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Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Velocidad	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
Jan1n6325us	15.9300	RFQ	1981	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/533	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	SQ-Melf, B	1N6325		500 MW	B, SQ-Melf	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.4 v @ 1 a		1 µA @ 8.5 V				11 V	7 ohmios
CDLL4468	11.3550	RFQ	1694	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Do-213ab, melf	CDLL4468		1.5 W	DO-213AB	-	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1 V @ 200 Ma		50 na @ 10.4 V				13 V	8 ohmios
CDLL821A	4.2300	RFQ	5473	Tecnología de Microchip	*	Una granela	Activo					CDLL821				-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1
Jantxv1n4982c	22.2000	RFQ	9351	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/356	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	E, axial			5 W	E, axial	-			Alcanzar sin afectado	150-jantxv1n4982c	EAR99	8541.10.0050	1			1.5 v @ 1 a		2 µA @ 76 V				100 V	110 ohmios
1N1301	45.3600	RFQ	6859	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			Montaje	Do-203ab, do-5, semental		Estándar		DO-5 (DO-203AB)	descascar			Alcanzar sin afectado	150-1N1301	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)	50 V	1.19 v @ 90 A	5 µs	10 µA @ 50 V	-65 ° C ~ 200 ° C	37a	-
1N4557A	74.3550	RFQ	8929	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	A-204AD	1N4557		50 W	TO-204AD (TO-3)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 10 A		150 µA @ 500 MV				3.9 V	0.16 ohmios
Jans1n6489d	-	RFQ	7055	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/406	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial			1.5 W	Do-41	-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.5 v @ 1 a		4 µA @ 1 V				4.7 V	8 ohmios
Jantxv1n4476dus/tr	56.5650	RFQ	8439	Tecnología de Microchip	MIL-PRF-19500/406	Tape & Reel (TR)	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Sq-melf, un			1.5 W	D-5A	-				150-jantxv1n4476dus/tr	EAR99	8541.10.0050	100			1.5 v @ 1 a		50 na @ 24 V				30 V	20 ohmios
CDLL4624C	8.0850	RFQ	5324	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA			500 MW	DO-213AA	-			Alcanzar sin afectado	150-CDLL4624C	EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		10 µA @ 3 V				4.7 V	1550 ohmios
UFR8760	148.2150	RFQ	2782	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			Montaje	Do-203ab, do-5, semental		Estándar		DO-203AB (DO-5)	-			Alcanzar sin afectado	150-UFR8760	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	600 V	1 V @ 85 A	140 ns	30 µA @ 600 V	-65 ° C ~ 175 ° C	85a	155pf @ 10V, 1 MHz
1N4615	2.6250	RFQ	4407	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DO-213AA			500 MW	DO-213AA	-			Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		2.5 µA @ 1 V				2 V	1250 ohmios
Uz8870	23.3700	RFQ	6549	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	A, axial			1 W	A, axial	-			Alcanzar sin afectado	150-UZ8870	EAR99	8541.10.0050	1					500 na @ 50.4 V				70 V	150 ohmios
1N4771A	90.2250	RFQ	4911	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 100 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N4771		500 MW	Do-35	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1									9.1 V	200 ohmios
Jantx1n6942utk3cs/tr	506.3700	RFQ	1304	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/726	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	Thinkey ™ 3		Schottky, Polaridad Inversa		Thinkey ™ 3	-			Alcanzar sin afectado	150-Jantx1n6942utk3cs/TR	EAR99	8541.10.0080	100	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	45 V	460 MV @ 50 A		5 Ma @ 45 V	-65 ° C ~ 150 ° C	150a	7000PF @ 5V, 1MHz
Jantxv1n6355us/tr	-	RFQ	8603	Tecnología de Microchip	MIL-PRF-19500/533	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SQ-Melf, B			500 MW	B, SQ-Melf	descascar				150-JantXV1N6355US/TR	EAR99	8541.10.0050	1			1.4 v @ 1 a		50 na @ 152 V				200 V	1800 ohmios
1N5935CP/TR12	2.2800	RFQ	1815	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	1N5935		1.5 W	DO-204Al (DO-41)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	4.000			1.2 v @ 200 ma		1 µA @ 20.6 V				28 V	23 ohmios
1N4744AUR/TR	3.7000	RFQ	8192	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AB, MELL (Vidrio)			1 W	DO-213AB (Melf, LL41)	-					EAR99	8541.10.0050	269			1.2 v @ 200 ma		5 µA @ 11.4 V				15 V	14 ohmios
Jantxv1n6842u3	-	RFQ	2812	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			Montaje en superficie	3-SMD, sin Plomo		Schottky		U3	-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	60 V	900 MV @ 15 A		50 µA @ 60 V	-65 ° C ~ 150 ° C	10A	400pf @ 5V, 1MHz
1N4694UR-1/TR	5.2400	RFQ	5661	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DO-213AA			500 MW	DO-213AA	-					EAR99	8541.10.0050	186			1.5 V @ 100 Ma		1 µA @ 6.2 V				8.2 V
CDLL4735	3.4650	RFQ	8204	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Do-213ab, melf	CDLL4735			DO-213AB	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.2 v @ 200 ma		5 µA @ 3 V				6.2 V	2 ohmios
Jans1n4616ur-1/tr	65.1200	RFQ	9286	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/435	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TA)	Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)			500 MW	DO-213AA	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-Jans1n4616ur-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		2 µA @ 1 V				2.2 V	1.3 ohmios
Jantxv1n4483us/tr	17.7750	RFQ	4166	Tecnología de Microchip	MIL-PRF-19500/406	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Sq-melf, un			1.5 W	D-5A	-				150-jantxv1n4483us/tr	EAR99	8541.10.0050	100			1.5 v @ 1 a		250 na @ 44.8 V				56 V	70 ohmios
CD4148SBW	-	RFQ	5814	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			Montaje en superficie	Morir		Estándar		Morir	-			Alcanzar sin afectado	150-CD4148SBW	EAR99	8541.10.0070	1	Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad	75 V	1.2 V @ 100 Ma	5 ns	500 na @ 75 V	-55 ° C ~ 175 ° C	200 MMA	-
Jantx1n4477d	22.5300	RFQ	6907	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/406	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	1N4477		1.5 W	Do-41	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1 V @ 200 Ma		50 na @ 26.4 V				33 V	25 ohmios
Jans1n4475d	258.8850	RFQ	4493	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/406	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial			1.5 W	Do-41	-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.5 v @ 1 a		50 na @ 21.6 V				27 V	18 ohmios
1N3048B-1	8.1900	RFQ	2739	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do041, axial	1N3048		1 W	Do-41	descascar	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.2 v @ 200 ma		2 µA @ 114 V				150 V	1000 ohmios
Jan1n984d-1	5.4900	RFQ	4899	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/117	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N984		500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		500 na @ 69 V				91 V	400 ohmios
1N4738CPE3/TR12	1.1550	RFQ	7894	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	1N4738		1 W	DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	4.000			1.2 v @ 200 ma		10 µA @ 6 V				8.2 V	4.5 ohmios
1 PMT4131C/TR13	1.2450	RFQ	2812	Tecnología de Microchip	PowerMite®	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-216AA	1pmt4131		1 W	DO-216	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	12,000			1.1 V @ 200 Ma		10 na @ 57 V				75 V	250 ohmios
Jantxv1n981c-1/tr	6.8628	RFQ	7619	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/117	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-JantXV1N981C-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		500 na @ 52 V				68 V	230 ohmios

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Diodos (34409)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²