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Diodos (34409)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Velocidad	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
Jantxv1n4969dus/tr	51.2700	RFQ	5203	Tecnología de Microchip	MIL-PRF-19500/356	Tape & Reel (TR)	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SQ-Melf, B			5 W	E-Mada	-				150-jantxv1n4969dus/tr	EAR99	8541.10.0050	100					1.5 v @ 1 a		2 µA @ 22.8 V				30 V	8 ohmios
1N1353	39.3150	RFQ	4311	Tecnología de Microchip	*	Una granela	Activo					1N1353				-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1
1N946B/TR	62.8050	RFQ	3321	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AA, do-7, axial			500 MW	Do-7	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-1N946B/TR	EAR99	8541.10.0050	1							15 µA @ 8 V				11.7 V	30 ohmios
CD966B	1.5029	RFQ	2530	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Morir			500 MW	Morir	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-CD966B	EAR99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 200 Ma		500 na @ 12 V				16 V	17 ohmios
MBR30200FCTE3/TU	1.7600	RFQ	1557	Tecnología de Microchip	-	Tubo	Activo			A Través del Aguetero	Un 220-3	MBR30200	Schottky		Un 220b	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	2,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	200 V	15A	900 MV @ 15 A		50 µA @ 200 V	-65 ° C ~ 175 ° C
Jankca1n4117c	-	RFQ	6414	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/435	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Morir			500 MW	Morir	-			Alcanzar sin afectado	150-jankca1n4117c	EAR99	8541.10.0050	100					1.1 V @ 200 Ma		10 na @ 19 V				25 V	150 ohmios
Jantxv1n5712-1	26.0700	RFQ	5126	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/444	Una granela	Activo			A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial		Schottky		DO-35 (DO-204AH)	-			Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	1	Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad		16 V		1 V @ 35 Ma		150 na @ 16 V	-65 ° C ~ 150 ° C	33MA	2pf @ 0V, 1 MHz
Jan1N3327RB	-	RFQ	8262	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/358	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje	Do-203ab, do-5, semental			50 W	Do-5	-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 10 A		10 µA @ 29.7 V				39 V	4 ohmios
Jantxv1n333333rb	-	RFQ	7886	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/358	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje	Do-203ab, do-5, semental			50 W	Do-5	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-jantxv1n333333rb	EAR99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 10 A		10 µA @ 42.6 V				52 V	5.5 ohmios
1 PMT5947BE3/TR13	-	RFQ	1894	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-216AA	1pmt5947		3 W	DO-216AA	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	12,000					1.2 v @ 200 ma		1 µA @ 62.2 V				82 V	160 ohmios
CDS4153UR-1	-	RFQ	5038	Tecnología de Microchip	*	Una granela	Activo									-			Alcanzar sin afectado	150-cds4153ur-1			50
Jan1n4484dus	34.6050	RFQ	7142	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/406	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Sq-melf, un	1N4484		1.5 W	D-5A	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1 V @ 200 Ma		250 na @ 49.6 V				62 V	80 ohmios
UPS5819/TR13	0.6150	RFQ	3813	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-216AA	UPS5819	Schottky		Powermite	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	12,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		40 V		550 MV @ 1 A		1 ma @ 40 V	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	-
Jankca1n5542b	-	RFQ	6691	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/437	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	Do-35	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-jankca1n5542b	EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		10 na @ 21.6 V				24 V	100 ohmios
1N5533ur-1/TR	6.6300	RFQ	6583	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 20%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DO-213AA			500 MW	DO-213AA	-					EAR99	8541.10.0050	146					1.1 V @ 200 Ma		10 na @ 10.5 V				13 V
Jantxv1n753d-1	16.9200	RFQ	9461	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/127	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N753		500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		5 µA @ 3.5 V				6.2 V	7 ohmios
Jantx1n751dur-1	16.9050	RFQ	4772	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/127	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA	1N751		500 MW	DO-213AA	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		5 µA @ 2 V				5.1 V	17 ohmios
1N3169	216.8850	RFQ	3651	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			Montaje	DO-205AB, DO-9, Semento	1N3169	Estándar		DO-205AB (DO-9)	descascar	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado	1N3169MS	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		500 V		1.25 V @ 240 A		75 µA @ 500 V	-65 ° C ~ 200 ° C	240a	-
Jan1n4959d	18.6750	RFQ	6794	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/356	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	E, axial	1N4959		5 W	E, axial	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.5 v @ 1 a		10 µA @ 8.4 V				11 V	2.5 ohmios
S204120	33.4500	RFQ	3221	Tecnología de Microchip	S204	Una granela	Activo			Montaje	DO-203AA, DO-4, semento	S204120	Estándar		DO-4 (DO-203AA)	descascar	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		1200 V		1.2 V @ 30 A		10 µA @ 1200 V	-65 ° C ~ 200 ° C	12A	-
1N4574A/TR	29.5200	RFQ	8506	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar			Alcanzar sin afectado	150-1N4574A/TR	EAR99	8541.10.0050	100							2 µA @ 3 V				6.4 V	100 ohmios
CD4574	20.5800	RFQ	7068	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	0 ° C ~ 75 ° C	Montaje en superficie	Morir				Morir	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-CD4574	EAR99	8541.10.0050	1							2 µA @ 3 V				6.4 V	100 ohmios
Jankca1n4111	-	RFQ	3388	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AA, do-7, axial			500 MW	DO-7 (DO-204AA)	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-Jankca1N4111	EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		50 na @ 12.92 V				17 V	100 ohmios
CDLL6487/TR	13.3931	RFQ	3571	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Do-213ab, melf			1.5 W	DO-213AB	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-CDLL6487/TR	EAR99	8541.10.0050	1					1 V @ 200 Ma		35 µA @ 1 V				3.9 V	9 ohmios
1N5262/TR	2.2950	RFQ	5881	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	-			Alcanzar sin afectado	150-1N5262/TR	EAR99	8541.10.0050	410					1.5 V @ 200 Ma		100 na @ 37 V				51 V	125 ohmios
Jantx1n6321cus	30.8028	RFQ	8002	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/533	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SQ-Melf, B			500 MW	B, SQ-Melf	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-Jantx1n6321cus	EAR99	8541.10.0050	1					1.4 v @ 1 a		2 µA @ 5 V				7.5 V	4 ohmios
Jan1n4493c	25.6050	RFQ	6012	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/406	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	1N4493		1.5 W	Do-41	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1 V @ 200 Ma		250 na @ 120 V				150 V	700 ohmios
Jans1n5418us	70.4400	RFQ	1173	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/411	Una granela	Activo			Montaje en superficie	SQ-Melf, B		Estándar		B, SQ-Melf	-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		400 V		1.5 v @ 9 a	150 ns	1 µA @ 150 V	-65 ° C ~ 175 ° C	3A	-
MBR60200PE3/TU	2.0100	RFQ	6493	Tecnología de Microchip	*	Tubo	Activo					MBR60200				-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	2,000
Jantx1n4114dur-1	31.0500	RFQ	2086	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/435	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)	1N4114		500 MW	DO-213AA	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		10 na @ 15.2 V				20 V	150 ohmios

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Diodos (34409)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²