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Diodos (34409)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de funciones	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Velocidad	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
1N2980B	-	RFQ	9531	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Descontinuado en sic	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Chasis, Soporte de semento	DO-203AA, DO-4, semento	1N2980		10 W	DO-213AA	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.5 v @ 2 a		10 µA @ 12.2 V				16 V	4 ohmios
Jantxv1n6844u3/tr	173.0250	RFQ	5649	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/679	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	3-SMD, sin Plomo		Schottky, Polaridad Inversa		U3 (SMD-0.5)	-			Alcanzar sin afectado	150-jantxv1n6844u3/tr	EAR99	8541.10.0080	100	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		100 V		900 MV @ 15 A		100 µA @ 100 V	-65 ° C ~ 150 ° C	15A	600pf @ 5V, 1MHz
Janhca1n963d	-	RFQ	4300	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Morir			500 MW	Morir	-			Alcanzar sin afectado	150-JANHCA1N963D	EAR99	8541.10.0050	100					1.1 V @ 200 Ma		5 µA @ 9.1 V				12 V	11.5 ohmios
1N4729UR-1/TR	3.6200	RFQ	4465	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AB, MELL (Vidrio)			1 W	DO-213AB (Melf, LL41)	-					EAR99	8541.10.0050	272					1.2 v @ 200 ma		100 µA @ 1 V				3.6 V	10 ohmios
Jan1n6331d	24.7800	RFQ	8472	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/533	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	-			Alcanzar sin afectado	150-Enero1n6331d	EAR99	8541.10.0050	1					1.4 v @ 1 a		50 na @ 15 V				20 V	18 ohmios
1N751C-1/TR	4.5000	RFQ	1292	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar			Alcanzar sin afectado	150-1N751C-1/TR	EAR99	8541.10.0050	211					1.1 V @ 200 Ma		1 µA @ 1 V				5.1 V	17 ohmios
Jantxv1n984cur-1	19.3800	RFQ	2957	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/117	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)	1N984		500 MW	DO-213AA	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		500 na @ 69 V				91 V	400 ohmios
CD4771	12.4650	RFQ	3232	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Morir				Morir	-			Alcanzar sin afectado	150-CD4771	EAR99	8541.10.0050	1											9.1 V	200 ohmios
Jan1n4980c	18.5700	RFQ	6719	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/356	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	E, axial	1N4980		5 W	E, axial	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.5 v @ 1 a		2 µA @ 62.2 V				82 V	80 ohmios
1 PMT4114E3/TR7	0.4950	RFQ	4924	Tecnología de Microchip	PowerMite®	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-216AA	1pmt4114		1 W	DO-216	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000					1.1 V @ 200 Ma		10 na @ 15.2 V				20 V	150 ohmios
1N4115ur-1/TR	3.9400	RFQ	7796	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DO-213AA			500 MW	DO-213AA	-					EAR99	8541.10.0050	249					1.1 V @ 200 Ma		10 na @ 16.8 V				22 V	150 ohmios
CDLL4687/TR	3.0989	RFQ	3336	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA			500 MW	DO-213AA	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-CDLL4687/TR	EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		4 µA @ 2 V				4.3 V
1N5922Bur-1	4.0650	RFQ	2416	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Do-213ab, melf	1N5922		1.25 W	DO-213AB	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.2 v @ 200 ma		5 µA @ 6 V				7.5 V	3 ohmios
Jantxv1n3047b-1	-	RFQ	8099	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo									-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1
Jantx1n4480us	16.4550	RFQ	2600	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/406	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Sq-melf, un	1N4480		1.5 W	D-5A	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1 V @ 200 Ma		50 na @ 34.4 V				43 V	40 ohmios
Jan1N965CUR-1/TR	8.0997	RFQ	3724	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/117	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)			500 MW	DO-213AA	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-ENERO1N965CUR-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		500 na @ 11 V				15 V	16 ohmios
