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Diodos (34409)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | HSM880G/TR13 | 2.7150 |  | 3158 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-215AB, Ala de Gaviota SMC | HSM880 | Schottky | DO-215AB | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 80 V | 780 MV @ 8 A | 500 µA @ 80 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 8A | - | ||||||||
 | Jans1n6485cus | - | | 2811 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/406 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Sq-melf, un | 1.5 W | A, SQ-Melf | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 50 µA @ 1 V | 3.3 V | 10 ohmios | |||||||||||
 | CDLL5280/TR | 3.7800 | | 6393 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 20% | -65 ° C ~ 200 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA | DO-213AA | - | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL5280/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 250 | 1.1 V @ 200 Ma | 100 na @ 137 V | 190 V | 2400 ohmios | ||||||||||||
| Jantx1n2808b | - | | 2562 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/114 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | A-204AD | 1N2808 | 50 W | TO-204AD (TO-3) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 10 A | 25 µA @ 6.7 V | 10 V | 0.6 ohmios | |||||||||
 | Jans1n6333us/tr | 127.1706 | | 7940 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/533 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | 500 MW | B, SQ-Melf | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-jans1n6333us/tr | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 v @ 1 a | 50 na @ 18 V | 24 V | 24 ohmios | ||||||||||
| 1N3664R | 41.6850 | | 7440 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | DO-208AA | Polaridad Inversa Estándar | DO-21 | descascar | Alcanzar sin afectado | 150-1N3664R | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 500 V | 1.1 V @ 35 A | 10 µA @ 500 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 35a | - | ||||||||||
 | UPS840/TR13 | 3.2200 | | 1 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | PowerMite®3 | UPS840 | Schottky | Powermit 3 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 5,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 40 V | 450 MV @ 8 A | 5 Ma @ 40 V | -55 ° C ~ 125 ° C | 8A | - | ||||||||
| Jantxv1n5527cur-1 | 49.5450 | | 7317 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/437 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 1N5527 | 500 MW | DO-213AA | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 500 na @ 6.8 V | 7.5 V | 35 ohmios | |||||||||
 | UZ5240 | 32.2650 | | 5338 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | B, axial | 5 W | B, axial | - | Alcanzar sin afectado | 150-UZ5240 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 5 µA @ 30.4 V | 400 V | 1800 ohmios | ||||||||||||
| Janhca1n4126 | 13.2734 | | 4037 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AA, do-7, axial | 500 MW | DO-7 (DO-204AA) | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JANHCA1N4126 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 38.76 V | 51 V | 300 ohmios | ||||||||||
 | Jan1n6328dus | 38.2200 | | 2471 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/533 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | 500 MW | B, SQ-Melf | - | Alcanzar sin afectado | 150-Enero1n6328dus | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 v @ 1 a | 50 na @ 11 V | 15 V | 10 ohmios | |||||||||||
| SMBG5385AE3/TR13 | 1.1250 | | 9498 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-215AA, Ala de Gaviota de SMB | SMBG5385 | 5 W | SMBG (DO-215AA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.2 v @ 1 a | 500 na @ 122 V | 170 V | 380 ohmios | |||||||||
 | Jantxv1n5543b-1 | 9.1200 | | 2713 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/437 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N5543 | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 22.4 V | 25 V | 100 ohmios | |||||||||
| 1N2977Be3 | 37.5300 | | 2094 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje | DO-203AA, DO-4, semento | 1N2977 | 10 W | DO-4 (DO-203AA) | descascar | Alcanzar sin afectado | 150-1N2977BE3 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 2 a | 10 µA @ 9.9 V | 13 V | 3 ohmios | ||||||||||
 | SMBJ4742E3/TR13 | 0.4350 | | 3570 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | SMBJ4742 | 2 W | SMBJ (DO-214AA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µA @ 9.1 V | 12 V | 9 ohmios | |||||||||
| CDS5229D-1/TR | - | | 1234 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Tape & Reel (TR) | Activo | - | Alcanzar sin afectado | 150-CDS5229D-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 50 | |||||||||||||||||||||
 | Jantx1n3050bur-1 | - | | 2138 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/115 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TA) | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | 1.5 W | DO-213AB (Melf, LL41) | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 500 na @ 136.8 V | 180 V | 1200 ohmios | |||||||||||
| Jantx1n6320us | - | | 9577 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/533 | Una granela | Descontinuado en sic | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | 500 MW | B, SQ-Melf | - | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 v @ 1 a | 2 µA @ 4 V | 6.8 V | 3 ohmios | ||||||||||
| Jantx1n6325dus | 57.9000 | | 4396 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/533 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | 500 MW | B, SQ-Melf | - | Alcanzar sin afectado | 150-Jantx1n6325dus | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 v @ 1 a | 1 µA @ 8.5 V | 11 V | 7 ohmios | |||||||||||
| Jantxv1n5623us | 14.2500 | | 7299 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/429 | Una granela | Activo | Montaje en superficie | Sq-melf, un | 1N5623 | Estándar | D-5A | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1000 V | 1.6 v @ 3 a | 500 ns | 500 na @ 1000 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 15pf @ 12V, 1 MHz | |||||||
 | CDLL5275B/TR | 2.9526 | | 8023 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Do-213ab, melf | DO-213AB | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL5275B/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 100 na @ 101 V | 140 V | 1300 ohmios | |||||||||||
| CDLL4615 | 3.3000 | | 3878 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA | CDLL4615 | 500 MW | DO-213AA | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 2.5 µA @ 1 V | 2 V | 1250 ohmios | |||||||||
| Jantx1n5529dur-1 | 47.2200 | | 4366 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/437 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 1N5529 | 500 MW | DO-213AA | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 100 na @ 8.2 V | 9.1 V | 45 ohmios | |||||||||
| Jan1n6312us/tr | 15.6000 | | 1739 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/533 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | 1N6312 | 500 MW | B, SQ-Melf | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.4 v @ 1 a | 5 µA @ 1 V | 3.3 V | 27 ohmios | ||||||||||
| 1N5278/TR | 3.3900 | | 8379 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | Alcanzar sin afectado | 150-1N5278/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 280 | 1.5 V @ 200 Ma | 100 na @ 123 V | 170 V | 1900 ohmios | |||||||||||
| 1N5956Be3 | 3.5850 | | 4610 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204al, do041, axial | 1.19 W | Do-41 | - | Alcanzar sin afectado | 150-1N5956BE3 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 152 V | 200 V | 1200 ohmios | |||||||||||
| Jantx1n6343dus | 51.3380 | | 1666 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/533 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | 500 MW | B, SQ-Melf | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-Jantx1n6343dus | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 v @ 1 a | 50 na @ 47 V | 62 V | 125 ohmios | ||||||||||
| 1N4595R | 102.2400 | | 7254 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | Montaje | DO-205AA, DO-8, Semento | Polaridad Inversa Estándar | DO-205AA (DO-8) | descascar | Alcanzar sin afectado | 150-1N4595R | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1200 V | 1.1 v @ 200 a | 50 µA @ 1200 V | -65 ° C ~ 200 ° C | 150a | - | ||||||||||
| Jans1n4494d | 343.5150 | | 6097 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/406 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204al, do041, axial | 1.5 W | Do-41 | - | Alcanzar sin afectado | 150-jans1n4494d | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 250 na @ 128 V | 160 V | 1000 ohmios | |||||||||||
| SMBJ4756AE3/TR13 | 0.4350 | | 7199 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | SMBJ4756 | 2 W | SMBJ (DO-214AA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µA @ 35.8 V | 47 V | 80 ohmios |
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