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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 1 PMT4625E3/TR7 | 0.4950 | ![]() | 4976 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | PowerMite® | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-216AA | 1pmt4625 | 1 W | DO-216 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 µA @ 3 V | 5.1 V | 1500 ohmios | |||||||||
![]() | Jantx1n6630 | 15.1350 | ![]() | 1371 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/590 | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | E, axial | Estándar | E, axial | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 900 V | 1.7 v @ 3 a | 50 ns | 2 µA @ 990 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 3A | 40pf @ 10V, 1 MHz | |||||||||
Jantx1n980bur-1/tr | 5.5328 | ![]() | 6976 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/117 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N980 | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-Jantx1n980bur-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 500 na @ 47 V | 62 V | 185 ohmios | ||||||||||
![]() | 1n6921utk4as | 259.3500 | ![]() | 6543 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Una granela | Activo | - | Alcanzar sin afectado | 150-1n6921utk4as | 1 | |||||||||||||||||||||||
![]() | Jantxv1n3011b | - | ![]() | 7193 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/124 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje | DO-203AA, DO-4, semento | 1N3011 | 10 W | DO-213AA (DO-4) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 2 a | 10 µA @ 114 V | 150 V | 175 ohmios | |||||||||
![]() | Jans1n4117dur-1 | 147.2700 | ![]() | 3975 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 500 MW | DO-213AA | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 19 V | 25 V | 150 ohmios | |||||||||||
![]() | Jan1n6642u | 7.7800 | ![]() | 5654 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/578 | Una granela | Activo | Montaje en superficie | SQ-Melf, D | 1N6642 | Estándar | D-5D | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 75 V | 1.2 V @ 100 Ma | 5 ns | 500 na @ 75 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 300mA | - | |||||||
![]() | 1N4738CPE3/TR8 | 1.1550 | ![]() | 9574 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N4738 | 1 W | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µA @ 6 V | 8.2 V | 4.5 ohmios | |||||||||
![]() | CDLL4135E3/TR | 3.9600 | ![]() | 7780 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-213AA | 500 MW | DO-213AA | - | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL4135E3/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 238 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 76 V | 100 V | 1500 ohmios | |||||||||||
![]() | CDLL4922 | 104.3400 | ![]() | 8991 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA | CDLL4922 | 500 MW | DO-213AA | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 15 µA @ 12 V | 19.2 V | 150 ohmios | |||||||||||
![]() | Jans1n6354cus | - | ![]() | 3185 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/533 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | 500 MW | B, SQ-Melf | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 v @ 1 a | 50 na @ 137 V | 180 V | 1500 ohmios | |||||||||||
![]() | SMBG5374A/TR13 | 2.2200 | ![]() | 5005 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-215AA, Ala de Gaviota de SMB | SMBG5374 | 5 W | SMBG (DO-215AA) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.2 v @ 1 a | 500 na @ 54 V | 75 V | 45 ohmios | |||||||||
![]() | Jantxv1n746dur-1 | 20.7300 | ![]() | 5705 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/127 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 1N746 | 500 MW | DO-213AA | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 5 µA @ 1 V | 3.3 V | 28 ohmios | |||||||||
![]() | 1N5345E3/TR13 | 0.9900 | ![]() | 9763 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 20% | -65 ° C ~ 150 ° C | A Través del Aguetero | T-18, axial | 1N5345 | 5 W | T-18 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.250 | 1.2 v @ 1 a | 10 µA @ 6.25 V | 8.7 V | 2 ohmios | |||||||||
![]() | SMBG5357C/TR13 | 2.8650 | ![]() | 3471 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-215AA, Ala de Gaviota de SMB | SMBG5357 | 5 W | SMBG (DO-215AA) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.2 v @ 1 a | 500 na @ 14.4 V | 20 V | 3 ohmios | |||||||||
![]() | S4260F | 57.8550 | ![]() | 9614 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | S42 | Una granela | Activo | Montaje | DO-205AA, DO-8, Semento | S4260 | Estándar | DO-205AA (DO-8) | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.2 v @ 200 a | 50 µA @ 600 V | -65 ° C ~ 200 ° C | 125a | - | |||||||||
![]() | CDLL4687/TR | 3.0989 | ![]() | 3336 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA | 500 MW | DO-213AA | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL4687/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 4 µA @ 2 V | 4.3 V | |||||||||||
Jans1n6316 | 114.5850 | ![]() | 2081 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/533 | Banda | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N6316 | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 v @ 1 a | 5 µA @ 1.5 V | 4.7 V | 17 ohmios | |||||||||||
1N4678/TR | 3.6575 | ![]() | 2701 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TA) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-1N4678/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 7.5 µA @ 1 V | 1.8 V | ||||||||||||
Jans1n4472cus | 283.8300 | ![]() | 2914 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Sq-melf, un | 1.5 W | D-5A | - | Alcanzar sin afectado | 150-jans1n4472cus | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 50 na @ 16 V | 20 V | 12 ohmios | ||||||||||||
![]() | 1N4372 | - | ![]() | 4226 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Descontinuado en sic | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N4372 | 500 MW | Do-35 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 50 µA @ 1 V | 3 V | 29 ohmios | |||||||||
![]() | CDLL5229D/TR | 8.5950 | ![]() | 1855 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA | 10 MW | DO-213AA | - | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL5229D/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 110 | 1.1 V @ 200 Ma | 5 µA @ 1 V | 4.3 V | 22 ohmios | |||||||||||
![]() | Jan1n5614/tr | 4.6350 | ![]() | 1291 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/427 | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | A, axial | Estándar | A, axial | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-Enero1N5614/TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1.3 V @ 3 A | 2 µs | 500 na @ 200 V | -65 ° C ~ 200 ° C | 1A | - | ||||||||
![]() | Jans1n4102ur-1 | 48.9900 | ![]() | 3513 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TA) | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 500 MW | DO-213AA | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 500 na @ 6.7 V | 8.7 V | 200 ohmios | |||||||||||
1N4110D-1/TR | 6.3300 | ![]() | 3812 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | Alcanzar sin afectado | 150-1N4110D-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 150 | 1.1 V @ 200 Ma | 50 na @ 12.2 V | 16 V | 100 ohmios | ||||||||||||
Jan1n4963d | 18.6750 | ![]() | 6789 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/356 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | E, axial | 1N4963 | 5 W | E, axial | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 5 µA @ 12.2 V | 16 V | 3.5 ohmios | ||||||||||
![]() | CDLL4775/TR | 19.4250 | ![]() | 5118 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | 0 ° C ~ 75 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA | 500 MW | DO-213AA | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL4775/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 10 µA @ 6 V | 8.5 V | 200 ohmios | |||||||||||
![]() | R2080 | 33.4500 | ![]() | 3472 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | R20 | Una granela | Activo | Montaje | DO-203AA, DO-4, semento | R2080 | Estándar | DO-4 (DO-203AA) | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 800 V | 1.3 V @ 30 A | 10 µA @ 800 V | -65 ° C ~ 200 ° C | 16A | - | |||||||||
CDLL3042A | 15.3000 | ![]() | 5195 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 10% | -55 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Do-213ab, melf | CDLL3042 | 1 W | DO-213AB | - | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 500 na @ 62.2 V | 82 V | 200 ohmios | ||||||||||
Jantx1n4493dus | 45.0900 | ![]() | 9696 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/406 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Sq-melf, un | 1N4493 | 1.5 W | D-5A | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 200 Ma | 250 na @ 120 V | 150 V | 700 ohmios |
Volumen de RFQ promedio diario
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