1N2977Be3	37.5300	RFQ	2094	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje	DO-203AA, DO-4, semento	1N2977		10 W	DO-4 (DO-203AA)	descascar			Alcanzar sin afectado	150-1N2977BE3	EAR99	8541.10.0050	1					1.5 v @ 2 a		10 µA @ 9.9 V				13 V	3 ohmios
Jantx1n4148ubccc/tr	30.6432	RFQ	7172	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/116	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	3-SMD, sin Plomo	1N4148	Estándar		UBC	-			Alcanzar sin afectado	150-Jantx1n4148ubccc/tr	EAR99	8541.10.0080	100	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	75 V	1A	800 MV @ 100 Ma	5 ns	25 na @ 20 V	-65 ° C ~ 200 ° C
Jantxv1n7043cct1	220.4550	RFQ	6415	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/730	Una granela	Activo			A Través del Aguetero	TO-254-3, TO-254AA (CLIENTES POTENCADES RECTOS)	1N7043	Schottky		Un 254	descascar	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		100 V		1.3 V @ 35 A		500 µA @ 100 V	-65 ° C ~ 150 ° C	35a	600pf @ 0V, 1 MHz
Jantxv1n966c-1/tr	8.0332	RFQ	5240	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/117	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-JantXV1N966C-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		500 na @ 12 V				16 V	17 ohmios
Jan1n4470us/tr	10.6050	RFQ	6805	Tecnología de Microchip	MIL-PRF-19500/406	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Sq-melf, un			1.5 W	D-5A	-				150-ENERO1N4470US/TR	EAR99	8541.10.0050	100					1.5 v @ 1 a		50 na @ 12.8 V				16 V	10 ohmios
Jans1n4981/tr	74.9802	RFQ	8557	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/356	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	B, axial			5 W	B, axial	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-jans1n4981/tr	EAR99	8541.10.0050	1					1.5 v @ 1 a		2 µA @ 69.2 V				91 V	90 ohmios
CDS5526CUR-1/TR	-	RFQ	8560	Tecnología de Microchip	*	Tape & Reel (TR)	Activo									-			Alcanzar sin afectado	150-CDS5526CUR-1/TR	EAR99	8541.10.0050	50
Jan1N757Dur-1/TR	12.7680	RFQ	4293	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/127	Tape & Reel (TR)	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)			500 MW	DO-213AA	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-ENERO1N757DUR-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		1 µA @ 7 V				9.1 V	10 ohmios
1N5931P/TR8	1.8600	RFQ	1972	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 20%	-65 ° C ~ 150 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	1N5931		1.5 W	DO-204Al (DO-41)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1.500					1.2 v @ 200 ma		1 µA @ 13.7 V				18 V	12 ohmios
CD6318	2.1014	RFQ	5373	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	-	-	Montaje en superficie	Morir				Morir	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-CD6318	EAR99	8541.10.0050	1
1N2461	74.5200	RFQ	6178	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			Montaje	Do-203ab, do-5, semental		Estándar		DO-5 (DO-203AB)	descascar			Alcanzar sin afectado	150-1N2461	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		200 V		1.25 V @ 200 A		25 µA @ 200 V	-65 ° C ~ 200 ° C	70a	-
1N2837B	94.8900	RFQ	4183	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	A-204AD	1N2837		50 W	TO-204AD (TO-3)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 10 A		10 µA @ 69.2 V				91 V	15 ohmios
Jans1n5822us/tr	214.0500	RFQ	9594	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/620	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	SQ-Melf, B		Schottky		B, SQ-Melf	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-Jans1n5822us/TR	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		40 V		500 MV @ 3 A			-65 ° C ~ 150 ° C	3A	-
Jan1n6770	-	RFQ	6036	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			A Través del Aguetero	Un 257-3		Estándar		Un 257	-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		150 V		1.06 v @ 8 a	35 ns	10 µA @ 120 V	-	8A	150pf @ 5V, 1 MHz

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Diodos (34409)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²