RFQ
Proseperar
Contáctenos

Tel: +86-0755-83501315

Correo electrónico:sales@sic-components.com

Iniciar sesión

Español

Diodos (34409)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Velocidad	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
Jantx1n4490dus/tr	49.7250	RFQ	8988	Tecnología de Microchip	MIL-PRF-19500/406	Tape & Reel (TR)	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Sq-melf, un			1.5 W	D-5A	-				150-JantX1N4490DUS/TR	EAR99	8541.10.0050	100			1.5 v @ 1 a		250 na @ 88 V				110 V	300 ohmios
Jan1n4627ur-1/TR	5.9451	RFQ	5466	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/435	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)			500 MW	DO-213AA	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-ENERO1N4627UR-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		5 µA @ 5 V				6.2 V	1200 ohmios
Jans1n941b-1/tr	-	RFQ	1598	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/157	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	Do-35	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-Jans1n941b-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1					15 µA @ 8 V				11.7 V	30 ohmios
Jan1n4977	-	RFQ	1645	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/356	Una granela	Descontinuado en sic	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	E, axial			5 W		descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.5 v @ 1 a		2 µA @ 47.1 V				62 V	42 ohmios
Jantx1n6305r	-	RFQ	9328	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			Montaje	Do-203ab, do-5, semental		Estándar		Do-5	-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	100 V	1.18 V @ 150 A	60 ns	25 µA @ 100 V	-65 ° C ~ 175 ° C	70a
BZV55C11	2.9400	RFQ	8008	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)	BZV55C11			DO-213AA	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		100 na @ 8 V				11 V
Jantx1n5541b-1/tr	6.2111	RFQ	8890	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/437	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-JantX1N5541B-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		10 na @ 19.8 V				22 V	100 ohmios
Jantxv1n4471us	25.7700	RFQ	1242	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/406	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Sq-melf, un	1N4471		1.5 W	D-5A	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.5 v @ 1 a		50 na @ 14.4 V				18 V	11 ohmios
Jans1n5712ubca	159.5850	RFQ	3869	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/444	Una granela	Activo			Montaje en superficie	4-SMD, sin Plomo		Schottky		UB	-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	1	Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad	16 V	1 V @ 35 Ma		150 na @ 16 V	-65 ° C ~ 150 ° C		2pf @ 0V, 1 MHz
Jantxv1n5544dur-1/tr	55.0221	RFQ	5718	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/437	Tape & Reel (TR)	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)			500 MW	DO-213AA	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-jantxv1n5544dur-1/tr	EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		10 na @ 25.2 V				28 V	100 ohmios
CDS966BUR-1	-	RFQ	4991	Tecnología de Microchip	*	Una granela	Activo									-			Alcanzar sin afectado	150-cds966bur-1	EAR99	8541.10.0050	50
Jantx1n5814r	-	RFQ	8492	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/478	Una granela	Descontinuado en sic			Chasis, Soporte de semento	DO-203AA, DO-4, semento		Estándar		DO-203AA (DO-4)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	100 V	950 MV @ 20 A	35 ns	10 µA @ 100 V	-65 ° C ~ 175 ° C	20A	300pf @ 10V, 1 MHz
Jan1n4969d	18.6750	RFQ	5110	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/356	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	E, axial	1N4969		5 W	E, axial	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.5 v @ 1 a		2 µA @ 22.8 V				30 V	8 ohmios
SMBJ4760/TR13	0.8700	RFQ	1940	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 10%	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-214AA, SMB	SMBJ4760		2 W	SMBJ (DO-214AA)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000			1.2 v @ 200 ma		5 µA @ 51.7 V				68 V	150 ohmios
1 PMT5936/TR7	2.2200	RFQ	3482	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 20%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-216AA	1pmt5936		3 W	DO-216AA	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000			1.2 v @ 200 ma		1 µA @ 22.8 V				30 V	28 ohmios
1N5533C	11.3550	RFQ	9424	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	-			Alcanzar sin afectado	150-1N5533C	EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		10 na @ 11.7 V				13 V	90 ohmios
Jantx1n3024bur-1	14.7300	RFQ	3223	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/115	Una granela	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AB, MELL (Vidrio)	1N3024		1 W	DO-213AB (Melf, LL41)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.2 v @ 200 ma		10 µA @ 11.4 V				15 V	14 ohmios
Cdll937/tr	8.9250	RFQ	4367	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	0 ° C ~ 75 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA			500 MW	DO-213AA	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-cdll937/tr	EAR99	8541.10.0050	1									9 V	20 ohmios
CDLL4755	3.4650	RFQ	4004	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Do-213ab, melf	CDLL4755			DO-213AB	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.2 v @ 200 ma		100 na @ 32.7 V				43 V	70 ohmios
1N5934BP/TR12	1.8900	RFQ	3501	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	1N5934		1.5 W	DO-204Al (DO-41)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	4.000			1.2 v @ 200 ma		1 µA @ 18.2 V				24 V	19 ohmios
Jan1n6331cus	63.7050	RFQ	6680	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/533	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SQ-Melf, B			500 MW	B, SQ-Melf	-			Alcanzar sin afectado	150-Enero1n6331cus	EAR99	8541.10.0050	1			1.4 v @ 1 a		50 na @ 15 V				20 V	18 ohmios
Jans1n4488	137.4000	RFQ	8026	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/406	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial			1.5 W	Do-41	-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.5 v @ 1 a		250 na @ 72.8 V				91 V	200 ohmios
HSM845J/TR13	2.4000	RFQ	2969	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214AB, SMC	HSM845	Schottky		DO-214AB	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	45 V	620 MV @ 8 A		250 µA @ 45 V	-55 ° C ~ 175 ° C	8A	-
CDS5536BUR-1	-	RFQ	2339	Tecnología de Microchip	*	Una granela	Activo									-			Alcanzar sin afectado	150-cds5536bur-1	EAR99	8541.10.0050	50
1N6622E3	13.3800	RFQ	3392	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			A Través del Aguetero	A, axial		-		A, axial	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		1.6 v @ 2 a	30 ns		-	-	-
Jans1n4623cur-1	165.5850	RFQ	7025	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/435	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)			500 MW	DO-213AA	-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		2 µA @ 2 V				4.3 V	1600 ohmios
Jantxv1n4944/tr	10.1400	RFQ	8734	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/359	Tape & Reel (TR)	Activo			A Través del Aguetero	A, axial		Estándar		A, axial	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-jantxv1n4944/tr	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	400 V	1.3 V @ 1 A	150 ns	1 µA @ 400 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	35pf @ 12V, 1 MHz
1N3290A	93.8550	RFQ	6864	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			Montaje	DO-205AA, DO-8, Semento	1N3290	Estándar		DO-205AA (DO-8)	descascar	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado	1N3290ams	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)	300 V	1.1 v @ 200 a		200 µA @ 300 V	-65 ° C ~ 200 ° C	150a	-
Jantxv1n4486cus	45.1350	RFQ	4872	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/406	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Sq-melf, un			1.5 W	D-5A	-			Alcanzar sin afectado	150-jantxv1n4486cus	EAR99	8541.10.0050	1			1.5 v @ 1 a		250 na @ 60 V				75 V	130 ohmios
Jantx1n6351us	18.0900	RFQ	4121	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/533	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SQ-Melf, B	1N6351		500 MW	B, SQ-Melf	descascar	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.4 v @ 1 a		50 na @ 99 V				130 V	850 ohmios

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Diodos (34409)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²