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Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Velocidad	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
1N5530C/TR	11.5500	RFQ	9368	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	-			Alcanzar sin afectado	150-1N5530C/TR	EAR99	8541.10.0050	100			1.1 V @ 200 Ma		50 na @ 9.1 V				10 V	60 ohmios
Jan1n938bur-1	-	RFQ	7197	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/156	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)			500 MW	DO-213AA	-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					10 µA @ 6 V				9 V	20 ohmios
Janhca1n4121	13.2734	RFQ	9941	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Morir			500 MW	Morir	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-JANHCA1N4121	EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		10 na @ 25.08 V				33 V	200 ohmios
1N4743P/TR8	1.8600	RFQ	4866	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 10%	-65 ° C ~ 150 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	1N4743		1 W	DO-204Al (DO-41)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1.500			1.2 v @ 200 ma		5 µA @ 9.9 V				13 V	10 ohmios
Jan1N5539Cur-1/TR	25.7887	RFQ	4610	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/437	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)			500 MW	DO-213AA	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-ENERO1N5539CUR-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		10 na @ 17.1 V				19 V	100 ohmios
1N4699/TR	3.9900	RFQ	3619	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204AA, do-7, axial			500 MW	DO-7 (DO-204AA)	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-1N4699/TR	EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		50 na @ 9.1 V				12 V
Jan1n4476cus/tr	27.8250	RFQ	5356	Tecnología de Microchip	MIL-PRF-19500/406	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Sq-melf, un			1.5 W	D-5A	-				150-ENERO1N4476 CUS/TR	EAR99	8541.10.0050	100			1.5 v @ 1 a		50 na @ 24 V				30 V	20 ohmios
Jantx1n4483cus/tr	36.8850	RFQ	1154	Tecnología de Microchip	MIL-PRF-19500/406	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Sq-melf, un			1.5 W	D-5A	-				150-Jantx1n4483cus/TR	EAR99	8541.10.0050	100			1.5 v @ 1 a		250 na @ 44.8 V				56 V	70 ohmios
Jankca1n4616	-	RFQ	4501	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/435	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AA, do-7, axial			500 MW	DO-7 (DO-204AA)	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-Jankca1N4616	EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		4 µA @ 1 V				2.2 V	1300 ohmios
CDLL5521A	6.4800	RFQ	8889	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Do-213ab, melf	CDLL5521		500 MW	DO-213AB	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		3 µA @ 1 V				4.3 V	18 ohmios
CD4568	11.1450	RFQ	7931	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	0 ° C ~ 75 ° C	Montaje en superficie	Morir				Morir	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-CD4568	EAR99	8541.10.0050	1					2 µA @ 3 V				6.4 V	200 ohmios
Jantxv1n4121c-1	23.1600	RFQ	9525	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/435	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N4121		500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		10 na @ 25.1 V				33 V	200 ohmios
1N3171	216.8850	RFQ	7125	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			Montaje	DO-205AB, DO-9, Semento	1N3171	Estándar		DO-205AB (DO-9)	descascar	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado	1N3171MS	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)	700 V	1.25 V @ 240 A		75 µA @ 700 V	-65 ° C ~ 200 ° C	240a	-
Jantxv1n6347dus	68.5500	RFQ	3375	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/533	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SQ-Melf, B			500 MW	B, SQ-Melf	-			Alcanzar sin afectado	150-jantxv1n6347dus	EAR99	8541.10.0050	1			1.4 v @ 1 a		50 na @ 69 V				91 V	270 ohmios
1N4756ape3/TR8	0.9450	RFQ	1715	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	1N4756		1 W	DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1.500			1.2 v @ 200 ma		5 µA @ 35.8 V				47 V	80 ohmios
R3120	49.0050	RFQ	6564	Tecnología de Microchip	*	Una granela	Activo									-			Alcanzar sin afectado	150-R3120			1
Jantx1n3998ra	-	RFQ	5099	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/124	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje	DO-203AA, DO-4, semento			10 W	DO-213AA (DO-4)	-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.5 v @ 2 a		10 µA @ 2 V				6.2 V	1.1 ohmios
Jans1n6634cus/tr	-	RFQ	6792	Tecnología de Microchip	MIL-PRF-19500/356	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SQ-Melf, E			5 W	E-Mada	descascar				150-jans1n6634cus/tr	EAR99	8541.10.0050	1			1.5 v @ 1 a		175 µA @ 1 V				3.9 V	2 ohmios
Jantxv1n4565a-1/tr	6.1500	RFQ	4415	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/452	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-JantXV1N4565A-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1					2 µA @ 3 V				6.4 V	200 ohmios
Jan1N5518C-1/TR	12.6749	RFQ	9893	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/437	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-ENERO1N5518C-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		5 µA @ 1 V				3.3 V	26 ohmios
CDLL4773	135.4500	RFQ	6151	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA	CDLL4773		500 MW	DO-213AA	descascar	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					10 µA @ 6 V				9.1 V	200 ohmios
CD5266B	1.4497	RFQ	5399	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Morir			500 MW	Morir	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-CD5266B	EAR99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 200 Ma		100 na @ 52 V				68 V	230 ohmios
CDLL4704C/TR	7.5450	RFQ	8518	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA			500 MW	DO-213AA	-			Alcanzar sin afectado	150-CDLL4704C/TR	EAR99	8541.10.0050	125			1.1 V @ 200 Ma		50 na @ 12.9 V				17 V
Jan1n6326dus	38.2200	RFQ	4674	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/533	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SQ-Melf, B			500 MW	B, SQ-Melf	-			Alcanzar sin afectado	150-Enero1n6326dus	EAR99	8541.10.0050	1			1.4 v @ 1 a		1 µA @ 9 V				12 V	7 ohmios
Jantx1n4975	7.4200	RFQ	460	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/356	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	E, axial	1N4975		5 W	-	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.5 v @ 1 a		2 µA @ 38.8 V				51 V	27 ohmios
CDLL5271D	7.9534	RFQ	3769	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA			10 MW	DO-213AA	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-CDLL5271D	EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		100 na @ 76 V				100 V	500 ohmios
1N1583	38.3850	RFQ	8953	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			Montaje	DO-203AA, DO-4, semento		Estándar		DO-4 (DO-203AA)	descascar			Alcanzar sin afectado	150-1n1583	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)	200 V	1.3 V @ 30 A		10 µA @ 200 V	-65 ° C ~ 200 ° C	16A	-
1N3883	47.0100	RFQ	1695	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			Montaje	DO-203AA, DO-4, semento	1N3883	Estándar		DO-4 (DO-203AA)	descascar	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado	1N3883MS	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	400 V	1.4 V @ 20 A	200 ns	15 µA @ 400 V	-65 ° C ~ 175 ° C	6A	115pf @ 10V, 1 MHz
Smaj5925be3/tr13	0.6450	RFQ	4487	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	Smaj5925		3 W	DO-214AC (SMAJ)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	7,500			1.2 v @ 200 ma		5 µA @ 8 V				10 V	4.5 ohmios
1N6323US/TR	14.8200	RFQ	7330	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SQ-Melf, B			500 MW	B, SQ-Melf	-			Alcanzar sin afectado	150-1N6323US/TR	EAR99	8541.10.0050	100			1.4 v @ 1 a		1 µA @ 7 V				9.1 V	6 ohmios

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Diodos (34409)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²