- RFQ
- Proseperar
- Contáctenos
Tel: +86-0755-83501315
Correo electrónico:sales@sic-components.com
- Chino
- Inglés
- Francés
- Alemán
- portugués
- Español
- ruso
- japonés
- coreano
- árabe
- irlandés
- Griego
- turco
- italiano
- danés
- rumano
- indonesio
- checo
- africaans
- sueco
- Polaco
- vasco
- catalán
- esperanto
- hindi
- Lao
- albanés
- Amárico
- armenio
- Azerbaiyano
- Bielorruso
- bengalí
- bosnio
- búlgaro
- Cebuano
- Chichewa
- corso
- croata
- Holandés
- Estonio
- Filipino
- finlandés
- frisio
- gallego
- georgiano
- Gujarati
- haitiano
- Hausa
- hawaiano
- hebreo
- Hmong
- húngaro
- islandés
- Igbo
- javanés
- Kannada
- Kazáceo
- Jemer
- kurdo
- Kirguistán
- latín
- letón
- lituano
- Luxembou ..
- macedónio
- madagascarí
- malayo
- Malayalam
- maltés
- maorí
- Marathi
- mongol
- birmano
- Nepalí
- noruego
- Pashto
- persa
- punjabi
- serbio
- Sesotho
- Sinhala
- eslovaco
- esloveno
- somalí
- Samoo
- Escocés gaélico
- Shona
- Sindhi
- Sundanese
- swahili
- Tayiko
- Tamil
- Telugu
- tailandés
- ucranio
- Urdu
- Uzbek
- vietnamita
- galés
- Xhosa
- yídish
- Yoruba
- zulú
- Kinyarwanda
- Tártaro
- Oriya
- Turco
- Uigur
Diodos (34409)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | CDLL5916D | 11.7300 |  | 2732 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Do-213ab, melf | CDLL5916 | 1.25 W | DO-213AB | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µA @ 1 V | 4.3 V | 6 ohmios | |||||||||
 | 1 PMT4111C/TR7 | 1.2450 | | 1539 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | PowerMite® | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-216AA | 1pmt4111 | 1 W | DO-216 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.1 V @ 200 Ma | 50 na @ 12.92 V | 17 V | 100 ohmios | |||||||||
 | Jantxv1n4112cur-1/tr | 25.6690 | | 1888 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantXV1N4112CUR-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 50 na @ 13.7 V | 18 V | 100 ohmios | ||||||||||
 | Jans1n4972us/tr | 86.0502 | | 7311 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | SQ-Melf, E | 5 W | D-5B | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-jans1n4972us/tr | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 2 µA @ 29.7 V | 39 V | 14 ohmios | ||||||||||
| Jan1n4616ur-1 | 6.5550 | | 6734 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 1N4616 | 500 MW | DO-213AA | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 2 µA @ 1 V | 2.2 V | 1300 ohmios | |||||||||
 | Jankca1n5546b | - | | 4007 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/437 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | Do-35 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-jankca1n5546b | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 29.7 V | 33 V | 100 ohmios | ||||||||||
 | Jantx1n969bur-1/tr | 5.9185 | | 9200 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/117 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantX1N969Bur-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 500 na @ 17 V | 22 V | 29 ohmios | ||||||||||
 | 1N5921P/TR12 | 1.8600 | | 6580 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 20% | -65 ° C ~ 150 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N5921 | 1.5 W | DO-204Al (DO-41) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µA @ 5.2 V | 6.8 V | 2.5 ohmios | |||||||||
 | Jan1N3024D-1/TR | 19.3515 | | 8290 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/115 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 1% | -55 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1 W | Do-41 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-ENERO1N3024D-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µA @ 11.4 V | 15 V | 14 ohmios | ||||||||||
| Jans1n4128dur-1/tr | 137.5900 | | 7714 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-jans1n4128dur-1/tr | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 45.6 V | 60 V | 400 ohmios | ||||||||||
| 1 PMT5931A/TR7 | 2.2200 | | 1387 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 10% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-216AA | 1PMT5931 | 3 W | DO-216AA | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 13.7 V | 18 V | 12 ohmios | |||||||||
| 1 PMT4114CE3/TR13 | 0.4950 | | 7060 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | PowerMite® | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-216AA | 1pmt4114 | 1 W | DO-216 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 12,000 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 15.2 V | 20 V | 150 ohmios | |||||||||
| Jantx1n981dur-1/tr | 17.3964 | | 1119 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/117 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 1% | -55 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N981 | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-Jantx1n981dur-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 500 na @ 52 V | 68 V | 230 ohmios | |||||||||
