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Diodos (34409)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Velocidad	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
CDLL5921D	11.7300	RFQ	6150	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Do-213ab, melf	CDLL5921		1.25 W	DO-213AB	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.2 v @ 200 ma		5 µA @ 5.2 V				6.8 V	2.5 ohmios
CDLL5926B	3.8100	RFQ	2756	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Do-213ab, melf	CDLL5926		1.25 W	DO-213AB	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.2 v @ 200 ma		1 µA @ 8.4 V				11 V	5.5 ohmios
Jan1N944B-1/TR	-	RFQ	7411	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	Do-35	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-Enero1n944b-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1							15 µA @ 8 V				11.7 V	30 ohmios
Jantx1n5528b-1/tr	5.5328	RFQ	2397	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/437	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-JantX1N5528B-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		500 na @ 7.5 V				8.2 V	40 ohmios
Jantxv1n750cur-1	19.7700	RFQ	2078	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/127	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)	1N750		500 MW	DO-213AA	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		5 µA @ 1.5 V				4.7 V	19 ohmios
1N3531A	2.4900	RFQ	7296	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N3531		500 MW	Do-35	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma						36 V	75 ohmios
Jans1n4971cus	343.6210	RFQ	4782	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo									descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-jans1n4971cus	EAR99	8541.10.0050	1
1N4775A-1	16.8000	RFQ	9598	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			250 MW	DO-35 (DO-204AH)	-			Alcanzar sin afectado	150-1N4775A-1	EAR99	8541.10.0050	1							10 µA @ 6 V				8.5 V	200 ohmios
Apt2x61dq100j	23.3500	RFQ	2497	Tecnología de Microchip	-	Tubo	Activo			Monte del Chasis	SOT-227-4, Miniócrita	Apt2x61	Estándar		ISOTOP®	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	2 Independientes	1000 V	60A	2.8 V @ 60 A	235 ns	100 µA @ 1000 V
CDLL5275C/TR	6.9150	RFQ	1845	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 20%	-65 ° C ~ 200 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA				DO-213AA	-			Alcanzar sin afectado	150-CDLL5275C/TR	EAR99	8541.10.0050	137					1.1 V @ 200 Ma		100 na @ 101 V				140 V	1300 ohmios
Jantx1n633333dus	57.9000	RFQ	2777	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/533	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	SQ-Melf, B	1N6333		500 MW	B, SQ-Melf	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.4 v @ 1 a		50 na @ 18 V				24 V	24 ohmios
Jan1n4962cus/tr	22.7100	RFQ	9666	Tecnología de Microchip	MIL-PRF-19500/356	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SQ-Melf, B			5 W	E-Mada	-				150-Enero1n4962cus/TR	EAR99	8541.10.0050	100					1.5 v @ 1 a		5 µA @ 11.4 V				15 V	3.5 ohmios
1N5986d	5.1900	RFQ	7634	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N5986		500 MW	Do-35	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		75 µA @ 1 V				2.7 V	100 ohmios
1N823E3/TR	4.6650	RFQ	8375	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-1N823E3/TR	EAR99	8541.10.0050	1							2 µA @ 3 V				6.2 V	15 ohmios
1N1435	38.3850	RFQ	1408	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			Montaje	Do-203ab, do-5, semental		Estándar		DO-5 (DO-203AB)	descascar			Alcanzar sin afectado	150-1N1435	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		100 V		1.19 v @ 90 A	5 µs	10 µA @ 100 V	-65 ° C ~ 200 ° C	30A	-
Jantx1n980d-1/tr	8.7248	RFQ	8045	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/117	Tape & Reel (TR)	Activo	± 1%	-55 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N980		500 MW	DO-35 (DO-204AH)	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-JantX1N980D-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		500 na @ 47 V				62 V	185 ohmios
CDS5244BUR-1/TR	-	RFQ	9566	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo									-				150-cds5244bur-1/tr	EAR99	8541.10.0050	1
Jankca1n4112d	-	RFQ	2847	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/435	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Morir			500 MW	Morir	-			Alcanzar sin afectado	150-jankca1n4112d	EAR99	8541.10.0050	100					1.1 V @ 200 Ma		50 na @ 13.67 V				18 V	100 ohmios
1 PMT5950B/TR7	2.2200	RFQ	9888	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-216AA	1pmt5950		3 W	DO-216AA	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000					1.2 v @ 200 ma		1 µA @ 83.6 V				110 V	300 ohmios
Jantx1n5540d-1/tr	19.5776	RFQ	4537	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/437	Tape & Reel (TR)	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-JantX1N5540D-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		10 na @ 18 V				20 V	100 ohmios
R5380TS	158.8200	RFQ	4495	Tecnología de Microchip	*	Una granela	Activo									-			Alcanzar sin afectado	150-R5380TS			1
Jantxv1n6910utk2/tr	521.6100	RFQ	1981	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/723	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	Thinkey ™ 2		Schottky, Polaridad Inversa		Thinkey ™ 2	-			Alcanzar sin afectado	150-jantxv1n6910utk2/tr	EAR99	8541.10.0080	100	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		15 V		520 MV @ 25 A		1.2 Ma @ 15 V	-65 ° C ~ 150 ° C	25A	2000pf @ 5V, 1MHz
Jantx1n983b-1	2.7750	RFQ	8347	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/117	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N983		500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		500 na @ 62 V				82 V	330 ohmios
Jantxv1n981d-1/tr	8.5519	RFQ	5983	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/117	Tape & Reel (TR)	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-Jantxv1n981d-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		500 na @ 52 V				68 V	230 ohmios
CDLL4101	4.5600	RFQ	7522	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Do-213ab, melf	CDLL4101		500 MW	DO-213AB	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		500 na @ 6.3 V				8.2 V	200 ohmios
UPS6150E3/TR13	0.9450	RFQ	9989	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-216AA	UPS6150	Schottky		Powermite	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	5,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		150 V		750 MV @ 6 A		100 µA @ 150 V	-55 ° C ~ 150 ° C	6A	-
Jantxv1n6310dus/tr	68.6850	RFQ	3343	Tecnología de Microchip	MIL-PRF-19500/533	Tape & Reel (TR)	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SQ-Melf, B			500 MW	B, SQ-Melf	-				150-jantxv1n6310dus/tr	EAR99	8541.10.0050	100					1.4 v @ 1 a		60 µA @ 1 V				2.7 V	30 ohmios
Jan1n3893ar	333.0150	RFQ	5386	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/304	Una granela	Activo			Montaje	DO-203AA, DO-4, semento		Estándar		DO-203AA (DO-4)	-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		400 V		1.5 V @ 38 A	150 ns		-65 ° C ~ 175 ° C	20A	115pf @ 10V, 1 MHz
SMBJ5342AE3/TR13	0.8100	RFQ	2723	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 10%	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-214AA, SMB	SMBJ5342		5 W	SMBJ (DO-214AA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000					1.2 v @ 1 a		10 µA @ 4.9 V				6.8 V	1 ohmios
Jantxv1n3595aur-1/tr	12.8611	RFQ	9701	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/241	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-213AA		Estándar		DO-213AA	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-jantxv1n3595aur-1/tr	EAR99	8541.10.0070	1	Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad		125 V		920 MV @ 100 Ma	3 µs	2 na @ 125 V	-65 ° C ~ 175 ° C	150 Ma	-

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Diodos (34409)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²