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/435	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	-			Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		10 na @ 62.4 V				82 V	800 ohmios
Jantxv1n7039cct1	207.7950	RFQ	5795	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/737	Una granela	Activo			A Través del Aguetero	TO-254-3, TO-254AA (CLIENTES POTENCADES RECTOS)	1N7039	Schottky		Un 254AA	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	150 V	35a	1.6 V @ 35 A		500 µA @ 150 V	-65 ° C ~ 150 ° C
CDS3018B-1	-	RFQ	6909	Tecnología de Microchip	*	Una granela	Activo									-			Alcanzar sin afectado	150-CDS3018B-1	EAR99	8541.10.0050	50
1N6491	13.8900	RFQ	4193	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/406	Una granela	Activo			A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial		Estándar		DO-35 (DO-204AH)	descascar			Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		600 V		1 V @ 400 Ma		50 na @ 600 V	-65 ° C ~ 175 ° C	400mA	-

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Diodos (34409)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²