 | Jantxv1n4249/tr | 8.1600 | | 8623 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/286 | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | A, axial | Estándar | A, axial | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantXv1N4249/TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1000 V | 1.3 V @ 3 A | 5 µs | 1 µA @ 1 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | - | ||||||||
| Jan1N4130ur-1/TR | 3.7772 | | 9755 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | DO-213AA | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-ENERO1N4130UR-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 51.7 V | 68 V | 700 ohmios | |||||||||||
 | S42130 | 102.2400 | | 5708 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Una granela | Activo | - | Alcanzar sin afectado | 150-S42130 | 1 | |||||||||||||||||||||||
 | Jan1n3041bur-1 | 12.7350 | | 6235 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/115 | Una granela | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | 1N3041 | 1 W | DO-213AB (Melf, LL41) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µA @ 56 V | 75 V | 175 ohmios | |||||||||
| Jan1n6942utk3/tr | 408.7950 | | 5625 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | Thinkey ™ 3 | Schottky | Thinkey ™ 3 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-Enero1n6942utk3/tr | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 45 V | 460 MV @ 50 A | 5 Ma @ 45 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 150a | 7000PF @ 5V, 1MHz | |||||||||
| Jantx1n4148ur-1/tr | 1.8600 | | 6210 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Tape & Reel (TR) | Activo | 1N4148 | - | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 424 | |||||||||||||||||||
| Jantx1n3030bur-1 | 14.5800 | | 2244 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/115 | Una granela | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | 1N3030 | 1 W | DO-213AB (Melf, LL41) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µA @ 20.6 V | 27 V | 35 ohmios | |||||||||
| 1N7050UR-1 | 9.3000 | | 9361 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 10% | - | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | 1N7050 | 250 MW | DO-213AB (Melf, LL41) | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 4.8 V | 35 ohmios | ||||||||||||
| Jans1n6328/tr | 107.0906 | | 3296 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/533 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | Do-35 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-jans1n6328/tr | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 v @ 1 a | 50 na @ 11 V | 15 V | 10 ohmios | ||||||||||
 | Jantx1n6334us | 18.2700 | | 2806 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/533 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | 1N6334 | 500 MW | B, SQ-Melf | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 v @ 1 a | 50 na @ 21 V | 27 V | 27 ohmios | |||||||||
| 1N4782A/TR | 67.2000 | | 1672 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | Do-35 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-1N4782A/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 8.5 V | 100 ohmios | ||||||||||||
 | 1N5945B/TR | 3.1787 | | 6290 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1.25 W | Do-41 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-1N5945B/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 51.2 V | 68 V | 120 ohmios | ||||||||||
| CD5925B | 3.8437 | | 4121 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CD5925B | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||
| 1N1124R | 38.3850 | | 8700 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | Montaje | DO-203AA, DO-4, semento | Polaridad Inversa Estándar | DO-4 (DO-203AA) | descascar | Alcanzar sin afectado | 150-1N1124R | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1.2 V @ 30 A | 10 µA @ 200 V | -65 ° C ~ 200 ° C | 12A | - | ||||||||||
| Jan1N4099ur-1/TR | 7.8736 | | 5308 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | DO-213AA | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-ENERO1N4099UR-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 1 µA @ 5.2 V | 6.8 V | 200 ohmios | |||||||||||
| 1N5525Bur-1 | 6.4800 | | 6800 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-213AA | 500 MW | DO-213AA | - | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 1 µA @ 5 V | 6.2 V | 30 ohmios | ||||||||||||
| Jantx1n4132dur-1 | 30.4050 | | 4269 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 1N4132 | 500 MW | DO-213AA | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 62.4 V | 82 V | 800 ohmios |
2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m2
Almacén en stock
Lista de deseos (0 elementos)