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Diodos (34409)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Velocidad	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
Jans1n6643us	33.3900	RFQ	1852	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/578	Una granela	Activo			Montaje en superficie	SQ-Melf, B		Estándar		B, SQ-Melf	-			Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		50 V		1.2 V @ 100 Ma	6 ns		-65 ° C ~ 175 ° C	300mA	5PF @ 0V, 1MHz
Jantxv1n5543c-1/tr	20.8544	RFQ	6290	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/437	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-JantXV1N5543C-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		10 na @ 22.4 V				25 V	100 ohmios
CDLL827A	10.3950	RFQ	4346	Tecnología de Microchip	*	Una granela	Activo					CDLL827				-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1
1N5356AE3/TR12	-	RFQ	3429	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 10%	-65 ° C ~ 150 ° C	A Través del Aguetero	T-18, axial	1N5356		5 W	T-18	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000					1.2 v @ 1 a		500 na @ 13.7 V				19 V	3 ohmios
CDLL5535A/TR	5.9052	RFQ	4139	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Do-213ab, melf			500 MW	DO-213AB	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-CDLL5535A/TR	EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		10 na @ 12.5 V				15 V	100 ohmios
1N5352A/TR12	2.6250	RFQ	2040	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 10%	-65 ° C ~ 150 ° C	A Través del Aguetero	T-18, axial	1N5352		5 W	T-18	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000					1.2 v @ 1 a		1 µA @ 10.8 V				15 V	2.5 ohmios
UFT3010D	62.1000	RFQ	7233	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			A Través del Aguetero	TO-204AA, TO-3		Estándar		TO-204AA (TO-3)	-			Alcanzar sin afectado	150-Uft3010d	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	Conexión de la Serie de 1 par	100 V	30A	930 MV @ 15 A	35 ns	15 µA @ 100 V	-65 ° C ~ 175 ° C
1N6486US	13.8900	RFQ	7755	Tecnología de Microchip	MIL-PRF-19500/406	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Sq-melf, un	1N6486		1.5 W	A, SQ-Melf	descascar	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.5 v @ 1 a		50 µA @ 1 V				3.6 V	10 ohmios
1N971Be3	2.4300	RFQ	5821	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N971		500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2266-1N971BE3	EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		5 µA @ 20.6 V				27 V	41 ohmios
Jan1n6486cus/tr	-	RFQ	5529	Tecnología de Microchip	MIL-PRF-19500/406	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Sq-melf, un			1.5 W	D-5A	descascar				150-Enero1n6486cus/TR	EAR99	8541.10.0050	1					1.5 v @ 1 a		50 µA @ 1 V				3.6 V	10 ohmios
Jan1N4134C-1/TR	9.4430	RFQ	9679	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/435	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial				DO-35 (DO-204AH)	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-ENERO1N4134C-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		10 na @ 69.2 V				91 V	1200 ohmios
CDLL4689E3/TR	3.9150	RFQ	1343	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA			500 MW	DO-213AA	-			Alcanzar sin afectado	150-CDLL4689E3/TR	EAR99	8541.10.0050	242					1.1 V @ 200 Ma		10 µA @ 3 V				5.1 V
1N973B	-	RFQ	5831	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Descontinuado en sic	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AA, do-7, axial			500 MW	Do-7	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	1N973BMS	EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		5 µA @ 25.1 V				33 V	58 ohmios
1N4755E3/TR13	-	RFQ	2014	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 10%	-65 ° C ~ 150 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	1N4755		1 W	DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	5,000					1.2 v @ 200 ma		5 µA @ 32.7 V				43 V	70 ohmios
S306120F	49.0050	RFQ	7945	Tecnología de Microchip	*	Una granela	Activo									-			Alcanzar sin afectado	150-S306120F			1
1N5240BUR-1	2.8650	RFQ	6672	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DO-213AA	1N5240		500 MW	DO-213AA	descascar	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		3 µA @ 8 V				10 V	17 ohmios
Jantxv1n6351c	37.5300	RFQ	4966	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/533	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	-			Alcanzar sin afectado	150-JantXV1N6351C	EAR99	8541.10.0050	1					1.4 v @ 1 a		50 na @ 99 V				130 V	850 ohmios
1N2807RB	96.0150	RFQ	6745	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	A-204AD	1N2807		50 W	TO-204AD (TO-3)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 10 A		25 µA @ 6.1 V				9.1 V	0.5 ohmios
CDLL4712/TR	3.0989	RFQ	2567	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Do-213ab, melf			500 MW	DO-213AB	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-CDLL4712/TR	EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		10 na @ 21.2 V				28 V
Jan1N4938ur-1/TR	-	RFQ	5811	Tecnología de Microchip	MIL-PRF-19500/169	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-213AA		Estándar		DO-213AA	-				150-ENERO1N4938UR-1/TR			1	Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad		175 V		1 V @ 100 Ma	50 ns	100 na @ 175 V	-65 ° C ~ 175 ° C	100mA	-
Janhca1n970d	-	RFQ	4634	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Morir			500 MW	Morir	-			Alcanzar sin afectado	150-JANHCA1N970D	EAR99	8541.10.0050	100					1.1 V @ 200 Ma		5 µA @ 18.2 V				24 V	33 ohmios
1N5757B	1.8600	RFQ	3608	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N5757		500 MW	Do-35	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					900 MV @ 10 Ma		100 na @ 53 V				75 V	255 ohmios
Jantxv1n3033bur-1	18.0150	RFQ	5799	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/115	Una granela	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AB, MELL (Vidrio)	1N3033		1 W	DO-213AB (Melf, LL41)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.2 v @ 200 ma		10 µA @ 27.4 V				36 V	50 ohmios
1N4976US	9.4650	RFQ	7319	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	SQ-Melf, E	1N4976		5 W	D-5B	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.5 v @ 1 a		2 µA @ 42.6 V				56 V	35 ohmios
1N5362AE3/TR8	-	RFQ	8033	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 10%	-65 ° C ~ 150 ° C	A Través del Aguetero	T-18, axial	1N5362		5 W	T-18	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1,000					1.2 v @ 1 a		500 na @ 20.1 V				28 V	6 ohmios
Jan1n4619d-1	12.0000	RFQ	9074	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/435	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N4619		500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		400 na @ 1 V				3 V	1600 ohmios
CDLL4901A	58.8600	RFQ	8299	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA	CDLL4901		500 MW	DO-213AA	descascar	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1							15 µA @ 8 V				12.8 V	200 ohmios
1N6658	242.5050	RFQ	4915	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/616	Una granela	Activo			A Través del Aguetero	Un 254-3, un 254AA	1N6658	Estándar		Un 254	descascar	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	150 V	15A	1 V @ 10 A	35 ns	10 µA @ 150 V	-
1N3174R	216.8850	RFQ	4937	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			Montaje	DO-205AB, DO-9, Semento	1N3174	Estándar		DO-205AB (DO-9)	descascar	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado	1N3174RMS	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		1000 V		1.55 V @ 940 A		10 Ma @ 1000 V	-65 ° C ~ 200 ° C	300A	-
R43100TS	102.2400	RFQ	6827	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			Montaje	DO-205AA, DO-8, Semento		Estándar		DO-205AA (DO-8)	-			Alcanzar sin afectado	150-R43100TS	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		1000 V		1.1 v @ 200 a		50 µA @ 1000 V	-65 ° C ~ 200 ° C	150a	-

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Diodos (34409)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²