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Diodos (34409)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Velocidad	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
CDLL5225BE3	2.7132	RFQ	6477	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA			10 MW	DO-213AA	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-CDLL5225BE3	EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		50 µA @ 1 V				3 V	29 ohmios
CDS3041B-1/TR	-	RFQ	3024	Tecnología de Microchip	*	Tape & Reel (TR)	Activo									-			Alcanzar sin afectado	150-CDS3041B-1/TR	EAR99	8541.10.0050	50
Jantxv1n4552rb	-	RFQ	8629	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/358	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje	Do-203ab, do-5, semental			50 W	Do-5	-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 10 A		20 µA @ 1 V				5.1 V	0.12 ohmios
1N2786	74.5200	RFQ	9086	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			Montaje	Do-203ab, do-5, semental		Estándar		DO-5 (DO-203AB)	descascar			Alcanzar sin afectado	150-1N2786	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		200 V		1.19 v @ 90 A	5 µs	10 µA @ 200 V	-65 ° C ~ 200 ° C	10A	-
Msasc25h45kv	-	RFQ	6210	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			Montaje en superficie	Thinkey ™ 2		Schottky		Thinkey ™ 2	-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	100	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		45 V		610 MV @ 20 A		1 ma @ 45 V	-55 ° C ~ 150 ° C	25A	-
MSASC150H45L/TR	220.7700	RFQ	8189	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	Thinkey ™ 3		Schottky		Thinkey ™ 3	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-MSASC150H45L/TR	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		45 V		600 MV @ 150 A		10 Ma @ 45 V	-55 ° C ~ 150 ° C	150a	-
1N6622US	8.7600	RFQ	9398	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			Montaje en superficie	Sq-melf, un	1N6622	Estándar		Una masa	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		660 V		1.4 V @ 1.2 A	30 ns	500 na @ 660 V	-65 ° C ~ 150 ° C	1.2a	10pf @ 10V, 1 MHz
Jan1n6314d	30.4350	RFQ	8232	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/533	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N6314		500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.4 v @ 1 a		2 µA @ 1 V				3.9 V	23 ohmios
1N823AUR-1	4.7550	RFQ	1232	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)	1N823		500 MW	DO-213AA	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1							2 µA @ 3 V				6.2 V	10 ohmios
Jantx1n6348/tr	11.1587	RFQ	7088	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/533	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-JantX1N6348/TR	EAR99	8541.10.0050	1					1.4 v @ 1 a		50 na @ 76 V				100 V	340 ohmios
CDLL5543D/TR	16.3950	RFQ	2950	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DO-213AA			500 MW	DO-213AA	-			Alcanzar sin afectado	150-CDLL5543D/TR	EAR99	8541.10.0050	100					1.1 V @ 200 Ma		10 na @ 22.4 V				25 V	100 ohmios
CDLL4754	3.4650	RFQ	8147	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Do-213ab, melf	CDLL4754			DO-213AB	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.2 v @ 200 ma		100 na @ 29.7 V				39 V	60 ohmios
CDLL5931D	11.7300	RFQ	2428	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Do-213ab, melf	CDLL5931		1.25 W	DO-213AB	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.2 v @ 200 ma		1 µA @ 13.7 V				18 V	12 ohmios
Jantx1n4372a-1	8.7450	RFQ	4828	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/127	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N4372		500 MW	Do-35	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		30 µA @ 1 V				3 V	29 ohmios
ST6020A	78.9000	RFQ	7812	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			A Través del Aguetero	TO-204AA, TO-3		Estándar		TO-204AD (TO-3)	-			Alcanzar sin afectado	150 ST6020A	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		200 V		1 V @ 40 A	5 µs	5 µA @ 200 V	-	40A	-
SMBJ5369CE3/TR13	1.0800	RFQ	1251	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-214AA, SMB	SMBJ5369		5 W	SMBJ (DO-214AA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000					1.2 v @ 1 a		500 na @ 36.7 V				51 V	27 ohmios
1N4487	8.9250	RFQ	6282	Tecnología de Microchip	MIL-PRF-19500/406	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204al, do041, axial	1N4487		1.5 W	Do-41	descascar	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado	1N4487MS	EAR99	8541.10.0050	1					1.5 v @ 1 a		250 na @ 65.6 V				82 V	160 ohmios
SMBJ5943B/TR13	1.5600	RFQ	1600	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-214AA, SMB	SMBJ5943		2 W	SMBJ (DO-214AA)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000					1.2 v @ 200 ma		1 µA @ 42.6 V				56 V	86 ohmios
1N5802US	9.7200	RFQ	255	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			Montaje en superficie	Sq-melf, un	1N5802	Estándar		D-5A	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		50 V		875 MV @ 1 A	25 ns	1 µA @ 50 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	25pf @ 10V, 1 MHz
1N2984A	36.9900	RFQ	9034	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Chasis, Soporte de semento	DO-203AA, DO-4, semento	1N2984		10 W	DO-213AA	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.5 v @ 2 a		10 µA @ 15.2 V				20 V	4 ohmios
CD746	1.6950	RFQ	9773	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Morir			500 MW	Morir	-			Alcanzar sin afectado	150-CD746	EAR99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 200 Ma		10 µA @ 1 V				3.3 V	28 ohmios
SMBJ5349C/TR13	2.1900	RFQ	1038	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-214AA, SMB	SMBJ5349		5 W	SMBJ (DO-214AA)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000					1.2 v @ 1 a		2 µA @ 8.6 V				12 V	2.5 ohmios
Apt2x101d100j	34.8000	RFQ	6356	Tecnología de Microchip	-	Tubo	Activo			Monte del Chasis	SOT-227-4, Miniócrita	Apt2x101	Estándar		ISOTOP®	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	2 Independientes	1000 V	95a	2.5 V @ 100 A	300 ns	250 µA @ 1000 V	-55 ° C ~ 175 ° C
Jantx1n6309/tr	11.1587	RFQ	8684	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/533	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	Do-35	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-JantX1N6309/TR	EAR99	8541.10.0050	1					1.4 v @ 1 a		100 µA @ 1 V				2.4 V	30 ohmios
Jantxv1n823-1/tr	6.0000	RFQ	8775	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/159	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-JantXV1N823-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1							2 µA @ 3 V				6.2 V	15 ohmios
1N5748D	4.6800	RFQ	4627	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N5748		500 MW	Do-35	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					900 MV @ 10 Ma		100 na @ 23 V				33 V	90 ohmios
1N4565A-1	3.2100	RFQ	9541	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 1%	-55 ° C ~ 100 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N4565		500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1							2 µA @ 3 V				6.4 V	200 ohmios
Jantx1n6311dus	55.6050	RFQ	8721	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/533	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SQ-Melf, B	1N6311		500 MW	B, SQ-Melf	descascar	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.4 v @ 1 a		30 µA @ 1 V				3 V	29 ohmios
CDLL4766A	101.7900	RFQ	3835	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA	CDLL4766		500 MW	DO-213AA	descascar	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1							10 µA @ 6 V				9.1 V	350 ohmios
Jantxv1n4478/tr	10.7863	RFQ	4765	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/406	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial			1.5 W	Do-41	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-JantXv1N4478/TR	EAR99	8541.10.0050	1					1 V @ 200 Ma		50 na @ 28.8 V				36 V	27 ohmios

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Diodos (34409)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²