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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 1N3155A | 15.7600 | ![]() | 156 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N3155 | 500 MW | Do-35 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 10 µA @ 5.5 V | 8.4 V | 15 ohmios | ||||||||||||
![]() | Jantxv1n4969dus/tr | 51.2700 | ![]() | 5203 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | MIL-PRF-19500/356 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | 5 W | E-Mada | - | 150-jantxv1n4969dus/tr | EAR99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.5 v @ 1 a | 2 µA @ 22.8 V | 30 V | 8 ohmios | ||||||||||||||
![]() | 1N1353 | 39.3150 | ![]() | 4311 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Una granela | Activo | 1N1353 | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | ||||||||||||||||||||||
![]() | 1N946B/TR | 62.8050 | ![]() | 3321 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AA, do-7, axial | 500 MW | Do-7 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-1N946B/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 15 µA @ 8 V | 11.7 V | 30 ohmios | |||||||||||||
![]() | CD966B | 1.5029 | ![]() | 2530 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Morir | 500 MW | Morir | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CD966B | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 200 Ma | 500 na @ 12 V | 16 V | 17 ohmios | ||||||||||||
![]() | MBR30200FCTE3/TU | 1.7600 | ![]() | 1557 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | Un 220-3 | MBR30200 | Schottky | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 2,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 200 V | 15A | 900 MV @ 15 A | 50 µA @ 200 V | -65 ° C ~ 175 ° C | ||||||||||
![]() | Jankca1n4117c | - | ![]() | 6414 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Morir | 500 MW | Morir | - | Alcanzar sin afectado | 150-jankca1n4117c | EAR99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 19 V | 25 V | 150 ohmios | |||||||||||||
![]() | Jan1N3327RB | - | ![]() | 8262 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/358 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje | Do-203ab, do-5, semental | 50 W | Do-5 | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 10 A | 10 µA @ 29.7 V | 39 V | 4 ohmios | |||||||||||||
![]() | Jantxv1n333333rb | - | ![]() | 7886 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/358 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje | Do-203ab, do-5, semental | 50 W | Do-5 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-jantxv1n333333rb | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 10 A | 10 µA @ 42.6 V | 52 V | 5.5 ohmios | ||||||||||||
![]() | 1 PMT5947BE3/TR13 | - | ![]() | 1894 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-216AA | 1pmt5947 | 3 W | DO-216AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 12,000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 62.2 V | 82 V | 160 ohmios | |||||||||||
![]() | CDS4153UR-1 | - | ![]() | 5038 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Una granela | Activo | - | Alcanzar sin afectado | 150-cds4153ur-1 | 50 | |||||||||||||||||||||||||
Jan1n4484dus | 34.6050 | ![]() | 7142 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/406 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Sq-melf, un | 1N4484 | 1.5 W | D-5A | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 200 Ma | 250 na @ 49.6 V | 62 V | 80 ohmios | ||||||||||||
![]() | UPS5819/TR13 | 0.6150 | ![]() | 3813 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-216AA | UPS5819 | Schottky | Powermite | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 12,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 40 V | 550 MV @ 1 A | 1 ma @ 40 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | - | ||||||||||
![]() | Jankca1n5542b | - | ![]() | 6691 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/437 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | Do-35 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-jankca1n5542b | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 21.6 V | 24 V | 100 ohmios | ||||||||||||
![]() | 1N5533ur-1/TR | 6.6300 | ![]() | 6583 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 20% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-213AA | 500 MW | DO-213AA | - | EAR99 | 8541.10.0050 | 146 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 10.5 V | 13 V | ||||||||||||||||
Jantxv1n753d-1 | 16.9200 | ![]() | 9461 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/127 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N753 | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 5 µA @ 3.5 V | 6.2 V | 7 ohmios | ||||||||||||
![]() | Jantx1n751dur-1 | 16.9050 | ![]() | 4772 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/127 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA | 1N751 | 500 MW | DO-213AA | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 5 µA @ 2 V | 5.1 V | 17 ohmios | |||||||||||
![]() | 1N3169 | 216.8850 | ![]() | 3651 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | Montaje | DO-205AB, DO-9, Semento | 1N3169 | Estándar | DO-205AB (DO-9) | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | 1N3169MS | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 500 V | 1.25 V @ 240 A | 75 µA @ 500 V | -65 ° C ~ 200 ° C | 240a | - | ||||||||||
Jan1n4959d | 18.6750 | ![]() | 6794 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/356 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | E, axial | 1N4959 | 5 W | E, axial | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 10 µA @ 8.4 V | 11 V | 2.5 ohmios | ||||||||||||
![]() | S204120 | 33.4500 | ![]() | 3221 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | S204 | Una granela | Activo | Montaje | DO-203AA, DO-4, semento | S204120 | Estándar | DO-4 (DO-203AA) | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1200 V | 1.2 V @ 30 A | 10 µA @ 1200 V | -65 ° C ~ 200 ° C | 12A | - | |||||||||||
1N4574A/TR | 29.5200 | ![]() | 8506 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | Alcanzar sin afectado | 150-1N4574A/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 100 | 2 µA @ 3 V | 6.4 V | 100 ohmios | |||||||||||||||
![]() | CD4574 | 20.5800 | ![]() | 7068 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | 0 ° C ~ 75 ° C | Montaje en superficie | Morir | Morir | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CD4574 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 6.4 V | 100 ohmios | ||||||||||||||
![]() | Jankca1n4111 | - | ![]() | 3388 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AA, do-7, axial | 500 MW | DO-7 (DO-204AA) | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-Jankca1N4111 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 50 na @ 12.92 V | 17 V | 100 ohmios | ||||||||||||
![]() | CDLL6487/TR | 13.3931 | ![]() | 3571 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Do-213ab, melf | 1.5 W | DO-213AB | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL6487/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 200 Ma | 35 µA @ 1 V | 3.9 V | 9 ohmios | ||||||||||||
1N5262/TR | 2.2950 | ![]() | 5881 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | Alcanzar sin afectado | 150-1N5262/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 410 | 1.5 V @ 200 Ma | 100 na @ 37 V | 51 V | 125 ohmios | ||||||||||||||
Jantx1n6321cus | 30.8028 | ![]() | 8002 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/533 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | 500 MW | B, SQ-Melf | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-Jantx1n6321cus | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 v @ 1 a | 2 µA @ 5 V | 7.5 V | 4 ohmios | |||||||||||||
Jan1n4493c | 25.6050 | ![]() | 6012 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/406 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N4493 | 1.5 W | Do-41 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 200 Ma | 250 na @ 120 V | 150 V | 700 ohmios | ||||||||||||
Jans1n5418us | 70.4400 | ![]() | 1173 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/411 | Una granela | Activo | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | Estándar | B, SQ-Melf | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.5 v @ 9 a | 150 ns | 1 µA @ 150 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 3A | - | ||||||||||||
![]() | MBR60200PE3/TU | 2.0100 | ![]() | 6493 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Tubo | Activo | MBR60200 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 2,000 | |||||||||||||||||||||
![]() | Jantx1n4114dur-1 | 31.0500 | ![]() | 2086 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 1N4114 | 500 MW | DO-213AA | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 15.2 V | 20 V | 150 ohmios |
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